一種表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請(qǐng)涉及材料領(lǐng)域，尤其涉及一種表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物。
【背景技術(shù)】
[0002] 氧化鋁（A1203)，也被稱為剛玉，a-氧化鋁是氧化鋁的晶體形式之一。它非常堅(jiān) 硬（莫氏=9)，白色并且在晶格中呈現(xiàn)的八面體結(jié)構(gòu)。它是通過煅燒三水鋁石用拜耳法從 Al(OH) 3提取得到的，生產(chǎn)過程較長(zhǎng)。而鋁產(chǎn)品可用于多種用途，例如用于鋁的輪胎邊緣制 造。
[0003] 納米晶須甚至微米級(jí)的晶須，由于其斷裂韌性，耐蝕性，硬度和熱傳遞特性，大量 應(yīng)用在醫(yī)療設(shè)備，電子，航空航天等產(chǎn)品中。
[0004] 晶須的"筒體"生成面能夠在基質(zhì)中增強(qiáng)晶須的穩(wěn)定性，允許基質(zhì)中晶須之間，晶 須與其它材料之間的隨機(jī)放置和隨機(jī)沉降，并且加工后不易被氧化，使得應(yīng)用更為廣泛。
[0005] 但是，現(xiàn)有制造納米晶須的方法并不完善，舉例來說：1，反應(yīng)需要在高溫條件下進(jìn) 行，如在0硅鋁氧氮納米晶須時(shí)，就在1775K下反應(yīng)了 5小時(shí)。2,使用的氣-液-固和后 續(xù)的溶液-液-固過程的處理昂貴而且困難。雖然這些處理技術(shù)隨著碳納米管、富勒烯、納 米線的創(chuàng)建和納米光子學(xué)的出現(xiàn)稍有改進(jìn)。但依然有問題需要解決，例如，如何在得到作為 添加物的晶須時(shí)獲得期望的剪切模量、抗壓和抗折強(qiáng)度。
[0006] 現(xiàn)有的研宄都為了克服上面討論的一個(gè)或多個(gè)問題。然而，這些已知的方法都至 少具有下述缺點(diǎn)的某一條：（一）會(huì)產(chǎn)生不符合規(guī)格的材料（"廢料")，造成生產(chǎn)效率低下； (二）增加生產(chǎn)時(shí)間；（三）增加生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明了提供了一種表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物，以解決上述技術(shù)問題。
[0008] 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物，包 括：質(zhì)量百分比含量為97. 5%~99. 45%的氧化鋁正交晶須，所述氧化鋁正交晶須的長(zhǎng)度 為0. 5 ym-0. 7 ym且表面經(jīng)過干刻蝕處理；質(zhì)量百分比含量為0. 01 %~0. 05%的碳化硅斜 方晶須，所述碳化硅斜方晶須的長(zhǎng)度為〇. 7 ym內(nèi)且表面經(jīng)過刻蝕處理；表面經(jīng)過Na2SiF6& 理且質(zhì)量百分比為0.01%-0.015%的高嶺土；其中，所述氧化鋁正交晶須、所述碳化硅斜 方晶須、所述高嶺土一并復(fù)合成所述氧化鋁納米晶須復(fù)合物，在氧化鋁納米晶須復(fù)合物中， 所述氧化鋁正交晶須處于物理上的分離狀態(tài)。
[0009] 優(yōu)選的，所述碳化硅斜方晶須的長(zhǎng)度為：0. 35 y m-o. 4 y m。
[0010] 優(yōu)選的，所述高嶺土的純度為99. 99%。
[0011] 優(yōu)選的，所述碳化硅斜方包括0碳化硅。
[0012] 優(yōu)選的，表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物的制備方法為：利用濕法刻蝕來制備 長(zhǎng)度所述碳化硅斜方晶須；粉碎所述碳化硅斜方晶須至〇. 35 ym-0. 4 ym的尺寸，并通過 濕法刻蝕改變所述碳化硅斜方晶須的所有表面；將干燥的高嶺土與Na2SiF6混合；制備所 述氧化鋁正交晶須；將0. 01%~0. 05%的碳化硅斜方晶須摻雜到質(zhì)量百分比為97. 5%~ 99. 45%的氧化鋁正交晶須中；混合氟化材料和摻入Na2SiF6的干燥的高嶺土混合，獲得混 合材料；加熱所述氧化鋁正交晶須、碳化硅斜方晶須、混合材料，以產(chǎn)生所述氧化鋁納米晶 須復(fù)合物。
[0013] 優(yōu)選的，所述氟化材料包括：四氟乙烯或聚四氟乙烯。
[0014] 優(yōu)選的，所述加熱氧化鋁正交晶須、碳化硅斜方晶須、混合材料，具體為：在 800-850°C的溫度范圍處理所述氧化鋁正交晶須、所述碳化硅斜方晶須、所述混合材料。
[0015] 本發(fā)明還提供了一種復(fù)合泡沫塑料，其特征在于，包括如上述技術(shù)方案描述的表 面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物。
[0016] 優(yōu)選的，所述復(fù)合泡沫塑料由以下步驟制備：將所述氧化鋁納米晶須復(fù)合物與大 量微球體混合，獲得混合物，所述氧化鋁納米晶須復(fù)合物所占質(zhì)量百分比為7. 5% -15%;將 所述混合物同樹脂基泡沫塑料復(fù)合材料混合，獲得所述復(fù)合泡沫塑料。
[0017] 本發(fā)明還提供了一種涂料，包括如上述技術(shù)方案描述的復(fù)合泡沫塑料。
[0018] 本發(fā)明還提供了一種絕緣材料，包括如上述技術(shù)方案描述的復(fù)合泡沫塑料。
[0019] 本發(fā)明還提供了一種制造電子元件，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化 鋁納米晶須復(fù)合物。
