本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種刻蝕裝置。

背景技術(shù)：

光伏發(fā)電是利用太陽光能使半導(dǎo)體電子器件有效地吸收太陽光輻射能，并使之轉(zhuǎn)變成電能的直接發(fā)電方式。通常所說的太陽光發(fā)電就是太陽能光伏發(fā)電，亦稱太陽能電池發(fā)電，其核心部件是太陽能電池片。

現(xiàn)有技術(shù)中的晶體硅太陽能電池的制造流程為：表面清洗及織構(gòu)化、擴散、清洗、刻蝕、去邊、鍍減反射膜、絲網(wǎng)印刷、燒結(jié)形成歐姆接觸、測試。該制造技術(shù)相對簡單、成本較低，適合工業(yè)化、自動化生產(chǎn)，因而得到了廣泛應(yīng)用。刻蝕是太陽能電池發(fā)電的關(guān)鍵步驟之一，刻蝕的好壞直接影響電池是否漏電以及轉(zhuǎn)化效率的高低。

擴散后的硅片N面有一層磷硅玻璃，其具有親水性。如圖1所示，現(xiàn)有的刻蝕機中，往往會因刻蝕槽中滾輪的水平較差或是刻蝕槽中抽風(fēng)波動，造成磷硅玻璃將刻蝕液引到硅片的N面上，使得硅片的N面四周被腐蝕掉造成過刻，而過刻的硅片在制作成電池片成品后，電池片漏電嚴(yán)重，且轉(zhuǎn)化效率極大受到影響。為了解決硅片在刻蝕槽中不被過刻和刻不通，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用更換滾輪結(jié)構(gòu)的方法，或是增加清洗磷硅玻璃的設(shè)備，但其增加了太陽能電池片的制造成本。

因此，有必要研發(fā)一種可避免刻蝕過程中出現(xiàn)腐蝕過刻現(xiàn)象，且刻蝕效果較好，成本較低的刻蝕裝置。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種刻蝕裝置，其可去除硅片表面的磷硅玻璃，同時使得硅片表面成疏水狀，保證硅片在經(jīng)過刻蝕槽時不會翻液，不易造成過刻。

為達(dá)此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種刻蝕裝置，包括刻蝕槽，刻蝕槽的上游設(shè)置有上料端，上料端和刻蝕槽的上部設(shè)置有用于輸送硅片的滾輪組件，上料端在滾輪組件的上方設(shè)置有噴淋管，噴淋管和刻蝕槽之間設(shè)置有搟液滾輪，搟液滾輪位于滾輪組件的上方。

噴淋管可向硅片噴灑液體，以去除硅片表面的磷硅玻璃，搟液滾輪可將硅片中殘留的液體搟走，使得硅片表面成疏水狀，保證硅片在經(jīng)過刻蝕槽時不會翻液，不易造成過刻。

其中，刻蝕槽內(nèi)設(shè)置有擋板組件，擋板組件將刻蝕槽沿水平方向分隔成多個小槽，擋板組件包括至少一對溢流擋板，每對溢流擋板之間均設(shè)置有抽風(fēng)管道。溢流擋板將刻蝕槽分隔成多個小槽，抽風(fēng)管道設(shè)置在一對溢流擋板之間，可將硅片和液體生成的氣體從硅片下方抽走，避免該氣體腐蝕硅片上表面，破壞PN結(jié)。

其中，抽風(fēng)管道的側(cè)壁沿其長度方向設(shè)置有多個通風(fēng)孔或者設(shè)置有長條狀開口。

其中，滾輪組件包括多個沿水平方向并排間隔設(shè)置的滾輪，刻蝕槽內(nèi)每隔兩個滾輪均設(shè)置有一對溢流擋板，一對溢流擋板之間的距離等于相鄰的兩個滾輪之間的距離。

其中，抽風(fēng)管道的外徑小于相鄰的兩個滾輪之間的距離。

其中，噴淋管與搟液滾輪之間的水平距離為10～30cm。例如，噴淋管與搟液滾輪之間的水平距離可以為10cm、12cm、14cm、15cm、16cm、18cm、20cm、22cm、24cm、26cm、28cm或30cm。優(yōu)選地，噴淋管與搟液滾輪之間的水平距離為15cm。

