本實(shí)用新型屬于OLED顯示屏領(lǐng)域，具體涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示屏是一種重要的新型顯示技術(shù)?，F(xiàn)有常見OLED顯示屏主要由器件偏壓(Vdd)輸入端、數(shù)據(jù)線(Data線)輸入端陣列、共同電極(Vcom)輸入端、選通線(Gate線)輸入端陣列和顯示區(qū)(像素區(qū))構(gòu)成，其整體結(jié)構(gòu)示意圖如圖1所示，所述顯示區(qū)一般由像素基板和基板上的有機(jī)功能層和共同電極組成，像素基板一般包括玻璃和玻璃上的像素定義層(PDL)，在像素定義層的每個(gè)像素區(qū)內(nèi)依次設(shè)置TFT電路區(qū)和ITO像素電極，基板上設(shè)置Vdd線走線、Data線走線和Gate線走線分別與Vdd輸入端、Data線輸入端陣列和Gate線輸入端陣列連通。其常見結(jié)構(gòu)如圖2所示，(其中圖2(a)、圖2(b)和圖2(c)分別為像素基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖、垂直于Data線方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖和垂直于Gate線方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖)。

現(xiàn)有常見的OLED顯示屏制備工藝如下：(1)利用傳統(tǒng)的光刻工藝，制備出像素基板；(2)采用真空蒸鍍或噴墨打印方法，在OLED基板上制備有機(jī)功能層，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3(a)所示，常見的有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等；(3)采用真空蒸鍍方法，在有機(jī)功能層之上制備共同電極，其結(jié)構(gòu)示意圖如圖3(b)所示，共同電極一般為陰極，材料包括Ba、Ca、Al、Cu、Ag、Mg/Ag合金等；(4)包封顯示屏、壓焊驅(qū)動(dòng)電路等其他配套工作。

現(xiàn)有常見的OLED顯示屏中共同電極仍無(wú)法采用噴墨打印方法，只能真空蒸鍍制備。其原因在于適用于噴墨打印的電極材料電導(dǎo)率很低，從顯示區(qū)外引入Vcom時(shí)電壓降過(guò)大而無(wú)法工作。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了克服現(xiàn)有OLED顯示屏中共同電極導(dǎo)電率低的缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏。

本實(shí)用新型目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏，包括Vdd輸入端、Data線輸入端陣列、Vcom輸入端、Gate線輸入端陣列和顯示區(qū)，所述顯示區(qū)具有如下所述的像素結(jié)構(gòu)：在每個(gè)像素旁增加裸露的Vcom走線，不被像素定義層或其它絕緣層覆蓋，Vcom走線沿Data線方向或Gate線方向，Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端連通；每個(gè)像素由下至上依次為TFT電路區(qū)、ITO像素電極、有機(jī)功能層和共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極連通或者不連通。

所述Vcom走線的材料為Al、Cu、Ag、Au、Mo、Sn、In等金屬或其合金或其化合物。Vcom走線可采用光刻工藝或噴墨打印工藝制備。

所述有機(jī)功能層包括發(fā)光層以及以下功能層中的至少一種：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等。上述有機(jī)功能層所用材料包括聚合物材料、有機(jī)小分子材料、樹枝狀化合物材料、金屬的鹵化物/氧化物及其納米顆粒、量子點(diǎn)材料?？梢杂萌芤杭庸し椒ㄖ苽洌部梢杂谜婵照翦兎椒ㄖ苽?。

所述共同電極的材料為可透光的PEDOT:PSS類導(dǎo)電聚合物或Ag、Cu、Au、C等納米線?？蓪?shí)現(xiàn)光的“頂發(fā)射”。共同電極”可作為OLED的陰極，也可作為陽(yáng)極。

上述有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏可通過(guò)如下方法制備：

(1)在像素基板上采用光刻工藝或噴墨打印工藝在每個(gè)像素旁增加裸露的Vcom走線，不被像素定義層或其它絕緣層覆蓋，Vcom走線沿Data線方向或Gate線方向，Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端連通；

(2)采用噴墨打印或旋轉(zhuǎn)涂覆方法在像素基板上的每個(gè)像素中制備有機(jī)功能層；

(3)采用噴墨打印、旋轉(zhuǎn)涂覆、絲網(wǎng)印刷、刮刀印刷、噴涂、轉(zhuǎn)印或壓印的溶液加工方法在步驟(3)的像素中制備共同電極；每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極連通或者不連通；

