相關(guān)申請的引用

本申請要求向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2015-0172663號(hào)的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，通過引用將其全部公開內(nèi)容結(jié)合于此。

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式涉及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

近來，顯示設(shè)備的用途已經(jīng)多樣化。另外，隨著顯示設(shè)備變薄并且變輕便，顯示設(shè)備的使用范圍逐漸延伸。特別地，近來，已研究制造作為平板顯示設(shè)備的顯示設(shè)備。

可以使用各種方法設(shè)計(jì)顯示設(shè)備的形式。另外，可以與顯示設(shè)備結(jié)合的、或者連接至顯示設(shè)備的功能增加。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式包括具有通孔部的顯示設(shè)備。

額外的方面將在隨后的描述中部分闡述，并且部分從描述中變得顯而易見，或可以通過所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐被了解。

根據(jù)一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式，顯示設(shè)備包括基板，基板包括第一表面和與第一表面相對(duì)的第二表面，并且限定穿過其中的通孔部；像素陣列，包括在第一表面圍繞通孔部的多個(gè)像素；多個(gè)掃描線，沿著第一方向延伸，用于將掃描信號(hào)提供至像素；和多個(gè)數(shù)據(jù)線，沿著與第一方向交叉的第二方向延伸，用于將數(shù)據(jù)信號(hào)提供至像素，多個(gè)數(shù)據(jù)線包括在不同層與通孔部相鄰的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，并且其至少一部分沿著通孔部的周長彎曲。

第一數(shù)據(jù)線可以不與第二數(shù)據(jù)線重疊。

基板可包括對(duì)應(yīng)于像素的顯示區(qū)、和與顯示區(qū)相鄰的非顯示區(qū)。

非顯示區(qū)可包括被顯示區(qū)圍繞并且圍繞通孔部的第一非顯示區(qū)、和圍繞顯示區(qū)的第二非顯示區(qū)。

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的一個(gè)可以與連接數(shù)據(jù)線相連接，連接數(shù)據(jù)線包括與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的另一個(gè)的材料相同的材料。

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)可包括沿著第二方向延伸的第一直線部分、與第一直線部分相連接的彎曲部分和與彎曲部分相連接、并沿著第二方向延伸的第二直線部分。

彎曲部分可以在同一層處與第一直線部分和第二直線部分為一體。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括彎曲部分與第一直線部分或第二直線部分之間的絕緣層，彎曲部分可以在與第一直線部分或第二直線部分不同的層，彎曲部分和第一直線部分可以經(jīng)由穿過絕緣層的第一接觸體相互接觸，并且彎曲部分和第二直線部分可以經(jīng)由穿過絕緣層的第二接觸體相互接觸。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括薄膜封裝層，該薄膜封裝層包括基板上方的無機(jī)層和有機(jī)層。

薄膜封裝層可包括限定通孔部的側(cè)表面。

薄膜封裝層可包括第一無機(jī)層、第一無機(jī)層上方的有機(jī)層、和有機(jī)層上方的第二無機(jī)層。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括在基板的第一表面與通孔部相鄰的壩。

壩可以位于有機(jī)層的端部與通孔部之間。

第一無機(jī)層和第二無機(jī)層可以在接觸部分相互接觸，并且可以比有機(jī)層進(jìn)一步朝向通孔部延伸。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線下方、并且直接接觸與通孔部相鄰的第一無機(jī)層的無機(jī)絕緣層。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線上方、并且直接接觸與通孔部相鄰的第一無機(jī)層的無機(jī)鈍化層。

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)可以與接觸部分重疊。

設(shè)備可以進(jìn)一步包括鈍化層，該鈍化層包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線上方的有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子，并且該鈍化層直接接觸與通孔部相鄰的第一無機(jī)層。

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)可以與接觸部分重疊。

多個(gè)像素可包括沿著第二方向布置、被介入其間的通孔部相互隔開、并且與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的一個(gè)電連接的第一像素和第二像素。

多個(gè)數(shù)據(jù)線可以進(jìn)一步包括第三數(shù)據(jù)線，第三數(shù)據(jù)線包括與第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的一個(gè)相同的材料，并且沿著第一方向與通孔部隔開，并且多個(gè)像素可以進(jìn)一步包括與第三數(shù)據(jù)線電連接的第三像素，并且第三像素包括像素電極、像素電極上方的發(fā)射層和發(fā)射層上方的相對(duì)電極。

第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線中的至少一個(gè)可以與第三像素的像素電極重疊。

像素的每一個(gè)可包括像素電路和有機(jī)發(fā)光二極管，像素電路包括晶體管和存儲(chǔ)電容器，有機(jī)發(fā)光二極管與像素電路電連接。

根據(jù)上述，實(shí)施方式提供減小像素圍繞的通孔部周圍的第一非顯示區(qū)的面積并且改善密封性能的顯示設(shè)備。

附圖說明

從示例性實(shí)施方式的以下描述，結(jié)合附圖，這些和/或其他方面將變得顯而易見并且更容易被理解，其中：

圖1是示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的框圖；

圖2是示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖；

圖3a是放大圖2的部分iiia的平面圖；

圖3b是描繪圖3a的一部分的平面圖；

圖3c是根據(jù)圖3a的改進(jìn)實(shí)施方式的平面圖；

圖4是沿著圖3a中的線iv-iv截取的截面圖；

圖5是放大圖2的部分v的平面圖；

圖6是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖7是示出了圖6的部分vii的放大圖；

圖8是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖9是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖10是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖11是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面圖；

圖12是沿著圖11中的線x-x截取的截面圖；

圖13a是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖13b是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖14a是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖14b是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的截面圖；

