1.一種半導(dǎo)體芯片封裝用的高強(qiáng)度超薄陶瓷基功能型復(fù)合模塊，其特征在于，包括半導(dǎo)體芯片、印刷電路板、金屬陶瓷基板和散熱器，所述半導(dǎo)體芯片倒裝鍵合在印刷電路板的一面上，所述印刷電路板的另一面與金屬陶瓷基板的一面固定貼合，且所述金屬陶瓷基板的另一面與散熱器的一面固定貼合；所述散熱器的另一面均勻分布有多個散熱片，每兩個散熱片之間形成傳遞熱量的散熱區(qū)，且所述半導(dǎo)體芯片、印刷電路板的熱量依次從金屬陶瓷基板和散熱區(qū)散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝用的高強(qiáng)度超薄陶瓷基功能型復(fù)合模塊，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片與印刷電路板之間設(shè)有固晶層，且所述半導(dǎo)體芯片通過固晶層與印刷電路板的一面倒裝鍵合。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝用的高強(qiáng)度超薄陶瓷基功能型復(fù)合模塊，其特征在于，所述印刷電路板的另一面與金屬陶瓷基板的一面之間設(shè)有絕緣層，且所述絕緣層為絕緣涂料或絕緣膠。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝用的高強(qiáng)度超薄陶瓷基功能型復(fù)合模塊，其特征在于，所述金屬陶瓷基板的另一面與散熱器的一面之間設(shè)有釬焊層，且所述金屬陶瓷基板的另一面通過釬焊層與散熱器的一面固定連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片封裝用的高強(qiáng)度超薄陶瓷基功能型復(fù)合模塊，其特征在于，所述金屬陶瓷基板的導(dǎo)熱率為200w/m-k。