本公開涉及顯示裝置及其制造方法。更具體地，本公開涉及一種用于防止由于劃片(scribing)工序中產(chǎn)生的裂紋而導(dǎo)致的濕氣滲透的顯示裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

最近已開發(fā)了可以代替在重量和體積方面不利的陰極射線管顯示器(crt)的各種顯示裝置。這些顯示裝置的示例包括液晶顯示器(lcd)、場發(fā)射顯示器(fed)、等離子體顯示面板(pdp)以及有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器。oled顯示器是被配置為通過激發(fā)有機(jī)化合物而發(fā)出光的自發(fā)光顯示裝置。oled顯示器不需要液晶顯示器中所使用的背光單元，并因此能夠?qū)崿F(xiàn)外形薄且重量輕的特性并且使制造工序簡化。oled顯示器也能夠在低溫度下被制造，并且具有1ms或更小的快速響應(yīng)時間、低功耗、寬視角和高對比度的特性。

oled顯示器在用作陽極的第一電極與用作陰極的第二電極之間包括由有機(jī)材料形成的發(fā)光層。oled顯示器通過在發(fā)光層內(nèi)部使從第一電極接收到的空穴與從第二電極接收到的電子結(jié)合而形成空穴-電子對激子，并且通過在激子返回到地電平時產(chǎn)生的能量來發(fā)出光。

多個單元被制造在母基板上，并且通過用于單獨(dú)地使所述多個單元分開的劃片工序被制造為單獨(dú)的oled顯示器。劃片工序使用切割輪或激光來執(zhí)行。多個無機(jī)層被布置在使用輪或激光切割的oled顯示器的區(qū)域中。當(dāng)執(zhí)行使用切割輪或激光的切割工序時，在多個無機(jī)層中產(chǎn)生裂紋。這些裂紋可能變成濕氣滲透路徑。因此，易受濕氣影響的發(fā)光層劣化。結(jié)果，oled顯示器的壽命減少并且可靠性降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本公開提供了一種能夠通過阻擋由于在劃片工序中產(chǎn)生的無機(jī)層的裂紋而形成的濕氣滲透路徑來提高壽命和可靠性的顯示裝置及其制造方法。

在一個方面，提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基板，該基板包括具有多個子像素的顯示區(qū)域以及在該顯示區(qū)域周圍的邊框區(qū)域；以及至少一個絕緣層，所述至少一個絕緣層位于所述基板上并且具有抑制裂紋在所述邊框區(qū)域中傳播的通孔。

所述通孔被配置為阻止?jié)駳鉂B透通過所述裂紋。

所述顯示裝置還包括位于所述至少一個絕緣層上的鈍化層，該鈍化層覆蓋所述通孔并且包括被配置為阻止?jié)駳鈴乃鲲@示裝置的邊緣滲透的一個或更多個開口。

所述至少一個絕緣層包括第一緩沖層、第二緩沖層、柵極絕緣層、第一層間介質(zhì)層和第二層間介質(zhì)層中的至少一個。

所述通孔穿過所述第二緩沖層、所述柵極絕緣層、所述第一層間介質(zhì)層和所述第二層間介質(zhì)層。

所述鈍化層通過所述通孔與所述第一緩沖層接觸。

所述通孔包圍所述顯示區(qū)域。

所述一個或更多個開口與所述通孔分開。

所述一個或更多個開口包圍所述顯示區(qū)域，并且與所述通孔平行地設(shè)置。

所述一個或更多個開口和所述通孔被交替地設(shè)置。

所述一個或更多個開口和所述通孔從平面的角度來看具有環(huán)形狀。

每個子像素包括屏蔽層、位于該屏蔽層上的半導(dǎo)體層、位于該半導(dǎo)體層上的第一柵極、位于該第一柵極上的第二柵極、與所述半導(dǎo)體層和所述屏蔽層連接的源極以及與所述半導(dǎo)體層連接的漏極。

在另一方面，提供了一種用于制造顯示裝置的方法，該方法包括以下步驟：在具有顯示區(qū)域和邊框區(qū)域的基板上堆疊至少一個無機(jī)絕緣層；以及在所述邊框區(qū)域中的所述至少一個無機(jī)絕緣層上形成被配置為抑制裂紋在所述邊框區(qū)域中傳播的通孔。

所述用于制造顯示裝置的方法還包括以下步驟：利用具有一個或更多個開口區(qū)域的鈍化層來覆蓋所述至少一個無機(jī)絕緣層。

堆疊所述至少一個無機(jī)絕緣層的步驟包括以下步驟：在所述基板上形成第一緩沖層；在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層；在位于所述第二緩沖層上的半導(dǎo)體層上形成柵極絕緣層；在位于所述柵極絕緣層上的第一柵極上形成第一層間介質(zhì)層；以及在位于所述第一層間介質(zhì)層上的第二柵極上形成第二層間介質(zhì)層。