[0020] 本發(fā)明還提供了一種機(jī)電設(shè)備，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化鋁納 米晶須復(fù)合物。
[0021] 本發(fā)明還提供了一種涂料，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化鋁納米晶 須復(fù)合物。
[0022] 本發(fā)明還提供了一種陶瓷復(fù)合材料，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化 鋁納米晶須復(fù)合物。
[0023] 本發(fā)明還提供了一種復(fù)合軸承，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化鋁納 米晶須復(fù)合物。
[0024] 本發(fā)明還提供了一種機(jī)械器件，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化鋁納 米晶須復(fù)合物。
[0025] 本發(fā)明還提供了一種醫(yī)療器械，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧化鋁納 米晶須復(fù)合物。
[0026] 本發(fā)明還提供一種的添加劑，添加于HNBR橡膠（氫化丁腈橡膠）、澆鑄聚氨酯、乙 烯酯、玻璃纖維材料和熱塑性聚氨酯彈性體中，包括如上述技術(shù)方案描述的表面刻蝕的氧 化鋁納米晶須復(fù)合物。
[0027] 通過本發(fā)明的一個(gè)或者多個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明具有以下有益效果或者優(yōu)點(diǎn)：
[0028] 本發(fā)明描述了一種表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物，由質(zhì)量百分比含量為 97. 5%~99. 45%的氧化鋁正交晶須；質(zhì)量百分比含量為0. 01 %~0. 05%的碳化硅斜方晶 須；表面經(jīng)過Na2SiF6處理且質(zhì)量百分比為0.01 %~0.015%的高嶺土制備而成。有上述成 分制備獲得的復(fù)合物較為均勻（大小，均勻性，面的規(guī)律性），這些成分都經(jīng)過了預(yù)處理，能 夠快速生產(chǎn)，顯著降低了生產(chǎn)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率。另外，由于成分比例恰當(dāng)，沒有原料的 浪費(fèi)，能夠降低生產(chǎn)成本。
【附圖說明】
[0029] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例中氧化鋁納米晶須復(fù)合物的制備示意圖；
[0030] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例中復(fù)合物的電子顯微鏡圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031] 為了使本申請(qǐng)所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員更清楚地理解本申請(qǐng)，下面結(jié)合附圖， 通過具體實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)技術(shù)方案作詳細(xì)描述。
[0032] 本發(fā)明所公開的一個(gè)實(shí)施例中是一種組合物，特別是在大量的蝕刻的氧化鋁中參 雜少量碳化硅組合而成的表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物。該氧化鋁納米晶須復(fù)合物有 許多用途，包括下文詳細(xì)描述的某些選定的用途。
[0033] 本文所公開的表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物的組分可表征為如下：
[0034] 質(zhì)量百分比含量為97. 5%~99. 45%的氧化鋁正交晶須。氧化鋁正交晶須的長(zhǎng)度 為0. 5 y m-0. 7 y m且表面經(jīng)過干刻蝕處理。
[0035] 質(zhì)量百分比含量為0.01 %~0.05%的碳化硅斜方晶須。碳化硅斜方晶須的長(zhǎng)度 為0. 7 ym內(nèi)且表面經(jīng)過刻蝕處理。
[0036] 表面經(jīng)過Na2SiF6處理且質(zhì)量百分比為0.01 % -0.015%的高嶺土。
[0037] 其中，所述氧化鋁正交晶須、所述碳化硅斜方晶須、所述高嶺土一并復(fù)合成表面刻 蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物，在該復(fù)合物中，所述氧化鋁正交晶須處于物理上的分離狀態(tài)。
[0038] 優(yōu)選的，所述碳化硅斜方晶須的長(zhǎng)度為：0. 35 y m-0. 4 y m。
[0039] 優(yōu)選的，所述高嶺土的純度為99. 99%。
[0040] 優(yōu)選的，所述碳化硅斜方晶須包括0碳化硅。
[0041] 下面介紹表面刻蝕的氧化鋁納米晶須復(fù)合物的制備方法，示意圖請(qǐng)參看圖1，具體 的實(shí)施過程如下：
[0042] 利用濕法刻蝕來制備長(zhǎng)度為0. 7 y m且表面經(jīng)過刻蝕處理的碳化硅斜方晶須；
[0043] 粉碎該碳化硅斜方晶