技術(shù)總結(jié)
本實(shí)用新型涉及一種雙向超低電容瞬態(tài)電壓抑制器，包括：第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；第二導(dǎo)電類型的第一外延層；第一導(dǎo)電類型的第一埋層，該第一埋層自第一外延層表面延伸至其內(nèi)，第一埋層所環(huán)繞的第一外延層的區(qū)域?yàn)楦綦x島；在隔離島內(nèi)形成的第一導(dǎo)電類型的第三埋層，其延伸進(jìn)入第一外延層；形成第一導(dǎo)電類型的第三外延層；在隔離島內(nèi)形成的第二導(dǎo)電類型的隔離，其從第三外延層表面延伸進(jìn)入第一外延層；第一導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)，形成在第三埋層上方的第三外延層中；第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，包括與隔離接觸的第二摻雜區(qū)和由隔離所環(huán)繞的區(qū)域內(nèi)的第二摻雜區(qū)；第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)，形成在第一摻雜區(qū)環(huán)繞的第三外延層中。

技術(shù)研發(fā)人員：周源;淮永進(jìn);徐遠(yuǎn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北京燕東微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201621030298
技術(shù)研發(fā)日：2016.08.31
技術(shù)公布日：2017.07.04