形成所述通孔的步驟包括以下步驟：對所述第二緩沖層、所述柵極絕緣層、所述第一層間介質(zhì)層和所述第二層間介質(zhì)層中的至少一個進(jìn)行蝕刻，以形成使所述邊框區(qū)域的所述第一緩沖層暴露的所述通孔。

所述用于制造顯示裝置的方法還包括以下步驟：對所述顯示區(qū)域的所述第二緩沖層、所述柵極絕緣層、所述第一層間介質(zhì)層和所述第二層間介質(zhì)層中的至少一個進(jìn)行蝕刻，以形成使所述半導(dǎo)體層和所述第二柵極暴露的接觸孔。

所述用于制造顯示裝置的方法還包括以下步驟：對所述鈍化層進(jìn)行蝕刻以在所述鈍化層中形成所述一個或更多個開口區(qū)域。

在另一方面中，提供了一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括：基板，該基板具有顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域；以及裂紋防止圖案，該裂紋防止圖案形成在所述非顯示區(qū)域中并且包圍所述顯示區(qū)域，所述裂紋防止圖案包括所述非顯示區(qū)域處的一個或更多個絕緣層中的一個或更多個不連續(xù)部分。

所述不連續(xù)部分由所述非顯示區(qū)域處的所述一個或更多個絕緣層中的壁和間隙構(gòu)成。

所述顯示設(shè)備還包括覆蓋所述壁中的一個或更多個并且填充在所述間隙內(nèi)的鈍化層，并且所述鈍化層具有與所述裂紋防止圖案的所述間隙不交疊的一個或更多個開口。

附圖說明

附圖被包括進(jìn)來以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且被并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分，附圖例示了本發(fā)明的實(shí)施方式，并且與本說明書一起用來說明本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器的示意框圖；

圖2例示了子像素的電路配置的第一示例；

圖3例示了子像素的電路配置的第二示例；

圖4是oled顯示器的平面圖；

圖5是oled顯示器的子像素的截面圖；

圖6是oled顯示器的母基板的平面圖；

圖7是沿著圖6的線i-i’截取的截面圖；

圖8是沿著圖4的ii-ii’截取的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖；

圖9是oled顯示器的平面圖；

圖10和圖11是沿著圖4的ii-ii’截取的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖；

圖12是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖；以及

圖13、圖14、圖15、圖16、圖17和圖18是依次例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造oled顯示器的方法中的階段中的每一個的截面圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將詳細(xì)地參照本發(fā)明的實(shí)施方式，其示例被例示在附圖中。只要可能，相同的附圖標(biāo)記將在整個附圖中用于指代相同或相似的部分。應(yīng)當(dāng)注意的是，如果確定了技術(shù)可能誤導(dǎo)本發(fā)明的實(shí)施方式，則將省去對已知技術(shù)的詳細(xì)描述。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置是顯示元件形成在柔性基板上的顯示裝置。該顯示裝置的示例包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器、液晶顯示器(lcd)和電泳顯示器。本發(fā)明的實(shí)施方式使用oled顯示器作為顯示裝置的示例來描述。oled顯示器包括在用作陽極的第一電極與用作陰極的第二電極之間的由有機(jī)材料形成的發(fā)光層。oled顯示器是被配置為通過在發(fā)光層內(nèi)部使從第一電極接收到的空穴與從第二電極接收到的電子結(jié)合而形成空穴-電子對激子并且通過在激子返回到地電平時產(chǎn)生的能量來發(fā)出光的自發(fā)光顯示裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器可以使用玻璃基板以及塑料基板。

下面參照圖1、圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9、圖10、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17和圖18對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行描述。

圖1是有機(jī)發(fā)光二極管(oled)顯示器的示意框圖。圖2例示了子像素的電路配置的第一示例。圖3例示了子像素的電路配置的第二示例。圖4是oled顯示器的平面圖。圖5是oled顯示器的子像素的截面圖。

參照圖1，oled顯示器包括圖像處理單元10、定時控制器20、數(shù)據(jù)驅(qū)動器30、選通驅(qū)動器40和顯示面板50。

圖像處理單元10輸出從外部供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號data和數(shù)據(jù)使能信號de。圖像處理單元10除了可以輸出數(shù)據(jù)使能信號de之外，還可以輸出垂直同步信號、水平同步信號和時鐘信號中的一個或更多個。然而，為了簡潔起見和易于閱讀，未示出這些信號。圖像處理單元10按照集成電路(ic)形式形成在系統(tǒng)電路板上。