圖15a是描繪根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備的一部分的平面圖；

圖15b是描繪圖15a的一部分的平面圖；

圖16是沿著圖15a的線xiv-xiv截取的截面圖；并且

圖17a至圖17c是示出了具有根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的電子裝置的視圖。

具體實(shí)施方式

通過參考以下實(shí)施方式和附圖的詳細(xì)說明可以更容易地理解發(fā)明構(gòu)思的特征及其實(shí)現(xiàn)方法。在下文中，將參考附圖更詳細(xì)地描述示例性實(shí)施方式，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終指代相同的元件。然而，本發(fā)明可以各種不同的形式體現(xiàn)并且不應(yīng)被理解為僅限于文中示出的實(shí)施方式。相反，作為實(shí)例提供這些實(shí)施方式使得公開內(nèi)容全面且完整，并向本領(lǐng)域的技術(shù)人員完整傳達(dá)了本發(fā)明的方面和特征。因此，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員完整了解本發(fā)明的方面和特征非必要的方法、元件和技術(shù)可能不進(jìn)行描述。除非另有說明，否則在整個(gè)附圖和書面描述中，相同參考數(shù)字表示相同元件，并且因此不重復(fù)對(duì)其的描述。在附圖中，為清晰起見，可放大元件、層和區(qū)域的相對(duì)尺寸。

應(yīng)當(dāng)理解，盡管本文中可使用“第一”、“第二”、“第三”等術(shù)語來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)局限于這些術(shù)語。這些術(shù)語用于區(qū)分一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分。因此，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，下面所描述的第一元件、第一組件、第一區(qū)域、第一層或者第一部分可被限定為第二元件、第二組件、第二區(qū)域、第二層或者第二部分。

為了便于解釋，在本文中可使用諸如“在…下面”、“在…下方”、“在…下部”、“在…下”、“在…上方”、“在…上面”等空間相對(duì)術(shù)語來描述如附圖中示出的一個(gè)元件或特征與另一(或多個(gè))元件或另一(或多個(gè))特征的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解，除了附圖中描述的方位之外，空間相關(guān)術(shù)語旨在包含使用或操作中的設(shè)備的不同方位。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“下”的元件將隨后被定向?yàn)椤霸凇逼渌蛱卣鳌吧戏健?。因此，示例性術(shù)語“下方”和“下”可包括上方和下方兩個(gè)方位。設(shè)備可被另外地定向(例如，旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，并且本文中使用的空間相對(duì)描述符應(yīng)當(dāng)相應(yīng)地進(jìn)行解釋。

應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)元件、層、區(qū)域、或組件被稱為“在”、“連接至”或者“耦接至”另一元件、層、區(qū)域、或組件時(shí)，其可以直接地在、連接至、或者耦接至其他元件、層、區(qū)域、或組件，或者可以存在一個(gè)或多個(gè)中間元件、層、區(qū)域、或者組件。另外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)元件或者層被稱為“在”兩個(gè)元件或者層“之間”時(shí)，該元件或者層可以是兩個(gè)元件或者層之間的僅一個(gè)元件或者層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)中間元件或者層。

在以下實(shí)例中，x軸、y軸和z軸不局限于直角坐標(biāo)系的三條軸線，并且可以以更廣泛的意義解釋。例如，x軸、y軸和z軸可以相互垂直，或者可以表示相互不垂直的不同的方向。

本文使用的術(shù)語僅用于描述具體實(shí)施方式的目的，并且并不旨在限制本發(fā)明。除非上下文另有明確指出，否則本文中使用的單數(shù)形式“一個(gè)(a)”、“一個(gè)(an)”和“該(the)”也旨在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)術(shù)語“包括(comprises)”、“包括(comprising)”和/或“包括(including)”用于本說明書時(shí)，指示所述的特征、整體、步驟、操作、元件及/或組件的存在，但并不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其組合。如在本文中所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)列舉項(xiàng)的任何和所有組合。當(dāng)如“至少一個(gè)”的表達(dá)在一系列元件之前時(shí)，其修飾全部的一系列元件而不是修飾系列中的單個(gè)元件。

如本文中使用的，術(shù)語“大體上”、“大約”和同類項(xiàng)用作近似的術(shù)語,而不是程度的術(shù)語，并且旨在考慮本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認(rèn)識(shí)到的測量或者計(jì)算值中的固有偏差。此外，當(dāng)描述本發(fā)明的實(shí)施方式時(shí)，“可以(may)”的使用指的是“本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施方式”。如在本文中使用的，術(shù)語“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可被認(rèn)為分別與術(shù)語“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同義。同樣，術(shù)語“示例”旨在指代實(shí)例或例證。

當(dāng)一些實(shí)施方式可以不同地實(shí)施時(shí)，可以以不同于描述的順序執(zhí)行具體處理順序。例如，可以基本上同時(shí)執(zhí)行或者以與所描述的順序相反的順序執(zhí)行兩個(gè)連續(xù)描述的處理。

可以利用任何合適的硬件、固件(例如，專用集成電路)、軟件、或軟件、固件、以及硬件的合適的組合實(shí)施根據(jù)在本文中所描述的本發(fā)明的實(shí)施方式的電子或電氣器件和/或任何其他相關(guān)設(shè)備或組件。例如，這些設(shè)備的各種組件可以形成在一個(gè)集成電路(ic)芯片上或者獨(dú)立的ic芯片上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以在柔性印刷電路膜、帶載波封裝(tcp)、印刷電路板(pcb)上實(shí)施，或者形成在一個(gè)基板上。此外，這些設(shè)備的各種組件可以是在一個(gè)或多個(gè)計(jì)算設(shè)備中的一個(gè)或多個(gè)處理器上運(yùn)行的進(jìn)程或者線程，用于執(zhí)行計(jì)算機(jī)程序指令和與其他系統(tǒng)組件交互用以執(zhí)行本文中所描述的各種功能。計(jì)算機(jī)程序指令被存儲(chǔ)在可以使用標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器設(shè)備(諸如，例如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram))在計(jì)算設(shè)備中實(shí)施的存儲(chǔ)器中。計(jì)算機(jī)程序指令也可被存儲(chǔ)在其他非易失性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，諸如，例如，cd-rom、閃存驅(qū)動(dòng)等。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到可以將各種計(jì)算設(shè)備的功能結(jié)合或者整合到單個(gè)計(jì)算設(shè)備中，或者在不偏離本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的精神和范圍的情況下可以跨一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算設(shè)備分配特定計(jì)算設(shè)備的功能。