其中，搟液滾輪為海綿滾輪或硬質(zhì)滾輪，可將硅片表面殘留的液體搟走。

其中，噴淋管設(shè)置有至少一個噴頭，噴頭沿其長度方向設(shè)置有多個噴孔，可均勻地將液體噴灑到硅片表面。

其中，噴淋管中裝有質(zhì)量濃度為8％～20％的氫氟酸。例如，氫氟酸的質(zhì)量濃度為8％、10％、12％、14％、16％、18％或20％。

本實用新型的有益效果：噴淋管可向硅片噴灑液體，以去除硅片表面的磷硅玻璃，搟液滾輪可將硅片中殘留的液體搟走，使得硅片表面成疏水狀，保證硅片在經(jīng)過刻蝕槽時不會翻液，不易造成過刻。本實用新型的刻蝕裝置結(jié)構(gòu)簡單，無需大規(guī)模改裝，容易實現(xiàn)，適于推廣應(yīng)用。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型的刻蝕裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本實用新型的上料端和刻蝕槽的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本實用新型的噴淋管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是本實用新型的噴頭的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖6是本實用新型的抽風(fēng)管道的結(jié)構(gòu)示意圖一。

圖7是本實用新型的抽風(fēng)管道的結(jié)構(gòu)示意圖二。

附圖標(biāo)記如下：

1-刻蝕槽；11-溢流擋板；12-抽風(fēng)管道；121-通風(fēng)孔；122-長條狀開口；2-上料端；3-滾輪組件；4-噴淋管；41-噴頭；411-噴孔；5-搟液滾輪；

10-第一水槽；20-堿槽；30-第二水槽；40-酸槽；50-第三水槽；60-風(fēng)干裝置；70-下料端；

100-硅片。

具體實施方式

下面結(jié)合圖1至圖7并通過具體實施例來進一步說明本實用新型的技術(shù)方案。

實施例一

如圖2和圖3所示，一種刻蝕裝置，包括刻蝕槽1，刻蝕槽1的上游設(shè)置有上料端2，上料端2和刻蝕槽1的上部設(shè)置有用于輸送硅片100的滾輪組件3，上料端2在滾輪組件3的上方設(shè)置有噴淋管4，噴淋管4和刻蝕槽1之間設(shè)置有搟液滾輪5，搟液滾輪5位于滾輪組件3的上方。噴淋管4可向硅片100噴灑液體，以去除硅片100表面的磷硅玻璃，搟液滾輪5可將硅片100中殘留的液體搟走，使得硅片100表面成疏水狀，保證硅片100在經(jīng)過刻蝕槽1時不會翻液，不易造成過刻。

本實施例中，刻蝕槽1內(nèi)設(shè)置有擋板組件，擋板組件將刻蝕槽1沿水平方向分隔成多個小槽，擋板組件包括至少一對溢流擋板11，每對溢流擋板11之間均設(shè)置有抽風(fēng)管道12，滾輪組件3包括多個沿水平方向并排間隔設(shè)置的滾輪，刻蝕槽1內(nèi)每隔兩個滾輪均設(shè)置有一對溢流擋板11，一對溢流擋板11之間的距離等于相鄰的兩個滾輪之間的距離。如圖6所示，抽風(fēng)管道12的側(cè)壁沿其長度方向設(shè)置有多個通風(fēng)孔121，抽風(fēng)管道12的外徑小于相鄰的兩個滾輪之間的距離。溢流擋板11將刻蝕槽1分隔成多個小槽，抽風(fēng)管道12設(shè)置在一對溢流擋板11之間，可將硅片100和液體生成的氣體從硅片100下方抽走，避免該氣體腐蝕硅片100上表面，破壞PN結(jié)。

本實施例中，噴淋管4與搟液滾輪5之間的水平距離為10cm，搟液滾輪5為海綿滾輪，可將硅片100表面殘留的液體搟走。噴淋管4中裝有質(zhì)量濃度為8％的氫氟酸。如圖4和圖5所示，噴淋管4設(shè)置有至少一個噴頭41，噴頭41沿其長度方向設(shè)置有多個噴孔411，可均勻地將氫氟酸噴灑到硅片100表面。

本實施例中，刻蝕槽1的下游設(shè)置有第一水槽10、堿槽20、第二水槽30、酸槽40、第三水槽50、風(fēng)干裝置60、下料端70。

實施例二

本實施例與實施例一的區(qū)別在于：

噴淋管4與搟液滾輪5之間的水平距離為15cm；噴淋管4中裝有質(zhì)量濃度為10％的氫氟酸。

實施例三

本實施例與實施例一的區(qū)別在于：

如圖7所示，抽風(fēng)管道12的側(cè)壁沿其長度方向設(shè)置有長條狀開口122；噴淋管4與搟液滾輪5之間的水平距離為30cm；噴淋管4中裝有質(zhì)量濃度為20％的氫氟酸。

以上內(nèi)容僅為本實用新型的較佳實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實用新型的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實用新型的限制。