定時控制器20從圖像處理單元10接收數(shù)據(jù)信號data以及包括數(shù)據(jù)使能信號de或者垂直同步信號、水平同步信號、時鐘信號等的驅(qū)動信號。

定時控制器20基于驅(qū)動信號來輸出用于控制選通驅(qū)動器40的操作定時的選通定時控制信號gdc以及用于控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器30的操作定時的數(shù)據(jù)定時控制信號ddc。定時控制器20按照集成電路(ic)形式形成在控制電路板上。

數(shù)據(jù)驅(qū)動器30響應(yīng)于從定時控制器20供應(yīng)的數(shù)據(jù)定時控制信號ddc而對從定時控制器20接收到的數(shù)據(jù)信號data進(jìn)行采樣和鎖存，并且將經(jīng)采樣和鎖存的數(shù)據(jù)信號data轉(zhuǎn)換成伽瑪基準(zhǔn)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器30然后輸出該伽瑪基準(zhǔn)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器30通過數(shù)據(jù)線dl1至dln來輸出數(shù)據(jù)信號data。數(shù)據(jù)驅(qū)動器30按照ic形式附接到板。

選通驅(qū)動器40響應(yīng)于從定時控制器20供應(yīng)的選通定時控制信號gdc而在使選通電壓的電平移位的同時輸出選通信號。選通驅(qū)動器40通過選通線gl1至glm來輸出選通信號。選通驅(qū)動器40按照ic形式形成在選通電路板上或者按照面板內(nèi)選通(gip)方式形成在顯示面板50上。

顯示面板50響應(yīng)于分別從數(shù)據(jù)驅(qū)動器30和選通驅(qū)動器40接收到的數(shù)據(jù)信號data和選通信號而顯示圖像。顯示面板50包括顯示圖像的子像素sp。

參照圖2，每個子像素包括開關(guān)晶體管sw、驅(qū)動晶體管dr、電容器cst、補(bǔ)償電路cc和有機(jī)發(fā)光二極管(oled)。oled操作以基于由驅(qū)動晶體管dr產(chǎn)生的驅(qū)動電流而發(fā)出光。

開關(guān)晶體管sw執(zhí)行開關(guān)操作，使得響應(yīng)于通過第一選通線gl1供應(yīng)的選通信號而將通過第一數(shù)據(jù)線dl1供應(yīng)的數(shù)據(jù)信號作為數(shù)據(jù)電壓存儲在電容器cst中。驅(qū)動晶體管dr按照使得驅(qū)動電流基于存儲在電容器cst中的數(shù)據(jù)電壓而在高電位電力線vdd與低電位電力線gnd之間流動的方式進(jìn)行操作。補(bǔ)償電路cc是用于對驅(qū)動晶體管dr的閾值電壓進(jìn)行補(bǔ)償?shù)碾娐?。可以將連接到開關(guān)晶體管sw或驅(qū)動晶體管dr的電容器cst安裝在補(bǔ)償電路cc內(nèi)部。

補(bǔ)償電路cc包括一個或更多個薄膜晶體管(tft)和電容器。可以根據(jù)補(bǔ)償方法不同地改變補(bǔ)償電路cc的配置。可以簡要地做出其詳細(xì)描述或者可以完全省去其詳細(xì)描述。

如圖3中所示，包括補(bǔ)償電路cc的子像素還包括用于驅(qū)動補(bǔ)償tft并且供應(yīng)預(yù)定信號或電力的信號線和電力線。所添加的信號線可以被定義為用于驅(qū)動包括在子像素中的補(bǔ)償tft的1-2選通線gl1b。所添加的電力線可以被定義為用于以預(yù)定電壓使子像素的預(yù)定節(jié)點(diǎn)初始化的初始化電力線init。然而，這僅僅是示例，并且本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。在圖3中，“gl1a”是用于驅(qū)動開關(guān)晶體管sw的1-1選通線。

作為示例，圖2和圖3例示了一個子像素包括補(bǔ)償電路cc。然而，當(dāng)要補(bǔ)償?shù)膶ο?例如，數(shù)據(jù)驅(qū)動器30)被設(shè)置在子像素外部時，可以省去補(bǔ)償電路cc。子像素基本上具有包括開關(guān)晶體管sw、驅(qū)動晶體管dr、電容器和oled的2t(晶體管)1c(電容器)的配置。然而，當(dāng)補(bǔ)償電路cc被添加到子像素時，子像素可以具有3t1c、4t2c、5t2c、6t2c、7t2c等的各種配置。

作為示例，圖2和圖3例示了補(bǔ)償電路cc被設(shè)置在開關(guān)晶體管sw與驅(qū)動晶體管dr之間。然而，還可以將補(bǔ)償電路cc設(shè)置在驅(qū)動晶體管dr與oled之間。補(bǔ)償電路cc的位置和結(jié)構(gòu)不限于圖2和圖3。

