技術(shù)總結(jié)
本實用新型公開了一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)，包括基極半導(dǎo)體層以及設(shè)于所述基極半導(dǎo)體層之上的基極金屬，所述基極金屬由Pt/Ti/Pt的疊層結(jié)構(gòu)組成，其中：第一Pt金屬層與所述基極半導(dǎo)體層接觸，厚度為3～8nm；Ti金屬層設(shè)置于所述第一Pt金屬層之上，厚度為40～60nm；第二Pt金屬層設(shè)置于所述Ti金屬層之上，厚度為110～150nm。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型通過Pt/Ti/Pt三層疊層結(jié)構(gòu)來取代傳統(tǒng)含有Au等易擴散金屬的基極結(jié)構(gòu)，第二Pt金屬層增厚以實現(xiàn)較好的傳導(dǎo)效果以及器件整體厚度的平衡，避免了Au等易擴散金屬擴散至基極半導(dǎo)體層而導(dǎo)致的漏電問題，提高了器件的可靠度。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭茂昌
受保護的技術(shù)使用者：廈門市三安集成電路有限公司
文檔號碼：201621444938
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.27
技術(shù)公布日：2017.09.08