除非另有明確限定，否則，本文使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)與本發(fā)明所屬領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員的通常理解具有相同的含義。應(yīng)進(jìn)一步理解，術(shù)語(比如常用詞典中所使用的術(shù)語)應(yīng)被解釋為具有與相關(guān)技術(shù)和/或本說明書的上下文中的含義一致的含義，并且不在理想化或過于正式的意義上進(jìn)行解釋，除非在本文中明確地如此限定。

圖1是示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備1的框圖。

參考圖1，顯示設(shè)備1是有源型有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，并且包括像素陣列10、第一掃描驅(qū)動(dòng)器20、第二掃描驅(qū)動(dòng)器30和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40。每一個(gè)像素px包括像素電路和連接至像素電路的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)。

像素陣列10包括位于多個(gè)掃描線sl1a至slna和sl1b至slnb與多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlm的交叉點(diǎn)處的多個(gè)像素px，像素px以矩陣配置布置。在本實(shí)施方式中，多個(gè)掃描線sl1a至slna和sl1b至slnb在第一方向(其為行方向)上延伸，并且多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlm在第二方向(其為列方向)上延伸。

每一個(gè)像素px連接至傳輸至像素陣列10的多個(gè)掃描線sl1a至slna和sl1b至slnb中的一個(gè)。雖然每一個(gè)像素px連接至對(duì)應(yīng)于圖1中的相關(guān)像素行的一個(gè)掃描線，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一個(gè)實(shí)施方式中，每一個(gè)像素px可以連接至兩個(gè)掃描線。

第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30可以在像素陣列10的相對(duì)側(cè)，并且可以執(zhí)行雙掃描。例如，第一掃描驅(qū)動(dòng)器20產(chǎn)生掃描信號(hào)，并且將掃描信號(hào)傳輸至像素px中的一些，并且第二掃描驅(qū)動(dòng)器30產(chǎn)生掃描信號(hào)，并且將掃描信號(hào)傳輸至其他像素px。第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30可以通過同步時(shí)鐘信號(hào)同步。

數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40將數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由多個(gè)數(shù)據(jù)線dl1至dlm傳輸至各個(gè)像素px。

控制器50將多個(gè)外部產(chǎn)生的圖像信號(hào)改變?yōu)槎鄠€(gè)圖像數(shù)據(jù)信號(hào)，并且將多個(gè)圖像數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40?？刂破?0接收同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，產(chǎn)生控制信號(hào)用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40以及第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30的驅(qū)動(dòng)，并將控制信號(hào)傳輸至數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40以及第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30。

每一個(gè)像素px通過使用根據(jù)經(jīng)由數(shù)據(jù)線dl1至dlm中對(duì)應(yīng)的一個(gè)提供的數(shù)據(jù)信號(hào)供給至oled的驅(qū)動(dòng)電流發(fā)出具有亮度(例如，預(yù)定亮度)的光。

圖2是示出了根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的平面圖。

參考圖2，基板100包括顯示區(qū)da和非顯示區(qū)na。

顯示區(qū)da是像素陣列10所在的區(qū)域，并且通過使用通過顯示區(qū)da中的多個(gè)像素px發(fā)出的光提供圖像(例如，預(yù)定圖像)。

基板100包括穿過基板100的通孔(通孔部)th。通孔th由多個(gè)像素px圍繞。

非顯示區(qū)na包括第一非顯示區(qū)na1和第二非顯示區(qū)na2。第一非顯示區(qū)na1圍繞通孔th的輪廓，并且對(duì)應(yīng)于通孔th與和通孔th相鄰的像素px之間的區(qū)域。第一非顯示區(qū)na1由顯示區(qū)da圍繞。第二非顯示區(qū)na2圍繞顯示區(qū)da的輪廓。第一非顯示區(qū)na1通過顯示區(qū)da的一部分與第二非顯示區(qū)na2分離。

第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30在第二非顯示區(qū)na2中。第一掃描驅(qū)動(dòng)器20和第二掃描驅(qū)動(dòng)器30被介入其間的顯示區(qū)da的像素陣列10彼此隔開。從第一掃描驅(qū)動(dòng)器20產(chǎn)生的掃描信號(hào)經(jīng)由掃描線slia(i＝1、2、…、n)提供至一些像素px，并且從第二掃描驅(qū)動(dòng)器30產(chǎn)生的掃描信號(hào)經(jīng)由掃描線slib(i＝1、2、…、n)提供至一些像素px。

焊盤部分pad位于第二非顯示區(qū)na2中。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40(參見圖1)可以以集成電路(ic)的形式安裝在焊盤部分pad上方。通過數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器40產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)經(jīng)由數(shù)據(jù)線dlj(j＝1、2、…、m)提供至各個(gè)像素px。

雖然圖2示出通孔th形成在顯示設(shè)備1的右上方部分中的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。通孔th可以位于顯示設(shè)備1中，可以由像素px圍繞，并且其具體位置不受限制。

雖然圖2示出通孔th具有圓形，并且僅形成一個(gè)通孔th的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。通孔th可以具有各種形狀，包括多邊形(諸如四邊形)或者橢圓，并且通孔th的數(shù)量不受限制。

類似地，雖然圖2示出圍繞通孔th的第一非顯示區(qū)na1根據(jù)通孔th的形狀具有圓形的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。第一非顯示區(qū)na1可以具有各種形狀，包括多邊形(諸如四邊形)或者橢圓，并且不限于此。

雖然圖2示出顯示區(qū)da具有四邊形形狀的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。顯示區(qū)da可以具有各種形狀，包括多邊形(諸如三角形和五角形)或者圓形或者橢圓形。