參照圖4，oled顯示器的顯示面板包括基板110、顯示區(qū)域dp和非顯示區(qū)域ndp。多個子像素sp被布置在顯示區(qū)域dp中。顯示區(qū)域dp中的紅色(r)、綠色(g)和藍(lán)色(b)子像素或者紅色(r)、綠色(g)、藍(lán)色(b)和白色(w)子像素發(fā)出光并且實(shí)現(xiàn)填充顏色。非顯示區(qū)域ndp占據(jù)基板110的除了顯示區(qū)域dp之外的剩余區(qū)域。多條信號線被布置在顯示區(qū)域dp周圍，并且數(shù)據(jù)驅(qū)動器60被設(shè)置在顯示區(qū)域dp的一面上。

下面參照圖5描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器100的子像素sp的截面結(jié)構(gòu)。

參照圖5，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器100中，第一緩沖層112被設(shè)置在基板110上。基板110由玻璃、塑料或金屬等制成。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，基板110可以由塑料制成，并且更具體地，可以是聚酰亞胺基板。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的基板110具有柔性特性。第一緩沖層112保護(hù)后續(xù)工序中形成的tft不受雜質(zhì)(例如，從基板110排出的堿離子)的影響。第一緩沖層112可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或其多層。

屏蔽層114被設(shè)置在第一緩沖層112上。屏蔽層114防止可以通過使用聚酰亞胺基板110來產(chǎn)生的面板驅(qū)動電流的減小。第二緩沖層116被設(shè)置在屏蔽層114上。第二緩沖層116保護(hù)后續(xù)工序中形成的tft不受雜質(zhì)(例如，從屏蔽層114排出的堿離子)的影響。第二緩沖層116可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或其多層。

半導(dǎo)體層120被設(shè)置在第二緩沖層116上。半導(dǎo)體層120可以由硅半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成。硅半導(dǎo)體可以包括非晶硅或晶化多晶硅。多晶硅具有高遷移率(例如，100cm²/vs或更大)、低能耗和極好的可靠性，并因此可以被應(yīng)用于驅(qū)動元件中使用的選通驅(qū)動器和/或復(fù)用器(mux)或者應(yīng)用于oled顯示器100的每個像素的驅(qū)動tft。因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體具有低截止電流，所以氧化物半導(dǎo)體適合于具有短導(dǎo)通時間和長截止時間的開關(guān)tft。此外，因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體由于低截止電流而使像素的電壓保持時間增加，所以氧化物半導(dǎo)體適合于需要慢驅(qū)動和/或低功耗的顯示裝置。半導(dǎo)體層120包括各自包括p型或n型雜質(zhì)的漏極區(qū)域123和源極區(qū)域124以及位于漏極區(qū)域123與源極區(qū)域124之間的溝道121。半導(dǎo)體層120還包括與溝道121相鄰的位于漏極區(qū)域123與源極區(qū)域124之間的輕摻雜區(qū)域122。

柵極絕緣層gi被設(shè)置在半導(dǎo)體層120上。柵極絕緣層gi可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或其多層。第一柵極130被設(shè)置在半導(dǎo)體層120的預(yù)定區(qū)域中的柵極絕緣層gi上，即，在當(dāng)雜質(zhì)被注入時與溝道121對應(yīng)的位置處。第一柵極130用作驅(qū)動晶體管dr的柵極。第一柵極130由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或其組合構(gòu)成的組中選擇的一種形成。此外，第一柵極130可以是由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或其組合構(gòu)成的組中選擇的一種所形成的多層。例如，第一柵極130可以被形成為mo/al-nd或mo/al的雙層。

第一層間介質(zhì)層ild1被設(shè)置在第一柵極130上以使第一柵極130絕緣。第一層間介質(zhì)層ild1可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或其多層。第二柵極135被設(shè)置在第一層間介質(zhì)層ild1上。第二柵極135是與第一柵極130一起形成電容器的電容器電極并且不用作驅(qū)動晶體管dr的柵極。第二層間介質(zhì)層ild2被設(shè)置在第二柵極135上以使第二柵極135絕緣。

第一接觸孔ch1被設(shè)置在第二層間絕緣層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1、柵極絕緣層gi和第二緩沖層116中的每一個的一部分中，以使屏蔽層114的一部分暴露。第二接觸孔ch2和第三接觸孔ch3被設(shè)置在第二層間絕緣層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1和柵極絕緣層gi中的每一個的一部分中，以使半導(dǎo)體層120的一部分暴露。更具體地，第二接觸孔ch2使半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123暴露，并且第三接觸孔ch3使半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124暴露。第四接觸孔ch4被設(shè)置在第二層間介質(zhì)層ild2的一部分中，以使第二柵極135暴露。

