本實用新型一般關(guān)于一種電力開關(guān)裝置，具體而言，本實用新型關(guān)于電力開關(guān)裝置的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

隨著集成電路技術(shù)的進步，功率半導體元件由于具有高集成密度、相當?shù)偷撵o態(tài)漏電流以及不斷提升的功率容量，因此目前已被廣泛地應(yīng)用于電源裝置及變頻器等領(lǐng)域。

在現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)中，無論是功率晶體管彼此之間或是功率晶體管本身與其他元件之間均會有電性連接的需求。然而，目前現(xiàn)有的電源模塊封裝結(jié)構(gòu)大多采用打線連接方式達成電性連接，使得電源模塊封裝結(jié)構(gòu)的導通電阻居高不下，進而影響切換效率。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的問題，本實用新型的一目的在于提供一種電力開關(guān)裝置，具有低導通電阻、可提升電連接性可靠度及有效定位的封裝結(jié)構(gòu)。

本實用新型的另一目的在于提供一種電力開關(guān)裝置，其利用多個金屬夾板連接多個半導體芯片，并通過定位結(jié)構(gòu)有效定位金屬夾板彼此間的相對位置，以提升電性連接的可靠度。

于一實施例中，本實用新型提供一種電力開關(guān)裝置，其包含基板、第一半導體芯片、第二半導體芯片、第一金屬夾板及第二金屬夾板，基板具有第一接觸部、第二接觸部及第三接觸部；第一半導體芯片具有第一電極與第二電極，第一半導體芯片的第二電極連接第一接觸部；第二半導體芯片具有第一電極與第二電極，第二半導體芯片的第一電極連接第二接觸部；第一金屬夾板具有第一表面，且第一金屬夾板連接第一半導體芯片的第一電極與第三接觸部；第二金屬夾板部份堆疊在第一金屬夾板的第一表面，以連接第二半導體芯片的第二電極與第一金屬夾板的第一表面，第一金屬夾板與第二金屬夾板的連接處存在定位結(jié)構(gòu)。

于一實施例，該定位結(jié)構(gòu)形成于該第一金屬夾板及該第二金屬夾板的相互配合的凹凸結(jié)構(gòu)。

于一實施例，該定位結(jié)構(gòu)形成于該第一金屬夾板及該第二金屬夾板的相互配合的貫孔及凸點。

于一實施例，該定位結(jié)構(gòu)為一突出部，形成于該第二金屬夾板的端部，且該突出部朝向該第一金屬夾板突出。

于一實施例，該定位結(jié)構(gòu)為一突出部，形成于該第一金屬夾板的端部，且該突出部朝向該第二金屬夾板突出。

于一實施例，該定位結(jié)構(gòu)為一突出部，形成于該第一金屬夾板及該第二金屬夾板的端部，且該突出部向該第一金屬夾板與該第二金屬夾板的連接面方向突出。

于另一實施例，本實用新型提供一種電力開關(guān)裝置，其包含基板、第一半導體芯片、第二半導體芯片及連接單元，基板具有第一接觸部、第二接觸部及第三接觸部；第一半導體芯片連接第一接觸部；第二半導體芯片連接第二接觸部；連接單元包含部分堆疊連接的第一金屬夾板與第二金屬夾板，連接單元連接第一半導體芯片、第二半導體芯片及第三接觸部，第一金屬夾板與第二金屬夾板的連接處具有定位結(jié)構(gòu)。換句話說，第一金屬夾板與該第二金屬夾板為部分堆疊，且至少其中之一具有一定位構(gòu)造。

