相關申請的交叉引用

本申請要求享有于2015年11月3日在韓國提交的韓國專利申請第10-2015-0154133號的優(yōu)先權，通過引用將該專利申請結合在此。

本公開內(nèi)容涉及一種有機發(fā)光顯示(oled)裝置，且更具體地，涉及一種能夠防止亮度非均勻性問題的oled。

背景技術：

近來，諸如等離體顯示面板(pdp)、液晶顯示(lcd)裝置和oled裝置之類的平板顯示裝置被廣泛的研究和應用。

在這些平板顯示裝置中，由于作為自發(fā)光型顯示裝置的oled裝置不需要背光單元，所以oled裝置可具有重量輕和外形纖薄的優(yōu)點。

此外，oled裝置具有優(yōu)異的視角、對比度、功耗、響應時間、生產(chǎn)成本、產(chǎn)量等的特性。

oled裝置可包括連接至柵極線和數(shù)據(jù)線的開關薄膜晶體管(tft)、連接至開關tft的驅動tft、以及有機發(fā)光二極管。有機發(fā)光二極管連接至驅動tft并且有機發(fā)光二極管包括第一電極、有機發(fā)光層和第二電極。

第一電極可用作陽極并且第一電極可包括具有相對較高的功函數(shù)的透明導電材料。第二電極可用作陰極且第二電極可包括具有相對較低的功函數(shù)的金屬材料。所述金屬材料可具有不透明特性。

在頂部發(fā)光型oled裝置中，來自有機發(fā)光層的光穿過不透明的第二電極。因此，應當對第二電極的厚度進行控制，以使其具有透光特性。

然而，當?shù)诙姌O的厚度降低時，第二電極的電阻增加，使得在第二電極中產(chǎn)生壓降問題。也就是說，在oled裝置中產(chǎn)生亮度非均勻性問題。

特別是，上述亮度非均勻性問題在大尺寸oled裝置中很嚴重。

為了防止上述亮度非均勻性問題，可形成連接至第二電極的輔助線，以減小第二電極的電阻。

圖1是相關技術的oled裝置的示意性平面圖，圖2是沿著圖1中的線ii-ii截取的示意性截面圖。

參照圖1，相關技術的oled裝置包括：基板11，基板11包括多個像素區(qū)域p；設置在基板11上或上方且位于各個像素區(qū)域p中的第一電極50；設置在像素區(qū)域p的邊界處的輔助電極53；以及設置在像素區(qū)域p的邊界處的堤部(bank)57。輔助電極53與第一電極50間隔開。堤部57覆蓋第一電極50的邊緣和輔助電極53并且包括暴露輔助電極53的一部分的輔助接觸孔55。

輔助電極53和輔助接觸孔55具有與第一電極50大致相同的寬度并且分離地布置在各個像素區(qū)域p處。

參照圖2，半導體層13形成在基板11上，半導體層13包括第一區(qū)域13a和位于第一區(qū)域13a兩側的第二區(qū)域13b。第一區(qū)域13a由本征多晶硅形成，第二區(qū)域13b由摻雜雜質的多晶硅形成。

柵極絕緣層15形成在半導體層13上，在柵極絕緣層15上形成與半導體層13的第一區(qū)域13a對應的柵極電極25。層間絕緣層17形成在柵極電極25上。

在這種情況下，穿過柵極絕緣層15和層間絕緣層17形成半導體接觸孔21，以暴露半導體層13的第二區(qū)域13b。

在層間絕緣層17上形成彼此間隔開的源極電極33和漏極電極36。源極電極33和漏極電極36分別通過半導體接觸孔21電連接至半導體層13的第二區(qū)域13b。

半導體層13、柵極電極25、源極電極33和漏極電極36構成驅動tftdtr。

在驅動tftdtr上或上方并且在基板11的整個表面上方形成可提供平坦頂表面的鈍化層19。穿過鈍化層19形成暴露驅動tftdtr的漏極電極36的漏極接觸孔43。

在鈍化層19上在像素區(qū)域p中形成通過漏極接觸孔43連接至漏極電極36的第一電極50，并且在鈍化層19上在像素區(qū)域p的邊界處形成與第一電極50間隔開的輔助電極53。