圖3a是放大圖2的部分iiia的平面圖，圖3b是描繪圖3a的一部分的平面圖，圖3c是示出了圖3a的改進(jìn)實(shí)施方式的平面圖，圖4是沿著圖3a的線iv-iv截取的截面圖，并且圖5是放大圖2的部分v的平面圖。

參考圖3a，多個(gè)像素px包圍通孔th，并且各個(gè)像素px與掃描線slia或者slib(i＝1、2、…、n)中的各自一個(gè)以及數(shù)據(jù)線dlj(j＝1、2、…、m)中的各自一個(gè)相連接以接收掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。

多個(gè)掃描線slia和slib(i＝1、2、…、n)在第一方向上延伸，并且朝向通孔th延伸的掃描線slia或者slib可以在通孔th的周圍斷開(或者切斷)(例如，由于通孔th的存在，可以在通孔th旁終止)。掃描線slia在通孔th周圍切開、位于通孔th的左側(cè)的一部分從第一掃描驅(qū)動(dòng)器20接收掃描信號(hào)(參見圖2)，并將所接收的掃描信號(hào)傳輸至相關(guān)的像素px，并且掃描線slib在通孔th周圍切開、位于通孔th的右側(cè)的一部分可以從第二掃描驅(qū)動(dòng)器30接收掃描信號(hào)，和/或可以接收發(fā)射控制信號(hào)(參見圖2)，并將所接收的信號(hào)傳輸至相關(guān)的像素px。

來自多個(gè)數(shù)據(jù)線dlj(j＝1、2、…、m)的一些數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2在第二方向上延伸，并且在第一非顯示區(qū)na1中沿著通孔th的輪廓在通孔的一側(cè)彎曲。其他數(shù)據(jù)線dl1、…、dlj-4、dlj+3、…、dlm與通孔th隔開，并且在顯示區(qū)da中的第二方向上延伸。

與通孔th隔開的其他數(shù)據(jù)線dl1、…、dlj-4、dlj+3、…、dlm沿著第二方向呈直線延伸，并將數(shù)據(jù)信號(hào)提供至相關(guān)的像素列的像素px。沿著通孔th彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2沿著第二方向?qū)?shù)據(jù)信號(hào)提供至通孔th的相對(duì)側(cè)上的各個(gè)像素px。

例如，如在圖3b中示出的，對(duì)于被介入其間的通孔th沿著第二方向相互隔開的像素px中分別在通孔th的上側(cè)和下側(cè)上的第一像素px1和第二像素px2經(jīng)由彎曲的數(shù)據(jù)線dlj接收數(shù)據(jù)信號(hào)。彎曲的數(shù)據(jù)線dlj包括第一直部分/直線部分sp1、與第一直線部分sp1相連接并在第一非顯示區(qū)na1中彎曲的彎曲部分cp和與彎曲部分cp相連接的第二直部分/直線部分sp2。第一直線部分sp1、彎曲部分cp和第二直線部分sp2可以整體形成在相同的層。雖然圖3描述一個(gè)彎曲的數(shù)據(jù)線dlj，沿著通孔th彎曲的其他數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj-1、dlj+1和dlj+2可以具有相同的或者類似的形狀。

雖然圖3a和3b示出彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2以相同的曲率彎曲的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一個(gè)實(shí)施方式中，如在圖3c中示出的，彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2可以具有不同的曲率。

參考圖3a和圖4，像素px在穿過基板100的通孔th周圍，在基板100的第一表面100a上方，并且由薄膜封裝層130密封。

基板100可包括諸如玻璃、金屬或者有機(jī)材料的材料。根據(jù)實(shí)施方式，基板100可包括柔性材料。例如，基板100可包括諸如聚酰亞胺(pi)的材料，該材料可以翹曲、彎曲或者卷攏，但是這是示例性的并且實(shí)施方式不限于此。

多個(gè)像素px位于基板100的顯示區(qū)da中。每一個(gè)像素px包括像素電路110和與像素電路110電連接的oled120。oled120包括在平坦化層109的上方的像素電極121、相對(duì)電極123和其間的包括有機(jī)發(fā)射層的中間層122。平坦化層109包括有機(jī)材料。

基板100的非顯示區(qū)na1圍繞對(duì)應(yīng)于通孔th的通過區(qū)ta。數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2位于第一非顯示區(qū)na1中。如參考圖3a和圖3b描述的，數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2將數(shù)據(jù)信號(hào)提供至位于通孔th上方和下方的像素px(在平面圖中)，并且在第一非顯示區(qū)na1中彎曲(在平面圖中)。

一些彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2位于不同層。彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2可以交替在有機(jī)鈍化層108的上方和下方。因?yàn)閺澢臄?shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2交替位于不同層，所以數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2之間的節(jié)距可以減小，因此第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率(例如，總尺寸)可以減小。

為了減少其間出現(xiàn)的寄生電容，位于不同層的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2可以彼此不重疊。

薄膜封裝層130在基板100的顯示區(qū)da和第一非顯示區(qū)na1上方。薄膜封裝層130可以防止外部氧氣和濕氣滲透到像素px和包括數(shù)據(jù)線dlj的各種配線內(nèi)。

薄膜封裝層130可以完全覆蓋基板100的顯示區(qū)da和第一非顯示區(qū)na1，并且可以形成限定通孔th的側(cè)表面。

參考圖2、圖4和圖5，位于有機(jī)鈍化層108的下方的數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1和dlj+1(其是來自交替位于不同層的數(shù)據(jù)線)可以連接至連接數(shù)據(jù)線cdl(例如，各自的連接數(shù)據(jù)線cdl)。數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1、dlj+1與連接數(shù)據(jù)線cdl之間的接觸體cnt(例如，各自的接觸體cnt)可以位于第二非顯示區(qū)na2中。位于第二非顯示區(qū)na2中的連接數(shù)據(jù)線cdl可以用作將安裝在焊盤部分pad中的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器與數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1和dlj+1連接的連結(jié)線。