漏極140和源極145被設(shè)置在第二層間介質(zhì)層ild2上。漏極140通過使半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123暴露的第二接觸孔ch2連接到半導(dǎo)體層120。源極145通過使半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124暴露的第三接觸孔ch3連接到半導(dǎo)體層120。此外，源極145通過穿過第二層間介質(zhì)層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1、柵極絕緣層gi和第二緩沖層116并且使屏蔽層114暴露的第一接觸孔ch1連接到屏蔽層114。源極145通過第四接觸孔ch4連接到第二柵極135。漏極140和源極145中的每一個可以被形成為單層或多層。當(dāng)漏極140和源極145中的每一個被形成為單層時，漏極140和源極145中的每一個可以由從由鉬(mo)、鋁(al)、鉻(cr)、金(au)、鈦(ti)、鎳(ni)、釹(nd)和銅(cu)或其組合構(gòu)成的組中選擇的一種形成。當(dāng)漏極140和源極145中的每一個被形成為多層時，漏極140和源極145中的每一個可以被形成為mo/al-nd的雙層或者ti/al/ti、mo/al/mo或mo/al-nd/mo的三層。

因此，包括半導(dǎo)體層120、第一柵極130、漏極140和源極145的驅(qū)動晶體管dr被形成。

鈍化層pas被設(shè)置在包括驅(qū)動晶體管dr的基板110上。鈍化層pas是保護(hù)位于鈍化層pas之下的元件的絕緣層。鈍化層pas可以是硅氧化物(siox)層、硅氮化物(sinx)層或其多層。平整層pln被設(shè)置在鈍化層pas上。平整層pln可以是用于減小底層結(jié)構(gòu)的高度差的平整層。平整層pln可以由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯基樹脂和丙烯酸酯這樣的有機(jī)材料形成。可以通過用于涂覆液體狀態(tài)下的有機(jī)材料并且接著使該有機(jī)材料固化的旋涂玻璃(sog)方法來形成平整層pln。

第五接觸孔ch5被設(shè)置在平整層pln的一部分中，以使源極145暴露。第一電極160被設(shè)置在平整層pln上。第一電極160用作像素電極，并且通過第五接觸孔ch5連接到驅(qū)動晶體管dr的源極145。第一電極160是陽極，并且可以由諸如銦錫氧化物(ito)、銦鋅氧化物(izo)和氧化鋅(zno)這樣的透明導(dǎo)電材料形成。當(dāng)?shù)谝浑姌O160是反射電極時，第一電極160還包括反射層。反射層可以由鋁(al)、銅(cu)、銀(ag)、鎳(ni)、pd(鈀)或其組合形成。反射層可以由ag/pd/cu(apc)合金形成。

岸層bnk被設(shè)置在包括第一電極160的基板110上，以劃分像素。岸層bnk可以由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯基樹脂和丙烯酸酯這樣的有機(jī)材料形成。岸層bnk包括使第一電極160暴露的像素限定部分op。與第一電極160接觸的發(fā)光層170被設(shè)置在岸層bnk的像素限定部分op上。發(fā)光層170是電子和空穴結(jié)合并發(fā)出光的層?？昭ㄗ⑷雽踊蚩昭▊鬏攲涌梢员辉O(shè)置在發(fā)光層170與第一電極160之間，并且電子注入層或電子傳輸層可以被設(shè)置在發(fā)光層170上。

第二電子180被設(shè)置在發(fā)光層170上。第二電極180被設(shè)置在基板110的前表面上。第二電極180是陰極，并且可以由各自具有低功函數(shù)的鎂(mg)、鈣(ca)、鋁(al)、銀(ag)或其組合形成。當(dāng)?shù)诙姌O180是透射電極時，第二電極180足夠薄以透射光。當(dāng)?shù)诙姌O180是反射電極時，第二電極180足夠厚以反射光。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器具有隨著在劃片工序中在無機(jī)層中產(chǎn)生的裂紋用作濕氣滲透路徑而導(dǎo)致裝置劣化的問題。

圖6是oled顯示器的母基板的平面圖。圖7是沿著圖6的線i-i’截取的截面圖。

參照圖6，第一單元c1和第二單元c2形成在母基板gla上。為了簡潔起見和易于閱讀，圖6僅示出了兩個單元。然而，可以在母基板gla上形成多個單元。上面形成有第一單元c1和第二單元c2的母基板gla被沿著劃片線sl劃片，并因此第一單元c1和第二單元c2彼此分開。分開后的第一單元c1和第二單元c2中的每一個被形成為oled顯示器。