于一實施例，定位結(jié)構(gòu)形成于第一金屬夾板及第二金屬夾板的相互配合的凹凸結(jié)構(gòu)。

于一實施例，定位結(jié)構(gòu)形成于第一金屬夾板及第二金屬夾板的相互配合的貫孔及凸點。

于一實施例，定位結(jié)構(gòu)為突出部，突出部形成于第二金屬夾板的端部，且突出部朝向第一金屬夾板突出。

于一實施例，定位結(jié)構(gòu)為突出部，突出部形成于第一金屬夾板的端部，且突出部朝向第二金屬夾板突出。

于一實施例，定位結(jié)構(gòu)為突出部，形成于第一金屬夾板及第二金屬夾板的端部，且突出部向第一金屬夾板與第二金屬夾板的連接面方向突出。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本實用新型所公開的電力開關(guān)裝置采用兩個彼此間具有定位結(jié)構(gòu)的金屬夾板來進行電性連接，由于每個金屬夾板不需連接多個功率晶體管，故其長度較短，不易于遠端產(chǎn)生翹起的現(xiàn)象，大幅提升其電性連接的可靠度，并且由于其需要電性連接的點較少，亦可有效改善現(xiàn)有技術(shù)中由于不平整而導致開路或電性連接不良的現(xiàn)象。本實用新型通過定位結(jié)構(gòu)有效提升于金屬夾板間相對位置的定位，并可進一步加強電性連接的可靠度，且定位結(jié)構(gòu)可整合在兩個金屬夾板至少其一中，故不致于影響整個電力開關(guān)裝置的部件種類及數(shù)量，亦不會增加工藝上的復(fù)雜度及成本。

關(guān)于本實用新型的優(yōu)點與精神可以通過以下的實用新型詳述及所附附圖得到進一步的了解。

附圖說明

圖1為根據(jù)本實用新型的一實施例的電力開關(guān)裝置的剖面示意圖。

圖2至圖6分別為根據(jù)本實用新型的不同實施例的電力開關(guān)裝置的剖面示意圖。

圖7、圖7A及圖7B分別為根據(jù)本實用新型的另一實施例的電力開關(guān)裝置的平面示意圖及沿圖7的切線AA、BB的剖面示意圖。

圖8、圖8A及圖8B分別為根據(jù)本實用新型的另一實施例的電力開關(guān)裝置的平面示意圖及沿圖8的切線AA、BB的剖面示意圖。

圖9、圖9A及圖9B分別為根據(jù)本實用新型的另一實施例的電力開關(guān)裝置的平面示意圖及沿圖9的切線AA、BB的剖面示意圖。

圖10、圖10A及圖10B分別為根據(jù)本實用新型的另一實施例的電力開關(guān)裝置的平面示意圖及沿圖10的切線AA、BB的剖面示意圖。

圖11至圖13分別為本實用新型一實施例的電力開關(guān)裝置應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器的電路示意圖、俯視示意圖及剖面示意圖。

圖14為根據(jù)本實用新型的不同實施例的電力開關(guān)裝置的俯視示意圖。

主要元件符號說明：

1、2、7～9、11 電力開關(guān)裝置

10 連接單元

21～28 定位結(jié)構(gòu)

110 基板

112 第一接觸部

114 第二接觸部

116 第三接觸部

120 第一半導體芯片

130 第二半導體芯片

140 第一金屬夾板

140a 直角輪廓

142 凹槽

144 凸點

146 凸點

148 貫孔

149a、149b、149c 突出部

150 第二金屬夾板

150a 內(nèi)直角彎折面

152 凸點

154 凹槽

156 凹槽

158 突出部

159a、159b、159c 突出部

160 導電粘著層

170 封裝材料層

210 導線架

PI 電源輸入端

GND 接地端

PH 相位端

Q1 高側(cè)N型晶體管

Q2 低側(cè)N型晶體管

D1～D2 汲極

S1～S2 源極

G1～G2 閘極

VIN 輸入電壓

VOUT 輸出電壓

SD1～SD2 驅(qū)動控制信號

IL 電感電流

PO 輸出端

L 輸出電感

Cout 輸出電容

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參考本實用新型的示范性實施例，并在附圖中說明所述示范性實施例的實例。為簡化附圖起見，一些常見慣用的結(jié)構(gòu)與元件在附圖中將以簡單示意的方式繪示之。另外，在附圖及實施方式中所使用相同或類似標號的元件/構(gòu)件是用來代表相同或類似部分。在下述諸實施例中，當元件被指為“連接”或“耦接”至另一元件時，其可為直接連接或耦接至另一元件，或可能存在介于其間的元件或特定材料，例如：膠體或焊料。

如圖1所示，于一實施例，電力開關(guān)裝置1包含基板110、第一半導體芯片120、第二半導體芯片130及連接單元10?；?10具有第一接觸部112、第二接觸部114及第三接觸部116。第一半導體芯片120連接第一接觸部112，而第二半導體芯片130連接第二接觸部114。連接單元10包含第一金屬夾板140與第二金屬夾板150，第一金屬夾板140與第二金屬夾板150部分堆疊連接。由此，連接單元40連接第一半導體芯片120、第二半導體芯片130及第三接觸部116，且第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的連接處具有定位結(jié)構(gòu)21，定位結(jié)構(gòu)21可以在第一金屬夾板140上，也可以在第二金屬夾板150上，或兩者皆有用于定位的結(jié)構(gòu)。