雖然本實(shí)施方式示出數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1、dlj+1與連接數(shù)據(jù)線cdl之間的接觸體cnt位于第二非顯示區(qū)na2中的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一個(gè)實(shí)施方式中，接觸體cnt可以位于第一非顯示區(qū)na1或者顯示區(qū)da中。

雖然圖5示出來自位于不同層的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2的位于有機(jī)鈍化層108下方的數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1和dlj+1可以連接至連接數(shù)據(jù)線cdl的情況，但是本實(shí)施方式不限于此。替換地，連接數(shù)據(jù)線cdl可以與位于有機(jī)鈍化層108上方的數(shù)據(jù)線dlj-2、dlj和dlj+2相連接。

圖6是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1a的一部分的截面圖，并且圖7是示出了圖6的部分vii的放大圖。在圖6的顯示設(shè)備1a中，與以上參考圖4所描述的顯示設(shè)備1類似，通孔th的兩側(cè)的像素px具有相同的結(jié)構(gòu)。因此，為了便于描述，圖6提取并且示出顯示設(shè)備1a的通孔th的右側(cè)。

參考圖6，在顯示區(qū)da中形成包括像素電路110并且包括oled120的像素px，像素電路110包括第一薄膜晶體管t1、第二薄膜晶體管t2和存儲(chǔ)電容器cst，oled120與像素電路110電連接。

緩沖層101在基板100上方。緩沖層101可以減小或者阻斷外來物質(zhì)、濕氣、或者外界空氣從基板100的下方滲透，并且可以提供平坦表面。緩沖層101可包括無機(jī)材料，諸如氧化物或者氮化物，并且可包括包含無機(jī)材料的多層或者單層。

第一薄膜晶體管t1是驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管，并且包括有源層a1、柵電極g1、源電極s1和漏電極d1。第二薄膜晶體管t2是開關(guān)(switching)薄膜晶體管，并且包括有源層a2、柵電極g2、源電極s2和漏電極d2。第二薄膜晶體管t2的源電極s2與數(shù)據(jù)線dlj+3相連接。雖然本實(shí)施方式示出頂柵型薄膜晶體管，其中柵電極g1和g2分別在有源層a1和a2的上方，柵絕緣層103介入其間，但是根據(jù)另一實(shí)施方式，第一薄膜晶體管t1和第二薄膜晶體管t2可以替代為底柵型薄膜晶體管。

有源層a1和a2可包括非晶硅或者多晶硅。根據(jù)另一實(shí)施方式，有源層a1和a2可包括in、ga、sn、zr、v、hf、cd、ge、cr、ti和/或zn中至少一種的氧化物。

柵電極g1和g2可包括低電阻金屬材料。例如，柵電極g1和g2可包括包含mo、al、cu、ti等的導(dǎo)電材料，并且可包括包含以上材料的多層或者單層。

柵絕緣層103可包括包含氧化物或者氮化物的無機(jī)材料。例如，柵絕緣層103可包括siox、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

源電極s1和s2和漏電極d1和d2可包括具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料。例如，源電極s1和s2和漏電極d1和d2可包括包含mo、al、cu、ti等的導(dǎo)電材料，并且可包括包含以上材料的多層或者單層。根據(jù)實(shí)施方式，源電極s1和s2和漏電極d1和d2可包括包含ti/al/ti的多層。

存儲(chǔ)電容器cst可包括位于不同層的下電極c1和上電極c2，其中，第一層間絕緣層105介入其間，并且可以彼此重疊。存儲(chǔ)電容器cst可以與第一薄膜晶體管t1重疊。

存儲(chǔ)電容器cst的下電極c1可以在與第一薄膜晶體管t1的柵電極g1相同的層，或者可以與第一薄膜晶體管t1的柵電極g1相同，并且可包括與柵電極g1的材料相同的材料。例如，第一薄膜晶體管t1的柵電極g1可以用作存儲(chǔ)電容器cst的下電極c1。

存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2在第一薄膜晶體管t1的柵電極g1、源電極s1和漏電極d1之間。上電極c2可包括包含mo、al、cu、ti等的導(dǎo)電材料，并且可包括包含以上材料的多層或者單層。根據(jù)實(shí)施方式，上電極c2可包括包含mo/al/mo的多層。

第一層間絕緣層105可包括包含氧化物或者氮化物的無機(jī)材料。例如，第一層間絕緣層105可包括siox、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

第二層間絕緣層107在存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2與源/漏電極s1、s2、d1、d2之間，并且包括包含氧化物或者氮化物的無機(jī)材料。例如，第二層間絕緣層107可包括siox、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

oled120可以位于平坦化層109的上方，并且可以通過使用介質(zhì)金屬(meditationmetal)ml與第一薄膜晶體管t1電連接。

平坦化層109可包括一般的聚合物，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚苯乙烯(ps)、具有酚基基團(tuán)的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亞胺基聚合物、芳基乙醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或這些的共混物。

oled120的像素電極121可以是(半)透明電極或者反射電極。(半)透明電極可包括，例如，氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)、氧化銦(in2o3)、氧化銦鎵(igo)、或者氧化鋅鋁(azo)。反射電極可包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr和/或其化合物的反射層，并且可以進(jìn)一步包括反射層上方的包含ito、izo、zno和/或in2o3的層。

oled120的中間層122包括發(fā)出例如紅光、綠光和/或藍(lán)光的有機(jī)發(fā)射層。在另一個(gè)實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)射層可以發(fā)出白光。中間層122可以進(jìn)一步包括空穴傳輸層(htl)、空穴注入層(hil)、電子傳輸層(etl)和/或電子注入層(eil)中的至少一個(gè)。

oled120的相對(duì)電極123可以是反射電極或者(半)透明電極。反射電極可包括例如，li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag和/或mg中的至少一種。(半)透明電極可包括包含li、ca、lif/ca、lif/al、al、ag、mg和/或其化合物的層，并且可以進(jìn)一步包括該層上方的包含(半)透明材料(諸如ito、izo、zno、in2o3)等的層。雖然未示出，覆蓋層可以額外在相對(duì)電極123上方。