在像素區(qū)域p的邊界處形成堤部57，堤部57包括暴露輔助電極53的輔助接觸孔55并且堤部57覆蓋第一電極50的邊緣和輔助電極53。

堤部57具有圍繞像素區(qū)域p的格子形狀，有機發(fā)光層60形成在像素區(qū)域p中的第一電極50上。此外，第二電極70形成在包括堤部57和有機發(fā)光層60的基板11的整個表面上方。結果，第二電極70通過輔助接觸孔55電連接至輔助電極53。

第一電極50和第二電極70以及二者之間的有機發(fā)光層60構成有機發(fā)光二極管e。

由于輔助電極53電連接至第二電極70，所以第二電極70的薄膜電阻(sheetresistance)降低。結果，能夠防止或最小化亮度非均勻性問題。

另一方面，有機發(fā)光層60可包括按順序堆疊在第一電極50上的空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、發(fā)光材料層(eml)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)。

有機發(fā)光層60的每一層可通過溶液工藝或沉積工藝形成。例如，由于用于有機發(fā)光層60的每一層的一些材料對溶液工藝具有較差的穩(wěn)定性，所以通過溶液工藝來形成hil、htl和eml，而通過沉積工藝來形成etl和eil。

此外，由于溶液工藝，藍色發(fā)光材料未提供期望的特性。因此，可通過沉積工藝在基板11的整個表面上方形成藍色發(fā)光材料圖案。也就是說，通過溶液工藝在各像素區(qū)域p中形成hil、htl、紅色發(fā)光材料圖案和綠色發(fā)光材料圖案的每一個，而通過沉積工藝在基板11的整個表面上方形成藍色發(fā)光材料圖案、etl和eil的每一個。

技術實現(xiàn)要素：

因此，實施方式涉及一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的oled裝置及其制造方法。

提供了一種oled裝置，該oled裝置包括具有降低的薄膜電阻的第二電極。

所要求保護的主題的目的是簡化oled裝置的制造工藝并降低oled裝置的生產(chǎn)成本。

將在下面的描述中列出其它特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點的一部分根據(jù)這些描述將是顯而易見的，或可以通過實踐而獲悉。可通過說明書、權利要求書以及附圖中具體指出的構造來實現(xiàn)和獲得這些目的和其它優(yōu)點。本發(fā)明的各方面限定在所附的獨立權利要求中。

提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：包括像素區(qū)域的基板；在所述基板上方位于所述像素區(qū)域中的第一電極；在所述基板上方位于所述像素區(qū)域的邊界處的輔助電極；位于所述第一電極和所述輔助電極上方的第二電極；位于所述輔助電極與所述第二電極之間并且將所述第二電極電連接至所述輔助電極的導電構件；以及位于所述第一電極和所述輔助電極的每一個與所述第二電極之間的有機層，其中所述有機層被所述導電構件開口。

所述有機層可包括藍色發(fā)光層。

所述有機層可進一步包括位于所述第一電極與所述第二電極之間的紅色發(fā)光層和綠色發(fā)光層至少之一。

所述輔助電極可沿著所述像素區(qū)域的邊界部分延伸。

所述有機發(fā)光顯示裝置可進一步包括堤部，所述堤部設置在所述第一電極的邊緣上并且所述堤部包括暴露所述輔助電極的輔助接觸孔。

所述導電構件可設置在所述輔助接觸孔中并且所述導電構件可在所述有機層被開口的部分中接觸所述輔助電極。

所述導電構件可與所述輔助電極、以及所述輔助接觸孔中的所述堤部的側表面接觸。

進一步提供了一種有機發(fā)光顯示裝置，包括：包括像素區(qū)域的基板；在所述基板上方位于所述像素區(qū)域中的第一電極；在所述基板上方位于所述像素的邊界處的輔助電極；位于所述第一電極的邊緣上并且包括暴露所述輔助電極的輔助接觸孔的堤部；位于所述堤部上的有機材料圖案；位于所述第一電極上的有機發(fā)光層；位于所述輔助接觸孔中的導電構件；以及位于所述導電構件和所述有機發(fā)光層上的第二電極，其中所述第二電極經(jīng)由所述導電構件電連接至所述輔助電極。