參照圖7，多個層被堆疊在母基板gla的劃片線sl上。例如，犧牲層sac被設(shè)置在母基板gla上，基板110被設(shè)置在犧牲層sac上，并且第一緩沖層112和第二緩沖層116被設(shè)置在基板110上。此外，柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1和第二層間介質(zhì)層ild2被設(shè)置在第二緩沖層116上，并且鈍化層pas被設(shè)置在第二層間介質(zhì)層ild2上。

這些層(例如，布置在母基板gla的劃片線sl上的第一緩沖層112、第二緩沖層116、柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1、第二層間介質(zhì)層ild2和鈍化層pas)被形成為無機(jī)絕緣層。因此，可以通過用于單元分開的劃片工序中所使用的切割輪或激光在無機(jī)絕緣層中產(chǎn)生裂紋。

因此，即使裂紋在無機(jī)絕緣層中產(chǎn)生并傳播，本發(fā)明的實(shí)施方式也能夠防止裂紋用作濕氣滲透路徑。

<第一實(shí)施方式>

圖8是沿著圖4的ii-ii’截取的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖。圖9是oled顯示器的平面圖。圖10和圖11是沿著圖4的ii-ii’截取的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖。

參照圖8，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器100中，第一緩沖層112被設(shè)置在基板110上，并且第二緩沖層116被設(shè)置在第一緩沖層112上。柵極絕緣層gi被設(shè)置在第二緩沖層116上，并且第一層間介質(zhì)層ild1和第二層間介質(zhì)層ild2被依次設(shè)置在柵極絕緣層gi上。

鈍化層pas被設(shè)置在第二層間介質(zhì)層ild2上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈍化層pas通過至少一個通孔與第一緩沖層112接觸。更具體地，鈍化層pas通過穿透第二緩沖層116、柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1和第二層間介質(zhì)層ild2而形成的第一通孔via1和第二通孔via2與第一緩沖層112接觸。第一通孔via1和第二通孔via2是通過依次穿透第二緩沖層116、柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1和第二層間介質(zhì)層ild2而形成的通孔，并且使鈍化層pas與第一緩沖層112接觸。

通過第一通孔via1和第二通孔via2與第一緩沖層112接觸的鈍化層pas用作當(dāng)在第二緩沖層116、柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1和/或第二層間介質(zhì)層ild2中產(chǎn)生裂紋時抑制濕氣滲透的阻擋物。本發(fā)明的實(shí)施方式例示并描述了總共兩個通孔via1和via2，但是不限于此。例如，可以使用一個或更多個通孔，并且可以使用多個通孔，只要使邊框區(qū)域的大小保持最小即可。

根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈍化層pas包括與基板110的邊框區(qū)域bp相鄰的至少一個開口。因?yàn)殁g化層pas被設(shè)置在基板110的前表面上，所以當(dāng)在鈍化層pas中產(chǎn)生裂紋時鈍化層pas可以創(chuàng)建濕氣的滲透路徑。因此，本發(fā)明的實(shí)施方式采用開口、間隙或不連續(xù)圖案以用于阻止、分離或者切斷鈍化層pas的連續(xù)形成，以便阻礙鈍化層pas創(chuàng)建不希望的濕氣滲透路徑。

更具體地，鈍化層pas包括第一開口(或間隙)pah1和第二開口(或間隙)pah2。第一開口pah1和第二開口pah2通過部分地去除鈍化層pas而形成，并且使鈍化層pas下面的第二層間介質(zhì)層ild2暴露。第一開口pah1和第二開口pah2從平面的角度來看可以具有環(huán)形狀，使得顯示區(qū)域dp被包圍。作為示例，圖8示出了矩形環(huán)形狀的第一開口pah1和第二開口pah2。第一開口pah1和第二開口pah2可以根據(jù)顯示區(qū)域dp的形狀而具有包括圓、橢圓等在內(nèi)的各種形狀。本發(fā)明的實(shí)施方式例示并描述了總共兩個開口pah1和pah2，但是不限于此。例如，可以使用一個或更多個開口，并且可以使用多個開口，只要考慮邊框區(qū)域的大小即可。

參照圖9，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一通孔via1和第二通孔via2各自具有包圍顯示區(qū)域dp的平面環(huán)形狀。因此，填充在第一通孔via1和第二通孔via2中的鈍化層pas能夠阻止?jié)駳鈴娘@示裝置的邊緣滲透。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一開口pah1和第二開口pah2各自具有包圍顯示區(qū)域dp中的大多數(shù)或全部的包圍形狀。因此，第一開口pah1和第二開口pah2能夠有效地阻止?jié)駳庋刂g化層pas的裂紋從顯示裝置的邊緣滲透。通孔(via1和via2)可以被設(shè)置為與開口(pah1和pah2)分開。也就是說，通孔(via1和via2)可以在垂直方向上不與開口(pah1和pah2)交疊。