如參考圖2至圖4描述的，沿著通孔th的輪廓(例如，圓周或者周長)彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2在第一非顯示區(qū)na1中。如上所述，因?yàn)閿?shù)據(jù)線dlj至dlj+2的各個(gè)交替位于不同層，有機(jī)鈍化層108介入其間，所以相鄰的數(shù)據(jù)線之間的節(jié)距可以減小，并且因此也可以減小第一非顯示區(qū)na1的面積。

有機(jī)鈍化層108可包括一般的聚合物，諸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)和聚苯乙烯(ps)、具有酚基基團(tuán)的聚合物衍生物、丙烯基聚合物、酰亞胺基聚合物、芳基乙醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、對(duì)二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物和/或這些的共混物。

壩114位于基板100的第一非顯示區(qū)na1中。壩114防止有機(jī)材料在形成薄膜封裝層130的有機(jī)層133的過程期間朝向通孔th流動(dòng)。

壩114可包括有機(jī)材料。根據(jù)實(shí)施方式，壩114可以通過形成有機(jī)鈍化層108、平坦化層109、像素限定層112，然后使這些層的堆疊結(jié)構(gòu)圖案化而形成。在壩114形成的同時(shí)，可以暴露第二層間絕緣層107的上表面的一部分。

薄膜封裝層130可以完全覆蓋基板100，并且可以具有其中無機(jī)層和有機(jī)層交替堆疊的結(jié)構(gòu)。根據(jù)實(shí)施方式，薄膜封裝層130可包括順次堆疊的第一無機(jī)層131、有機(jī)層133和第二無機(jī)層135。

第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135可包括金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、及其化合物。例如，第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135可包括al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2、siox、alon、aln、sion和/或si3n4中的至少一種無機(jī)材料。

有機(jī)層133可包括基于聚合物的材料?；诰酆衔锏牟牧系膶?shí)例包括丙烯基樹脂、環(huán)氧基樹脂、聚酰亞胺、聚乙烯等。有機(jī)層133可以減輕第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135的內(nèi)應(yīng)力，或者可以補(bǔ)足/校正第一無機(jī)層131和/或第二無機(jī)層135的缺陷，并且使第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135平坦化。

因?yàn)樵谛纬捎袡C(jī)層133的同時(shí)，壩114阻斷有機(jī)材料朝向通孔th的流動(dòng)，所以有機(jī)層133的端部可以位于壩114的內(nèi)側(cè)(例如，關(guān)于壩114在與通孔th相反的區(qū)域)。

第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135比有機(jī)層133朝向通孔th延伸的更遠(yuǎn)。第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135在壩114的外部(例如，在通孔th與壩114之間的區(qū)域)直接相互接觸，并且可以形成限定通孔th的側(cè)表面。第一無機(jī)層131和第二無機(jī)層135直接相互接觸的部分在下文中稱作接觸部分sa。

參考圖6和圖7，因?yàn)榈谝粺o機(jī)層131和第二無機(jī)層135在與通孔th相鄰的區(qū)域直接相互接觸，并且因?yàn)榈谝粺o機(jī)層131直接接觸包含無機(jī)材料的第二層間絕緣層107，所以可以減小或者防止?jié)駳庋刂@些層131和135之間的界面方向滲透。

平坦化層109包括有機(jī)材料，并且覆蓋位于第一非顯示區(qū)na1中的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2。平坦化層109(其為有機(jī)材料)，具有低隔濕性能。濕氣經(jīng)由上述接觸部分sa和接觸部分sa與第二層間絕緣層107之間的接觸結(jié)構(gòu)的滲透可能性減小。然而，如果濕氣經(jīng)由平坦化層109與接觸平坦化層109的層之間的界面滲透，那么數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可能被損壞。

為了減小或者排除該可能性，彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以在第一非顯示區(qū)na1中的壩114的內(nèi)側(cè)。數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以與通孔th隔開使得壩114和接觸部分sa位于彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間，因此可以更加減小濕氣滲透的可能。

圖8是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1b的一部分的截面圖。圖8的顯示設(shè)備1b與參考圖6和圖7描述的顯示設(shè)備1a的不同之處在于省略了在源/漏電極s1、s2、d1、d2和像素電極121之間的有機(jī)鈍化層108，并且彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的結(jié)構(gòu)和位置不同。為了便于描述，主要描述不同于參考圖6和圖7描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖8，沿著通孔th的輪廓/周長彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以在第一非顯示區(qū)na1中，并且來自數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的一些數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可以在平坦化層109上方，而數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的其他數(shù)據(jù)線dlj+1可以在平坦化層109的下方。像素限定層112可以覆蓋數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2。

根據(jù)實(shí)施方式，來自平坦化層109上方的彎曲的數(shù)據(jù)線的一些數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可包括第一層l1和第二層l2。

第一層l1可包括與介質(zhì)金屬ml相同的材料。第二層l2可包括與像素電極121相同的材料。第一層l1和第二層l2可分別包括不同的材料。

雖然本實(shí)施方式描述一些數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2包括兩層的情況，但是本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在另一個(gè)實(shí)施方式中，一些數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可僅包括第一層l1。

像素限定層112包括有機(jī)材料，并且覆蓋位于第一非顯示區(qū)na1中的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2。像素限定層112(其為有機(jī)材料)，具有低的隔濕性能。由于接觸部分sa，并且由于接觸部分sa與第二層間絕緣層107之間的接觸結(jié)構(gòu)導(dǎo)致濕氣滲透可能性減小。然而，如果濕氣經(jīng)由像素限定層112與接觸像素限定層112的層之間的界面滲透，那么數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可能被損壞。

為了減小或者排除該可能性，彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以在第一非顯示區(qū)na1中的壩114的內(nèi)側(cè)。數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以與通孔th隔開使得壩114和接觸部分sa位于彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間，因此可以更加減小濕氣滲透的可能性。