所述有機材料圖案可接觸所述輔助電極的邊緣，并且所述導電構件可接觸所述輔助電極的中央。

所述導電構件可接觸所述輔助接觸孔中的所述堤部的側表面、以及所述輔助電極的上表面。

所述有機材料圖案可具有位于所述輔助電極上的較薄部分，并且所述導電構件可設置在所述有機材料圖案的所述較薄部分上。

還提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，包括：在包括像素區(qū)域的基板上方形成第一電極和輔助電極，其中所述第一電極設置在所述像素區(qū)域中，所述輔助電極設置在所述像素區(qū)域的邊界處；在所述第一電極的邊緣上形成堤部，所述堤部包括暴露所述輔助電極的輔助接觸孔；在所述堤部上形成有機材料圖案并且在所述第一電極上形成有機發(fā)光層；在所述輔助接觸孔中形成導電構件，所述導電構件電連接至所述輔助電極；和在所述導電構件和所述有機發(fā)光層上形成第二電極。

形成所述導電構件的步驟可包括：將金屬膏滴到所述輔助接觸孔中，使得所述輔助接觸孔中的所述有機材料圖案溶解；和將所述金屬膏和溶解的有機材料圖案干燥，以形成直接或間接接觸所述輔助電極的所述導電構件。

所述金屬膏可包括導電顆粒和粘合劑，所述粘合劑包括樹脂、溶劑和添加劑。

形成所述有機材料圖案和所述有機發(fā)光層的步驟可包括：通過溶液工藝形成所述有機發(fā)光層的下層；以及通過沉積工藝形成所述有機發(fā)光層的上層以及所述有機材料圖案。

應該理解的是，前面的概括描述和下面的詳細描述都是示例性和解釋性的，意在提供對所要求保護的主題的進一步說明。

附圖說明

被包括來給本公開內(nèi)容提供進一步理解并結合在本申請文件中組成本申請文件一部分的附圖圖解了各個實施方式，并與說明書一起用于解釋本公開內(nèi)容的原理。

圖1是相關技術的oled裝置的示意性平面圖；

圖2是沿著圖1中的線ii-ii截取的示意性截面圖；

圖3是根據(jù)一實施方式的oled裝置的示意性平面圖；

圖4是沿著圖3中的線iv-iv截取的示意性截面圖；

圖5a至圖5f是圖解根據(jù)一實施方式的oled裝置的制造工藝的示意性截面圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細描述各個實施方式，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。

在相關技術的oled裝置中，由于通過沉積工藝形成的藍色發(fā)光材料圖案、etl和eil形成在輔助電極53以及第一電極50上或上方，因此，為了使第二電極70通過輔助接觸孔55電連接至輔助電極53，應當去除輔助接觸孔55中的輔助電極53上或上方的上述層。

通過將激光束照射到輔助接觸孔中的上述層上來去除上述層。然而，由于需要昂貴的激光照射設備，所以制造工藝復雜且生產(chǎn)成本增加。

圖3是根據(jù)一實施方式的oled裝置的示意性平面圖，圖4是沿著圖3中的線iv-iv截取的示意性截面圖。

參照圖3，根據(jù)一實施方式的oled裝置包括：基板101，基板101包括多個像素區(qū)域p；設置在基板101上或上方且位于各個像素區(qū)域p中的第一電極150；設置在像素區(qū)域p的邊界處的輔助電極153；以及設置在像素區(qū)域p的邊界處的堤部157。輔助電極153與第一電極150間隔開。堤部157覆蓋第一電極150的邊緣和輔助電極153并且堤部157包括暴露輔助電極153的一部分的輔助接觸孔155。

輔助電極153和輔助接觸孔155在相鄰的像素區(qū)域p之間沿一方向延伸。

參照圖4，半導體層113形成在基板101上，半導體層113包括第一區(qū)域113a和位于第一區(qū)域113a兩側的第二區(qū)域113b。第一區(qū)域113a由本征多晶硅形成，第二區(qū)域113b由摻雜雜質的多晶硅形成。

柵極絕緣層115形成在半導體層113上，在柵極絕緣層115上形成與半導體層113的第一區(qū)域113a對應的柵極電極125。在柵極電極125上形成層間絕緣層117。

在這種情況下，穿過柵極絕緣層115和層間絕緣層117形成半導體接觸孔121，以暴露半導體層113的第二區(qū)域113b。

在層間絕緣層117上形成彼此間隔開的源極電極133和漏極電極136。源極電極133和漏極電極136分別通過半導體接觸孔121電連接至半導體層113的第二區(qū)域113b。

半導體層113、柵極電極125、源極電極133和漏極電極136構成驅動tftdtr。

在驅動tftdtr上或上方并且在基板101的整個表面上方形成可提供平坦頂表面的鈍化層119。穿過鈍化層119形成暴露驅動tftdtr的漏極電極136的漏極接觸孔143。