參照圖10，可以通過對第一緩沖層112的一部分進(jìn)行蝕刻在第一緩沖層112內(nèi)部形成根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的第一通孔(或間隙)via1和第二通孔(或間隙)via2。本發(fā)明的實(shí)施方式能夠通過對第一緩沖層112的內(nèi)部進(jìn)行蝕刻以使得第二緩沖層116在用于對第一通孔via1和第二通孔via2進(jìn)行蝕刻的工序中被完全蝕刻來阻止?jié)駳庋刂诙彌_層116的裂紋滲透。

參照圖11，本發(fā)明的實(shí)施方式可以包括一個通孔via1和一個開口pah1。本發(fā)明的實(shí)施方式能夠通過增加通孔via1的大小和/或開口pah1的大小來改進(jìn)濕氣的滲透路徑的阻止效果。

<第二實(shí)施方式>

圖12是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的oled顯示器的邊框區(qū)域的截面圖。

參照圖12，鈍化層pas被設(shè)置在第二層間介質(zhì)層ild2上。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈍化層pas通過穿透第二緩沖層116、柵極絕緣層gi、第一層間介質(zhì)層ild1和第二層間介質(zhì)層ild2而形成的第一通孔via1和第二通孔via2與第一緩沖層112接觸。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的鈍化層pas可以包含包括有第一開口pah1、第二開口pah2和第三開口pah3的三個開口，所述三個開口通過部分地去除鈍化層pas而形成并且使鈍化層pas下面的第二層間介質(zhì)層ild2暴露。

在本發(fā)明的第二實(shí)施方式中，可以交替地設(shè)置通孔和開口。更具體地，第一通孔via1可以被設(shè)置為與第一開口pah1相鄰，第二開口pah2可以被設(shè)置為與第一通孔via1相鄰，第二通孔via2可以被設(shè)置為與第二開口pah2相鄰，并且第三開口pah3可以被設(shè)置為與第二通孔via2相鄰。

第一開口pah1至第三開口pah3以及第一通孔via1和第二通孔via2的交替結(jié)構(gòu)能夠通過在開口的工藝余量之間形成通孔來防止邊框區(qū)域的大小的增加。

本發(fā)明的實(shí)施方式例示并描述了三個開口pah1、pah2和pah3以及兩個通孔via1和via2的交替結(jié)構(gòu)，但是不限于此。例如，可以交替地布置兩個開口和一個通孔，或者可以交替地布置兩個通孔和一個開口。

下面描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造oled顯示器的方法。

圖13、圖14、圖15、圖16、圖17和圖18是依次例示了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的用于制造oled顯示器的方法中的階段中的每一個的截面圖。

參照圖13，犧牲層sac被設(shè)置在母基板gla上。母基板gla由玻璃制成并且用來支承母基板gla上的結(jié)構(gòu)。犧牲層sac受熱而膨脹并且使得塑料基板能夠從母基板gla釋放。

可以在犧牲層sac上涂覆聚酰亞胺以形成基板110。第一緩沖層112形成在基板110上。不透明材料被堆疊在第一緩沖層112上并且使用第一掩模被構(gòu)圖以形成屏蔽層114。隨后，第二緩沖層116形成在上面形成有屏蔽層114的基板110上。硅半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體被堆疊在第二緩沖層116上并且使用第二掩模被構(gòu)圖以形成半導(dǎo)體層120。

接下來，參照圖14，柵極絕緣層gi形成在半導(dǎo)體層120上。金屬材料被堆疊在柵極絕緣層gi上并且使用第三掩模被構(gòu)圖以形成第一柵極130。隨后，n型雜質(zhì)被輕摻雜在基板110的前表面上以對半導(dǎo)體層120進(jìn)行摻雜。在這種情況下，半導(dǎo)體層120的除了第一柵極130的下部之外的剩余部分使用半導(dǎo)體層120上的第一柵極130作為掩模被摻雜。

接下來，n型雜質(zhì)被重?fù)诫s在基板110的前表面上以對半導(dǎo)體層120進(jìn)行摻雜。在這種情況下，半導(dǎo)體層120的預(yù)定區(qū)域使用第四掩模來掩蓋并且被摻雜以在半導(dǎo)體層120中形成溝道121、輕摻雜區(qū)域122、漏極區(qū)域123和源極區(qū)域124。