圖9是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1c的一部分的截面圖。與參考圖8描述的顯示設(shè)備1b相比較，顯示設(shè)備1c的一些數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2不同。為了便于描述，主要描述不同于參考圖8描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖9，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的位于平坦化層109上方的數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2在與像素電極121相同的層，并且包括與像素電極121相同的材料。因?yàn)橐恍?shù)據(jù)線dlj和dlj+2包括與像素電極121相同的材料，并且在與像素電極121相同的層，所以在制造過程期間可以減少掩模的數(shù)量。

圖10是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1d的一部分的截面圖。與參考圖6和圖7描述的顯示設(shè)備1a相比較，圖10的顯示設(shè)備1d與顯示設(shè)備1a的不同之處在于省略了位于源/漏電極s1、s2、d1、d2和像素電極121之間的有機(jī)鈍化層108，并且彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的結(jié)構(gòu)和位置不同。為了便于描述，主要描述不同于參考圖6和圖7描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖10，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的數(shù)據(jù)線dlj+1可以在與第一薄膜晶體管t1的源電極s1和漏電極d1相同的層，并且可包括與源電極s1和漏電極d1相同的材料。數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的其他數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可以在與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的層，并且可包括與上電極c2相同的材料。

因?yàn)橐恍?shù)據(jù)線dlj和dlj+2包括與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的材料，并且在與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的層，所以在制造過程期間可以減少掩模的數(shù)量。

圖11是示出了根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1e的一部分的平面圖，并且圖12是沿著圖11的線x-x截取的截面圖。與參考圖6和圖7描述的顯示設(shè)備1a相比較，圖11和圖12的顯示設(shè)備1e的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的位置不同。為了便于描述，主要描述不同于參考圖6和圖7描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖11和圖12，彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2交替位于不同層，但是位于顯示區(qū)da中而不是第一非顯示區(qū)na1中。

彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以將數(shù)據(jù)信號(hào)施加至被介入其間的通孔th沿著第二方向相互隔開的像素px1和px2。彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2可以與第三像素px3的像素電極121重疊。第三像素px3連接至數(shù)據(jù)線dlj+3并且從數(shù)據(jù)線dlj+3接收數(shù)據(jù)信號(hào)，數(shù)據(jù)線dlj+3與通孔th隔開并且沿著第二方向成直線延伸。連接至第三像素px3的數(shù)據(jù)線dlj+3位于與數(shù)據(jù)線dlj+1相同的層。

因?yàn)閺澢臄?shù)據(jù)線dlj至dlj+2和與通孔th隔開的數(shù)據(jù)線dlj+3相連接的第三像素px3的像素電極121重疊，壩114可以相對(duì)隔離地位于基板100的第一非顯示區(qū)na1中。因此，可以減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率或者相對(duì)尺寸。

圖13a是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1f的一部分的截面圖。與參考圖6和圖7描述的顯示設(shè)備1a相比較，圖13a的顯示設(shè)備1f進(jìn)一步包括覆蓋彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的無機(jī)鈍化層108a。而且，與接觸部分sa的關(guān)系不同。為了便于描述，主要描述不同于參考圖6和圖7描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖13a，無機(jī)鈍化層108a在基板100的上方以覆蓋彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2。無機(jī)鈍化層108a可包括包含氧化物或者氮化物的無機(jī)材料。例如，無機(jī)鈍化層108a可包括siox、sinx、sion、al2o3、tio2、ta2o5、hfo2、zno2等。

彎曲的數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2被無機(jī)鈍化層108a覆蓋同時(shí)直接接觸無機(jī)鈍化層108a。與平坦化層109(其為有機(jī)材料)相比較，包含無機(jī)材料的無機(jī)鈍化層108a具有優(yōu)良隔濕性能。因此，即使當(dāng)彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間的距離減小時(shí)，阻隔性能或者濕氣滲透防止性能也沒有劣化。在該情況下，可以在沒有劣化濕氣滲透防止性能的情況下減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率。

隨著彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間的距離減小，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的至少一個(gè)數(shù)據(jù)線dlj(或者其一部分)可以與壩114以及第一無機(jī)層131與第二無機(jī)層135之間的接觸部分sa重疊。

圖13b是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1f'的一部分的截面圖。與參考圖13a描述的顯示設(shè)備1f相比較，圖13b的顯示設(shè)備1f'的彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的結(jié)構(gòu)和位置不同，并且省去有機(jī)鈍化層108。為了便于描述，主要描述不同于參考圖13a描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖13b，數(shù)據(jù)線dlj+1可以在與第一薄膜晶體管t1的源電極s1和漏電極d1相同的層，并且可包括與第一薄膜晶體管t1的源電極s1和漏電極d1相同的材料。其他數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可以在與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的層，并且可包括與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的材料。因此，可以減少掩模的數(shù)量。

而且，因?yàn)闊o機(jī)鈍化層108a覆蓋彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2，如參考圖13a描述的，可以在沒有劣化濕氣滲透防止性能的情況下減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率，如上所述。

圖14a是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1g的一部分的截面圖。圖14a的顯示設(shè)備1g是圖13a的顯示設(shè)備1f的改進(jìn)實(shí)例，并且與圖13a的顯示設(shè)備1f的不同之處在于彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2被包含有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b而不是無機(jī)鈍化層108a覆蓋并且與其直接接觸。

包含有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b是包含丙烯、聚烯烴、聚酰亞胺(pi)、聚胺脂、聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(pbt)、聚醚砜(pes)等的有機(jī)層，并且具有其中有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子以這些有機(jī)層的自由體積形成的結(jié)構(gòu)。包含有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b可以通過形成有機(jī)層，并且然后通過執(zhí)行連續(xù)的氣相滲透工藝(vaporinfiltrationprocess)而形成。

彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2被包含有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b覆蓋，并且直接接觸鈍化層108b。當(dāng)與平坦化層109(其為有機(jī)材料)相比較時(shí)，包含有機(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b具有優(yōu)良隔濕性能。因此，即使當(dāng)彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間的距離減小時(shí)，濕氣滲透防止性能也得到保持。在該情況下，可以在沒有劣化濕氣滲透防止性能的情況下減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率。