(4)完成包封顯示屏、壓焊驅(qū)動(dòng)電路等配套工作，得到完整的有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏。

相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)及有益效果：

本實(shí)用新型在顯示屏基板設(shè)計(jì)上預(yù)留裸露的Vcom走線，在每個(gè)像素的周邊直接給像素的共同電極供電。由于極大地縮短了供電距離，使得溶液加工的電極材料低電導(dǎo)率的缺點(diǎn)得到克服。

附圖說(shuō)明

圖1為現(xiàn)有常見OLED顯示屏的整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2(a)、圖2(b)和圖2(c)分別為現(xiàn)有常見OLED顯示屏的像素基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖、垂直于Data線方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖和垂直于Gate線方向的截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3(a)和圖3(b)分別為現(xiàn)有常見OLED顯示屏的像素基板制備有機(jī)功能層和共同電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(a)為本實(shí)用新型實(shí)施例1增加裸露的Vcom走線后的像素基板截面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(b)和圖4(c)分別為實(shí)施例2增加裸露的Vcom走線后的像素基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖和俯視結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(d)為本實(shí)用新型實(shí)施例1所得像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4(e)為本實(shí)用新型實(shí)施例3所得像素結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中標(biāo)記說(shuō)明如下：1-Vdd輸入端，2-Data線輸入端陣列，3-Vcom輸入端、4-Gate線輸入端陣列，5-顯示區(qū)，6-像素定義層，7-Data線，8-Gate線，9-Vdd線，10-玻璃，11-TFT電路區(qū)，12-ITO像素電極，13-有機(jī)功能層，14-共同電極，15-Vcom走線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合實(shí)施例及附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例1

本實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏，由Vdd輸入端、Data線輸入端陣列、Vcom輸入端、Gate線輸入端陣列和顯示區(qū)構(gòu)成，所述顯示區(qū)具有如下所述的像素結(jié)構(gòu)：在傳統(tǒng)像素基板的基礎(chǔ)上，在每個(gè)像素旁增加裸露的Vcom走線，不被像素定義層或其它絕緣層覆蓋，Vcom走線沿Data線方向，Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端連通；每個(gè)像素由下至上依次為TFT電路區(qū)、ITO像素電極、有機(jī)功能層和共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極全部連通。本實(shí)施例中增加裸露的Vcom走線后的像素基板截面結(jié)構(gòu)示意圖如4(a)所示；所得像素結(jié)構(gòu)示意圖如4(d)所示。

本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏可通過(guò)如下方法制備：

(1)在傳統(tǒng)顯示屏基板的基礎(chǔ)上，在顯示區(qū)內(nèi)像素定義層(PDL層)上利用光刻工藝增加一層裸露的沿Data線方向的Vcom走線(Mo/Al/Mo夾層結(jié)構(gòu))，厚度約1um，寬度約5um。Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端相接。

(2)步驟(1)的基板上溶液加工各有機(jī)功能層：

1)空穴注入層：噴墨打印PEDOT:PSS約40nm厚；

2)空穴傳輸層：旋轉(zhuǎn)涂覆PVK約40nm厚；

3)發(fā)光層：旋轉(zhuǎn)涂覆MEH-PPV約70nm厚(發(fā)橙光)，或噴墨打印CdS量子點(diǎn)約60nm厚(發(fā)紅光)；

4)電子傳輸層：噴墨打印ZnO納米顆粒約30nm厚；

5)電子注入層：旋轉(zhuǎn)涂覆Cs₂CO₃納米顆粒約20nm厚；

(3)噴墨打印共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極全部連通。

1)噴墨打印PEDOT:PSS約300nm厚。打印前PEDOT:PSS與乙醇按2:1體積比稀釋，提高電導(dǎo)率。

2)噴墨打印直徑約50nm的銀納米線，在PEDOT:PSS上形成均勻的銀納米線網(wǎng)絡(luò)。

(4)按傳統(tǒng)工藝進(jìn)行包封、壓焊電路等外圍工作，得到完整的OLED顯示屏。

實(shí)施例2

本實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏，由Vdd輸入端、Data線輸入端陣列、Vcom輸入端、Gate線輸入端陣列和顯示區(qū)構(gòu)成，所述顯示區(qū)具有如下所述的像素結(jié)構(gòu)：在傳統(tǒng)像素基板的基礎(chǔ)上，在每個(gè)像素旁增加裸露的Vcom走線，不被像素定義層或其它絕緣層覆蓋，Vcom走線沿Gate線方向，Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端連通；每個(gè)像素由下至上依次為TFT電路區(qū)、ITO像素電極、有機(jī)功能層和共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極不連通。本實(shí)施例中增加裸露的Vcom走線后的像素基板的截面結(jié)構(gòu)示意圖和俯視結(jié)構(gòu)示意圖分別如圖4(b)和圖4(c)所示。