在鈍化層119上在像素區(qū)域p中形成通過漏極接觸孔143連接至漏極電極136的第一電極150，并且在鈍化層119上在像素區(qū)域p的邊界處形成與第一電極150間隔開的輔助電極153。

在像素區(qū)域p的邊界處形成堤部157，堤部157包括暴露輔助電極153的輔助接觸孔155并且堤部157覆蓋第一電極150的邊緣和輔助電極153。堤部157具有圍繞像素區(qū)域p的格子形狀。

有機材料圖案160a設置在輔助電極153的上表面上以及用于暴露輔助電極153的輔助接觸孔155中的堤部157的側表面上，有機發(fā)光層160b設置在第一電極150上。例如，有機材料圖案160a可覆蓋輔助接觸孔155中的堤部157的側表面并且可暴露輔助接觸孔155中的輔助電極153的至少一部分?；蛘撸袡C材料圖案160a可暴露輔助接觸孔155中的輔助電極153的整個表面。

與有機材料圖案160a和輔助電極153的暴露部分接觸的導電構件165設置在輔助接觸孔155中。例如，導電構件165為導電液滴、導電球或導電細長球體。

此外，第二電極170設置在基板101的整個表面上方。也就是說，第二電極170與第一電極150上的有機發(fā)光層160b和輔助接觸孔155中的導電構件165接觸。

第一電極150和第二電極170以及二者之間的有機發(fā)光層160b構成有機發(fā)光二極管e。

第二電極170經(jīng)由導電構件165電連接至輔助電極153。結果，第二電極170的電阻或薄膜電阻由于輔助電極153而減小，使得能夠防止或最小化亮度非均勻性問題。

例如，第一電極150上的有機發(fā)光層160b可包括按順序堆疊在第一電極150上的hil、htl、eml、etl和eil。有機發(fā)光層160b的這些層中的一些層可通過溶液工藝形成，有機發(fā)光層160b的這些層中的剩余層可通過沉積工藝形成。

如上所述，由于通過溶液工藝形成的層中的發(fā)光特性和材料的穩(wěn)定性，可通過溶液工藝在各像素區(qū)域p中形成hil、htl、紅色發(fā)光材料圖案和綠色發(fā)光材料圖案的每一個，而可通過沉積工藝在基板101的整個表面上方形成藍色發(fā)光材料圖案、etl和eil的每一個。

在這種情況下，位于輔助接觸孔155中且位于輔助電極153上的有機材料圖案160a包括通過沉積工藝形成的材料圖案。例如，有機材料圖案160a可包括電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案?；蛘?，有機材料圖案160a可包括藍色發(fā)光材料圖案、電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案。

另一方面，當通過沉積工藝形成有機發(fā)光層160b的所有層時，有機材料圖案160a可包括與有機發(fā)光層160b類似的結構，例如，空穴注入材料圖案、空穴傳輸材料圖案、電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案。

由于所沉積的材料層形成在輔助電極153以及第一電極150上，所以應當輔助電極153上的材料層去除，以實現(xiàn)第二電極170與輔助電極153之間的電連接。

在一個實施方式中，去除位于輔助電極153上的有機材料圖案160a以暴露輔助電極153，并且在輔助電極153的暴露部分上形成導電構件165。此外，在導電構件165上形成第二電極170，使得第二電極170和輔助電極153經(jīng)由導電構件165電連接至彼此。

導電構件165可以是導電液滴、導電球或導電細長球體?？赏ㄟ^在輔助接觸孔155中的有機材料圖案160a上滴加并干燥(圖5d的)金屬膏(matelpaste)163而形成導電構件165，金屬膏163包括導電顆粒(例如，銀(ag)、鋁(al)、鎳(ni)或金(au))和粘合劑。所述粘合劑可包括樹脂、溶劑和添加劑。

在這種情況下，輔助電極153上的材料被溶解到(圖5d的)金屬膏163中的溶劑中，使得在干燥步驟之后導電構件165與輔助接觸孔155中的輔助電極153接觸。因此，有機材料圖案160a形成在輔助接觸孔155中的堤部157的側表面上并且暴露輔助電極153的至少一部分，使得導電構件165接觸輔助電極153。

