本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別是涉及一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

在異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的制作過(guò)程中，電極的金屬制程是一個(gè)重要的環(huán)節(jié)?，F(xiàn)有的基極結(jié)構(gòu)，是將器件中預(yù)定區(qū)域的基極半導(dǎo)體層表面暴露出來(lái)，再在其上沉積導(dǎo)電性良好的貴金屬(例如金)形成。由于基極半導(dǎo)體層通常是三五族化合物半導(dǎo)體制成，金極易擴(kuò)散到半導(dǎo)體之內(nèi)而導(dǎo)致漏電等問(wèn)題。為此，改進(jìn)的技術(shù)是先沉積擴(kuò)散阻擋層再沉積金層，通過(guò)基極半導(dǎo)體層和金層之間的擴(kuò)散阻擋層來(lái)阻止金擴(kuò)散進(jìn)入基極半導(dǎo)體之內(nèi)。

然而，由于金等貴金屬具有較強(qiáng)的擴(kuò)散流動(dòng)性，仍然容易通過(guò)擴(kuò)散阻擋層的邊緣向下擴(kuò)散至基極半導(dǎo)體層之內(nèi)而影響晶體管的整體性能，上述漏電問(wèn)題還是無(wú)法得到解決，器件的可靠度難以保證。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供了一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)，其克服了現(xiàn)有技術(shù)所存在的不足之處。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是：

一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)，包括基極半導(dǎo)體層以及設(shè)于所述基極半導(dǎo)體層之上的基極金屬，所述基極金屬由Pt/Ti/Pt的疊層結(jié)構(gòu)組成，其中：第一Pt金屬層與所述基極半導(dǎo)體層接觸，厚度為3～8nm；Ti金屬層設(shè)置于所述第一Pt金屬層之上，厚度為40～60nm；第二Pt金屬層設(shè)置于所述Ti金屬層之上，厚度為110～150nm。

優(yōu)選的，所述基極半導(dǎo)體層是GaAs。

優(yōu)選的，所述第一Pt金屬層的厚度為4～7nm，所述Ti金屬層的厚度為45～55nm，所述第二Pt金屬層的厚度為120～140nm。

優(yōu)選的，所述第一Pt金屬層的厚度為5nm，所述Ti金屬層的厚度為50nm，所述第二Pt金屬層的厚度為130nm。

優(yōu)選的，所述Pt/Ti/Pt的疊層結(jié)構(gòu)通過(guò)蒸鍍或?yàn)R鍍形成，所述第一Pt金屬層、Ti金屬層和第二Pt金屬層等寬。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型通過(guò)Pt/Ti/Pt三層疊層結(jié)構(gòu)來(lái)取代傳統(tǒng)含有Au等易擴(kuò)散金屬的基極結(jié)構(gòu)，第二Pt金屬層增厚以實(shí)現(xiàn)較好的傳導(dǎo)效果以及器件整體厚度的平衡，避免了Au等易擴(kuò)散金屬擴(kuò)散至基極半導(dǎo)體層而導(dǎo)致的漏電問(wèn)題，提高了器件的可靠度。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型的異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本實(shí)用新型的附圖僅為示意以更容易了解本實(shí)用新型，其具體比例可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。文中所描述的圖形中相對(duì)元件的上下關(guān)系，在本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)能理解是指構(gòu)件的相對(duì)位置而言，因此皆可以翻轉(zhuǎn)而呈現(xiàn)相同的構(gòu)件，此皆應(yīng)同屬本說(shuō)明書(shū)所揭露的范圍。此外，圖中所示的層間的厚度對(duì)比，均僅為示例，并不以此進(jìn)行限制，實(shí)際可依照設(shè)計(jì)需求進(jìn)行調(diào)整。

參考圖1，本實(shí)用新型的一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)，包括基極半導(dǎo)體層1以及設(shè)于所述基極半導(dǎo)體層1之上的基極金屬2，所述基極半導(dǎo)體層1是GaAs，所述基極金屬2由Pt/Ti/Pt的疊層結(jié)構(gòu)組成，其中：第一Pt金屬層21與所述基極半導(dǎo)體層1接觸，厚度為3～8nm；Ti金屬層22設(shè)置于所述第一Pt金屬層21之上，厚度為40～60nm；第二Pt金屬層23設(shè)置于所述Ti金屬層22之上，厚度為110～150nm。

所述Pt/Ti/Pt的疊層結(jié)構(gòu)是通過(guò)金屬蒸鍍或?yàn)R鍍于同一道光罩工藝中形成，所述第一Pt金屬層21、Ti金屬層22和第二Pt金屬層23等寬。具體，在制作時(shí)，可以通過(guò)涂覆光阻、曝光、顯影等工藝于預(yù)設(shè)基極區(qū)域形成開(kāi)窗，再通過(guò)蒸鍍或者濺鍍?cè)谒鲩_(kāi)窗之內(nèi)沉積Pt形成所述第一Pt金屬層21，回火之后再依次沉積Ti以及Pt，然后去除光阻，再進(jìn)行后續(xù)的步驟。

進(jìn)一步，所述第一Pt金屬層21的厚度為4～7nm，所述Ti金屬層22的厚度為45～55nm，所述第二Pt金屬層23的厚度為120～140nm。

優(yōu)選的，作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，所述第一Pt金屬層21的厚度為5nm，所述Ti金屬層22的厚度為50nm，所述第二Pt金屬層23的厚度為130nm。

相對(duì)于傳統(tǒng)的含Au等易擴(kuò)散金屬的基極結(jié)構(gòu)，上述實(shí)施例的基極金屬由Pt/Ti/Pt三層疊層結(jié)構(gòu)組成，所述第二Pt金屬層增厚以實(shí)現(xiàn)較好的傳導(dǎo)效果以及器件整體厚度的平衡，避免了Au等易擴(kuò)散金屬擴(kuò)散至基極半導(dǎo)體層而導(dǎo)致的漏電問(wèn)題，提高了器件的可靠度；同時(shí)可依常規(guī)步驟來(lái)進(jìn)行后續(xù)的制程，適用于應(yīng)用在現(xiàn)有工藝中，效果好。

上述實(shí)施例僅用來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型的一種異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的基極結(jié)構(gòu)，但本實(shí)用新型并不局限于實(shí)施例，凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均落入本實(shí)用新型技術(shù)方案的保護(hù)范圍內(nèi)。