本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏可通過(guò)如下方法制備：

(1)在傳統(tǒng)顯示屏基板的基礎(chǔ)上，在顯示區(qū)內(nèi)像素定義層(PDL層)上利用噴墨工藝增加一層裸露的沿Gate線方向的Vcom走線(Ag納米顆粒)，厚度約1um，寬度約10um。Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端相接。

(2)步驟(1)的基板上溶液加工各有機(jī)功能層：

1)空穴注入層：噴墨打印PEDOT:PSS約40nm厚；

2)空穴傳輸層：旋轉(zhuǎn)涂覆PVK約40nm厚；

3)發(fā)光層：旋轉(zhuǎn)涂覆MEH-PPV約70nm厚(發(fā)橙光)，或噴墨打印CdS量子點(diǎn)約60nm厚(發(fā)紅光)；

4)電子傳輸層：噴墨打印ZnO納米顆粒約30nm厚；

5)電子注入層：旋轉(zhuǎn)涂覆Cs₂CO₃納米顆粒約20nm厚；

(3)噴墨打印共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極不連通。

1)噴墨打印PEDOT:PSS約300nm厚。打印前PEDOT:PSS與乙醇按2:1體積比稀釋，提高電導(dǎo)率。

2)噴墨打印直徑約50nm的銀納米線，在PEDOT:PSS上形成均勻的銀納米線網(wǎng)絡(luò)。

(4)按傳統(tǒng)工藝進(jìn)行包封、壓焊電路等外圍工作，得到完整的OLED顯示屏。

實(shí)施例3

本實(shí)施例的一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏，由Vdd輸入端、Data線輸入端陣列、Vcom輸入端、Gate線輸入端陣列和顯示區(qū)構(gòu)成，所述顯示區(qū)具有如下所述的像素結(jié)構(gòu)：在傳統(tǒng)像素基板的基礎(chǔ)上，在每個(gè)像素旁增加裸露的Vcom走線，不被像素定義層或其它絕緣層覆蓋，Vcom走線沿Data線方向，Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端連通；每個(gè)像素由下至上依次為TFT電路區(qū)、ITO像素電極、有機(jī)功能層和共同電極，每個(gè)像素中的共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的共同電極不連通。所得像素結(jié)構(gòu)示意圖如4(e)所示。

本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示屏可通過(guò)如下方法制備：

(1)在傳統(tǒng)顯示屏基板的基礎(chǔ)上，在顯示區(qū)內(nèi)像素定義層(PDL層)上利用光刻工藝增加一層裸露的沿Data線方向的Vcom走線(Mo/Al/Mo夾層結(jié)構(gòu))，厚度約1um，寬度約5um。Vcom走線在顯示區(qū)外與Vcom輸入端相接。

(2)步驟(1)的基板上溶液加工各有機(jī)功能層：

1)空穴注入層：噴墨打印PEDOT:PSS約40nm厚；

2)空穴傳輸層：旋轉(zhuǎn)涂覆PVK約40nm厚；

3)發(fā)光層：旋轉(zhuǎn)涂覆MEH-PPV約70nm厚(發(fā)橙光)，或噴墨打印CdS量子點(diǎn)約60nm厚(發(fā)紅光)；

4)電子傳輸層：噴墨打印ZnO納米顆粒約30nm厚；

5)電子注入層：旋轉(zhuǎn)涂覆Cs₂CO₃納米顆粒約20nm厚；

(3)噴墨打印透明共同電極，每個(gè)像素中的透明共同電極與像素旁的Vcom走線連通，不同像素中的透明共同電極不連通。

1)噴墨打印PEDOT:PSS約300nm厚。打印前PEDOT:PSS與乙醇按2:1體積比稀釋，提高電導(dǎo)率。

2)噴墨打印直徑約50nm的銀納米線，在PEDOT:PSS上形成均勻的銀納米線網(wǎng)絡(luò)。

(4)按傳統(tǒng)工藝進(jìn)行包封、壓焊電路等外圍工作，得到完整的OLED顯示屏。

上述實(shí)施例為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制，其它的任何未背離本實(shí)用新型的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化，均應(yīng)為等效的置換方式，都包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。