隨后，第一層間介質(zhì)層ild1形成在第一柵極130上。金屬材料被堆疊在第一層間介質(zhì)層ild1上并且使用第五掩模被構(gòu)圖以形成第二柵極135。第一柵極130和第二柵極135被形成為彼此交疊，并且可以形成電容。隨后，第二層間介質(zhì)層ild2形成在上面形成有第二柵極135的基板110上。

接下來，參照圖15，光刻膠被涂覆到第二層間介質(zhì)層ild2，并且使用第六掩模來對第二層間介質(zhì)層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1、柵極絕緣層gi和第二緩沖層116進(jìn)行干蝕刻。更具體地，第二層間介質(zhì)層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1、柵極絕緣層gi和第二緩沖層116被蝕刻以形成使屏蔽層114暴露的第一接觸孔ch1。同時，第二層間介質(zhì)層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1和柵極絕緣層gi被蝕刻以形成使半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123暴露的第二接觸孔ch2以及使半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124暴露的第三接觸孔ch3。同時，第二層間介質(zhì)層ild2被蝕刻以形成使第二柵極135暴露的第四接觸孔ch4。

此外，在以上干蝕刻的同時，對邊框區(qū)域bp中的第二層間介質(zhì)層ild2、第一層間介質(zhì)層ild1、柵極絕緣層gi和第二緩沖層116進(jìn)行蝕刻以形成第一通孔via1和第二通孔via2。

接下來，參照圖16，金屬材料被堆疊在上面形成有第二層間介質(zhì)層ild2的基板110上，并且使用第七掩模被構(gòu)圖以形成漏極140和源極145。漏極140通過第二接觸孔ch2連接到半導(dǎo)體層120的漏極區(qū)域123，并且源極145通過第三接觸孔ch3連接到半導(dǎo)體層120的源極區(qū)域124。此外，源極145通過第一接觸孔ch1連接到屏蔽層114并且通過第四接觸孔ch4連接到第二柵極135。因此，包括半導(dǎo)體層120、第一柵極130、漏極140和源極145的驅(qū)動晶體管被形成。

隨后，鈍化層pas形成在基板110的前表面上。鈍化層pas在被填充在邊框區(qū)域bp中的第一通孔via1和第二通孔via2中的同時完全覆蓋顯示區(qū)域dp并且完全覆蓋邊框區(qū)域bp。鈍化層pas通過邊框區(qū)域bp中的第一通孔via1和第二通孔via2與第一緩沖層112接觸。

接下來，參照圖17，使用第八掩模對鈍化層pas的一部分進(jìn)行蝕刻，以在顯示區(qū)域dp中形成使源極145暴露的第五接觸孔ch5并且在邊框區(qū)域bp中形成第一開口pah1和第二開口pah2。

接下來，參照圖18，有機(jī)材料被施加到基板110的前表面以形成平整層pln。使用第九掩模對平整層pln執(zhí)行蝕刻工序，以擴(kuò)大鈍化層pas的第五接觸孔ch5并且去除邊框區(qū)域bp的平整層pln。隨后，透明導(dǎo)電層被堆疊在平整層pln上并且使用第十掩模被構(gòu)圖以形成第一電極160。第一電極160可以通過第五接觸孔ch5連接到驅(qū)動晶體管的源極145。隨后，岸層bnk形成在包括第一電極160的基板110上。岸層bnk是使第一電極160的一部分暴露并且限定像素的像素限定層。岸層bnk可以由諸如聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯基樹脂和丙烯酸酯這樣的有機(jī)材料形成。岸層bnk包括使用第十一掩模來使第一電極160暴露的像素限定部分op。隨后，發(fā)光層170形成在通過岸層bnk的像素限定部分op暴露的第一電極160上。第二電極180形成在上面形成有發(fā)光層170的基板110上。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器使用總共十一個掩模來制造。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器通過用于同時在顯示區(qū)域中形成第一接觸孔至第四接觸孔的干蝕刻工序來在邊框區(qū)域中形成第一通孔和第二通孔，因此阻止由于填充在第一通孔和第二通孔中的鈍化層而導(dǎo)致的濕氣的滲透路徑。此外，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器在鈍化層中形成第一開口和第二開口，因此阻止?jié)駳庋刂g化層的任何裂紋滲透的滲透路徑。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的oled顯示器能夠通過防止由于濕氣滲透而導(dǎo)致的發(fā)光層的有機(jī)材料的劣化來防止壽命減少，并且能夠提高可靠性。

盡管已經(jīng)參照本發(fā)明的許多示例性實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但是應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠設(shè)計出將落入本公開的原理的范圍內(nèi)的許多其它變型和實(shí)施方式。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，主題組合布置的組成部分和/或布置方面的各種變化和修改是可能的。除組成部分和/或布置方面的變化和修改之外，替代使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言也將是顯而易見的。