換句話說，包括有機材料圖案160a和有機發(fā)光層160b的有機層覆蓋除導電構件165的位置之外的基板101的整個表面。也就是說，有機層被導電構件165開口。

或者，可將輔助電極153上的以及輔助接觸孔155中的堤部157的側表面上的有機材料圖案160a完全去除，以使導電構件165可接觸堤部157的側表面以及輔助電極153。

另一方面，輔助電極153上的材料可被金屬膏中的溶劑部分地溶解。在這種情況下，有機材料圖案160a可覆蓋輔助電極153的邊緣部分并且僅暴露輔助電極153的中央部分?；蛘撸袡C材料圖案160a可以以較小的厚度覆蓋輔助接觸孔中的輔助電極153的整個表面。也就是說，有機材料圖案160a的位于輔助電極153上的一部分比有機材料圖案160a的位于堤部157的側表面和/或上表面上的一部分薄。在這種情況下，有機材料圖案160a在截面圖中可在輔助接觸孔155處為下部具有較薄厚度的“u”形。即使當輔助電極153部分地接觸導電構件165或通過有機材料圖案160a的較薄部分間接接觸導電構件165時，也能夠確保第二電極170與輔助電極153之間經(jīng)由導電構件165的電連接。

也就是說，導電構件165的一端電連接至輔助電極153且導電構件165的另一端電連接至第二電極170，以使第二電極170電連接至輔助電極153。

在本公開內(nèi)容的oled裝置中，由于無需昂貴的激光照射設備而將輔助接觸孔155中的輔助電極153上的有機材料去除，所以簡化了制造工藝并降低了生產(chǎn)成本。此外，由于第二電極170經(jīng)由導電構件165電連接至輔助電極153，所以第二電極170的薄膜電阻降低。此外，由于輔助接觸孔155中的第二電極170的階梯差因導電構件165而降低，所以防止了在輔助接觸孔的階梯中第二電極170的斷開問題。導電構件165可填充輔助接觸孔155，以與位于堤部157上的有機材料圖案160a的上表面一起提供平坦的頂表面。在這種情況下，第二電極170可在堤部157和輔助電極153上方具有平坦的頂表面。

輔助電極153和輔助接觸孔155在相鄰的像素區(qū)域p的邊界處沿一方向延伸。結果，輔助接觸孔155可被稱為凹槽。

在圖3中，輔助電極153和輔助接觸孔155水平地延伸?；蛘?，輔助電極153和輔助接觸孔155可在垂直方向上延伸。或者，輔助電極153和輔助接觸孔155可在水平方向和垂直方向上延伸，使得輔助電極153和輔助接觸孔155可具有格子形狀。

由于輔助電極153和輔助接觸孔155沿水平方向和垂直方向中的至少一個方向延伸，所以用于滴加金屬膏的面積增加。因此，導電構件165的導電顆粒的尺寸裕度(sizemargin)和金屬膏的滴加工藝的對準裕度(aligningmargin)增加，使得確保了第二電極170與輔助電極153之間的電連接。

圖5a至圖5f是圖解根據(jù)一實施方式的oled裝置的制造工藝的示意性截面圖。

根據(jù)本公開內(nèi)容的oled裝置的制造方法包括：形成第一電極150和輔助電極153的步驟、形成覆蓋輔助電極153的堤部157的步驟、形成有機材料圖案160a和有機發(fā)光層160b的步驟、去除有機材料圖案160a的一部分并形成導電構件165的步驟、以及形成第二電極170的步驟。

如圖5a中所示，在形成有例如驅動tftdtr、鈍化層119等這些元件的基板101上方形成第一電極150和輔助電極153。第一電極150設置在像素區(qū)域p中并且通過漏極接觸孔143電連接至驅動tftdtr的漏極電極136。輔助電極153設置在像素區(qū)域p的邊界處并且與第一電極150間隔開。第一電極150和輔助電極153的每一個可由相同的材料形成。例如，第一電極150和輔助電極153的每一個可由透明導電材料，例如氧化銦錫(ito)和氧化銦鋅(izo)形成。

接下來，如圖5b中所示，形成絕緣材料層(未示出)并將其構圖以形成堤部157。堤部157包括輔助接觸孔155和開口。通過輔助接觸孔155暴露輔助電極153，并且通過所述開口暴露第一電極150。也就是說，堤部157覆蓋輔助電極153和第一電極150的邊緣。