隨著彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2與通孔th之間的距離減少，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的至少一個(gè)數(shù)據(jù)線dlj(或者其一部分)可以與壩114以及第一無機(jī)層131與第二無機(jī)層135之間的接觸部分sa重疊。

圖14b是示出根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1g'的一部分的截面圖。與參考圖14a描述的顯示設(shè)備1g相比較，圖14b的顯示設(shè)備1g'的彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的結(jié)構(gòu)和位置不同，并且省去有機(jī)鈍化層108。為了便于描述，主要描述不同于參考圖14a描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖14b，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的數(shù)據(jù)線dlj+1可以在與源電極s1和漏電極d1相同的層，并且可包括與源電極s1和漏電極d1相同的材料，并且彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2的其他數(shù)據(jù)線dlj和dlj+2可以在與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的層，并且可包括與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的材料。因此，可以減少掩模的數(shù)量。

而且，因?yàn)榘ㄓ袡C(jī)-無機(jī)復(fù)合粒子的鈍化層108b覆蓋彎曲的數(shù)據(jù)線dlj至dlj+2，如參考圖14a描述的，可以在沒有劣化上述的濕氣滲透防止性能的情況下減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的尺寸/占地率。

圖15a是描繪根據(jù)另一實(shí)施方式的顯示設(shè)備1h的一部分的平面圖，圖15b是描繪圖15a的一部分的平面圖，并且圖16是沿著圖15a的線xiv-xiv截取的截面圖。

圖15a、圖15b和圖16的顯示設(shè)備1h與參考圖3a、圖3b和圖4描述的顯示設(shè)備1的不同之處在于形成彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2中的每一個(gè)的部分位于不同層。為了便于描述，主要描述不同于參考圖3a、圖3b和圖4描述的實(shí)施方式的點(diǎn)。

參考圖15a、圖15b和圖16，彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2在不同層交替。然而，如在圖15b中示出的，形成一個(gè)數(shù)據(jù)線dlj的彎曲部分cp在與第一直線部分sp1和第二直線部分sp2不同的層。第一直線部分sp1經(jīng)由第一接觸孔cnt1與彎曲部分cp相連接，并且第二直線部分sp2經(jīng)由第二接觸孔cnt2與彎曲部分cp相連接。

彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2中的每一個(gè)的第一直線部分sp1和第二直線部分sp2可以在有機(jī)鈍化層108的上方和下方。根據(jù)實(shí)施方式，數(shù)據(jù)線dlj-2和dlj+1中的每一個(gè)的第一直線部分sp1和第二直線部分sp2可以在與位于有機(jī)鈍化層108下方的源電極s1、s2和漏電極d1、d2相同的層。其他數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1、dlj和dlj+2的第一直線部分sp1和第二直線部分sp2可以在像素電極121與位于有機(jī)鈍化層108上方的源電極s1、s2和漏電極d1、d2之間的層。

同時(shí)，如在圖16中示出的，數(shù)據(jù)線dlj-2和dlj+1的彎曲部分cp可以在與存儲(chǔ)電容器cst的下電極c1相同的層，并且其他數(shù)據(jù)線dlj-3、dlj-1、dlj和dlj+2中的每一個(gè)的彎曲部分cp可以在與存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2相同的層。

如在圖16中示出的，在彎曲部分cp在存儲(chǔ)電容器cst的上電極c2和下電極c1所在的層中交替的情況下，相關(guān)的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2被第二層間絕緣層107(其為無機(jī)層)覆蓋，同時(shí)直接接觸第二層間絕緣層107。第二層間絕緣層107，其為無機(jī)層，具有優(yōu)良隔濕性能。因此，即使當(dāng)彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2與通孔th之間的間隔距離減小時(shí)，濕氣滲透防止性能也得到保持。在該情況下，可以在沒有劣化濕氣滲透防止性能的情況下減小第一非顯示區(qū)na1在基板100中的占地率。

在實(shí)施方式中，來自彎曲的數(shù)據(jù)線dlj-3至dlj+2的至少部分?jǐn)?shù)據(jù)線dlj-2、dlj-1、dlj、dlj+2可以與壩114和接觸部分sa重疊。

圖17a至圖17c是示出了具有根據(jù)實(shí)施方式的顯示設(shè)備的電子裝置的視圖。

參考圖17a，根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備可以設(shè)置至移動(dòng)電話1000。根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素陣列可以形成移動(dòng)電話1000的顯示器1100，并且部件1200(諸如相機(jī))可以位于通孔th內(nèi)部。

通孔th的位置不限于在圖17a中示出的位置。例如，在另一個(gè)實(shí)施方式中，通孔th可以形成在移動(dòng)電話1000的顯示器的中下部中。在該情況下，按鈕可以位于通孔th內(nèi)部。

參考圖17b，根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備可以設(shè)置至智能腕表2000。根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素陣列可以形成智能腕表2000的顯示器2100，并且驅(qū)動(dòng)部件du(其可包括分針和時(shí)針)可以位于通孔th內(nèi)部。

參考圖17c，根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備可以設(shè)置至車輛的儀表板3000。根據(jù)以上實(shí)施方式的顯示設(shè)備的像素陣列可以形成車輛的儀表板3000的顯示器3100，并且通孔th可以設(shè)置多個(gè)。

根據(jù)實(shí)施方式，包括指示每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)(rpm)的指針的第一驅(qū)動(dòng)部件du1，和包括指示速率的指針的第二驅(qū)動(dòng)部件du2可以分別設(shè)置至通孔th。

雖然已參考在附圖中示出的示例性實(shí)施方式描述了本發(fā)明構(gòu)思，但是這些僅出于示例性的目的提供，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)理解可以是在其中做出各種修改及其他等效的實(shí)施方式。因此，本發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍應(yīng)由權(quán)利要求和它們的功能等同物限定。