1.一種雙向超低電容瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，包括：
第一導電類型的半導體襯底(2)；
第二導電類型的第一外延層(3)，形成在該襯底上；
第一導電類型的第一埋層(6)，該第一埋層自第一外延層表面延伸至其內(nèi)，第一埋層所環(huán)繞的第一外延層的區(qū)域為隔離島；
在隔離島內(nèi)形成的第一導電類型的第三埋層(7)，其延伸進入第一外延層；
形成第一導電類型的第三外延層(5)；
在隔離島內(nèi)形成的第二導電類型的隔離(8)，其從第三外延層表面延伸進入第一外延層；
第一導電類型的第一摻雜區(qū)(10)，形成在第三埋層上方的第三外延層中；
第一導電類型的第二摻雜區(qū)(9)，包括與隔離接觸的第二摻雜區(qū)和由隔離所環(huán)繞的區(qū)域內(nèi)的第二摻雜區(qū)；
第二導電類型的第三摻雜區(qū)(11)，形成在第一摻雜區(qū)(10)環(huán)繞的第三外延層中；
其中相互接觸的隔離和第二摻雜區(qū)分別作為第一瞬態(tài)電壓抑制器管的陽極和陰極，第一外延層和襯底分別作為第二瞬態(tài)電壓抑制器管的陽極和陰極，第三摻雜區(qū)和第一摻雜區(qū)分別作為上整流二極管的陽極和陰極，由隔離所環(huán)繞的區(qū)域內(nèi)的第二摻雜區(qū)作為下整流二極管的陰極，下整流二極管與第一、第二瞬態(tài)電壓抑制器管共用陽極；
并且其中第一導電類型與第二導電類型相反。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，還包括
在第二摻雜區(qū)、第一摻雜區(qū)、第三摻雜區(qū)對應的位置形成的引線孔；
在引線孔的位置形成的互連線(13)，其中上整流管的陽極和下整流管的陰極通過互連線連接，形成雙向瞬態(tài)電壓抑制器的一個引出端；
形成在襯底背面的金屬化層(1)，作為雙向瞬態(tài)電壓抑制器管的另一個引出端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，該與隔離接觸的第二摻雜區(qū)位于所述隔離內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，該第三摻雜區(qū)與第三埋層不接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，第一摻雜區(qū)延伸接觸第三埋層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，
第一外延層的電阻率不大于0.02Ω·cm，厚度不小于6μm；
第三外延層的電阻率大于5.5Ω·cm，厚度＞5.5μm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于,
第一摻雜區(qū)為濃度不小于E19cm-3數(shù)量級的第一導電類型雜質(zhì)形成的摻雜區(qū)；
第二摻雜區(qū)為濃度不小于E19cm-3數(shù)量級的第一導電類型雜質(zhì)形成的摻雜區(qū)；
第三摻雜區(qū)為離子注入劑量大于E14cm-2數(shù)量級的第二導電類型雜質(zhì)并退火后形成的摻雜區(qū)。
8.如權(quán)利要求1-7中任一項所述的瞬態(tài)電壓抑制器，其特征在于，所述第一導電類型為N型，第二導電類型為P型；或
所述第一導電類型為P型，第二導電類型為N型。