接下來，如圖5c中所示，在包括堤部157的基板101上方形成有機材料圖案160a和有機發(fā)光層160b。有機材料圖案160a形成在輔助接觸孔155中的輔助電極153上以及堤部157的上表面和側表面上。有機發(fā)光層160b形成在第一電極150上。

如上所述，有機發(fā)光層160b可包括按順序堆疊在第一電極150上的hil、htl、eml、etl和eil。有機發(fā)光層160b的這些層中的一些層可由沉積工藝形成，或者有機發(fā)光層160b的這些層中的所有層可由沉積工藝形成。

由于通過溶液工藝形成的層中的發(fā)光特性和材料的穩(wěn)定性，可通過溶液工藝在各像素區(qū)域p中形成hil、htl、紅色發(fā)光材料圖案和綠色發(fā)光材料圖案的每一個，而可通過沉積工藝在基板101的整個表面上方形成藍色發(fā)光材料圖案、etl和eil的每一個。這種工藝可被稱為溶液制造工藝(solutionfabricatingprocess)。

在溶液制造工藝中，通過沉積工藝形成的層形成在像素區(qū)域p的邊界以及像素區(qū)域p的中央。也就是說，有機材料圖案160a可具有電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案的雙層結構或者藍色發(fā)光材料圖案、電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案的三層結構?；蛘?，在沉積制造工藝中，有機材料圖案160a可具有空穴注入材料圖案、空穴傳輸材料圖案、電子傳輸材料圖案和電子注入材料圖案的結構。

接下來，如圖5d中所示，使用分配器180將金屬膏163滴到輔助接觸孔155中，以將輔助電極153上的有機材料圖案160a溶解。在這種情況下，輔助電極153上的有機材料圖案160a可被完全溶解或部分溶解。此外，輔助接觸孔155中的堤部157的側表面上的有機材料圖案160a可被溶解。

將金屬膏163和溶解的有機材料圖案160a的有機材料干燥，使得在輔助接觸孔155中形成導電構件165，如圖5e中所示。

在圖5e中，導電構件165的一端接觸輔助電極153的中央?；蛘撸瑢щ姌嫾?65可接觸輔助接觸孔155中的輔助電極153的整個上表面。此外，導電構件165可間接接觸輔助電極153，在二者之間具有薄的有機材料圖案160a。此外，導電構件165可接觸輔助接觸孔155中的堤部157的側表面。

導電構件165可以是導電液滴、導電球或導電細長球體?？赏ㄟ^在輔助接觸孔155中的有機材料圖案160a上滴加并干燥金屬膏163而形成導電構件165，金屬膏163包括導電顆粒(例如，銀(ag)、鋁(al)、鎳(ni)或金(au))和粘合劑。所述粘合劑可包括樹脂、溶劑和添加劑。

輔助電極153上的材料被溶解到金屬膏163的溶劑中，并且通過干燥步驟去除這些材料和溶劑，使得在干燥步驟之后導電構件165接觸輔助接觸孔155中的輔助電極153。因此，有機材料圖案160a形成在輔助接觸孔155中的堤部157的側表面上并且暴露輔助電極153的至少一部分，以使導電構件165接觸輔助電極153。

接下來，如圖5f中所示，在有機發(fā)光層160b、導電構件165、以及位于堤部157的上表面上的有機材料圖案160a上形成第二電極170。第二電極170形成在基板101的整個表面上方，第一電極150、第二電極170和有機發(fā)光層160b構成有機發(fā)光二極管e。

第二電極170接觸導電構件165，使得第二電極170和輔助電極153經(jīng)由導電構件165電連接至彼此。

在本公開內(nèi)容的oled裝置中，由于無需使用昂貴的激光照射設備而將輔助接觸孔155中的輔助電極153上的有機材料去除，所以簡化了制造工藝并且降低了生產(chǎn)成本。此外，由于第二電極170經(jīng)由導電構件165電連接至輔助電極53，所以第二電極70的薄膜電阻降低。此外，由于輔助接觸孔155中的第二電極170的階梯差因導電構件165而降低，所以防止了在輔助接觸孔的階梯中第二電極170的斷開問題。

在不背離所附權利要求的范圍的情況下，能夠對各實施方式進行各種修改和變化，對于本領域技術人員來說是顯而易見的。因而，各實施方式并非意在限制性的，而是旨在涵蓋落入所附權利要求范圍及其等同范圍內(nèi)的修改和變化。