具體而言，基板110可為合宜的電路板、陶瓷基板或?qū)Ь€架，且第一接觸部112、第二接觸部114及第三接觸部116較佳為基板110與第一半導體芯片120及第二半導體芯片130形成電連接的接合墊或接點板。依據(jù)電力開關(guān)裝置1的應(yīng)用，第一半導體芯片120及第二半導體芯片130可為金氧半場效晶體管、功率晶體管、其他型式的晶體管或半導體芯片，不以此為限。第一半導體芯片120及第二半導體芯片130分別對應(yīng)第一接觸部112及第二接觸部114設(shè)置于基板110上，且較佳通過例如導電粘著層160(例如焊錫)分別接合第一接觸部112及第二接觸部114。

第一金屬夾板140設(shè)置于第一半導體芯片120及第三接觸部116上，使得第一半導體芯片120可通過第一金屬夾板140與基板110的第三接觸部116形成電性連接。于一實施例中，第一金屬夾板140可通過導電粘著層160與第一半導體芯片120形成電性連接并可通過導電粘著層160與第三接觸部116形成電性連接，使得第一半導體芯片120能夠通過第一金屬夾板140與第三接觸部116形成電性連接。

第二金屬夾板150設(shè)置于第一半導體芯片120及第二半導體芯片130上，使得第二半導體芯片130可通過第二金屬夾板150與第一金屬夾板140形成電性連接。如圖1所示，第一金屬夾板140為L型的銅片，且第二金屬夾板150亦可為銅片，其自第二半導體芯片130一側(cè)彎折延伸于第一金屬夾板140的上方，以部分堆疊于第一金屬夾板140上。于此實施例，定位結(jié)構(gòu)21形成于第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的相互配合的凹凸結(jié)構(gòu)。舉例而言，第一金屬夾板140與第二金屬夾板150重疊的上表面形成有凹槽142，而第二金屬夾板150與第一金屬夾板140重疊的下表面則形成有對應(yīng)的凸點152，凸點152伸入凹槽142，以定位第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的相對位置且增進彼此間的連接性。第一金屬夾板140及第二金屬夾板150可通過導電粘著層160形成電連接，且導電粘著層160設(shè)置于凹槽142中，以使第一金屬夾板140及第二金屬夾板150不僅可通過凹槽142及凸點152定位，更可進一步加強彼此間的電性連接。

于一實施例中，電力開關(guān)裝置1更包含封裝材料層170來包覆第一半導體芯片120及第二半導體芯片130，以阻隔水氣或其他物質(zhì)對第一半導體芯片120及第二半導體芯片130造成腐蝕或損壞。此外，封裝材料層170更可至少部分包覆第一金屬夾板140與第一金屬夾板140。于一實施例中，封裝材料層170可露出第一金屬夾板140的一部分、第二金屬夾板150的一部分或其組合，以協(xié)助第一半導體芯片120及第二半導體芯片130進行散熱，但不以此為限。

于另一實施例，如圖2所示，第二金屬夾板150自第二半導體芯片130延伸于第一半導體芯片120上的連接板，而第一金屬夾板140延伸于第二金屬夾板150上方，以部分堆疊于第二金屬夾板150上。于此實施例，定位結(jié)構(gòu)22較佳為形成于第一金屬夾板140下表面的凸點144及形成于第二金屬夾板150上表面的凹槽154，使得凸點144較佳伸入凹槽154，以定位第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的相對位置，且并通過導電粘著層160增進彼此間的連接性。

如圖3所示，于另一實施例，定位結(jié)構(gòu)23較佳為形成于第一金屬夾板140上表面的凸點146以及第二金屬夾板150下表面對應(yīng)的凹槽156，且凹槽156中可不設(shè)置導電粘著層160?？墒沟谝唤饘賷A板140及第二金屬夾板150通過凸點146與凹槽156定位在正確的相對位置。

于一實施例中，第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的厚度可以是25微米至75微米，但不以此為限。于前述實施例中，定位機構(gòu)21、22、23較佳通過機械加工分別于第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的連接位置(即重疊區(qū))形成對應(yīng)的凹槽及凸點，但不以此為限。

于一實施例中，如圖4所示，定位結(jié)構(gòu)24形成于第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的相互配合的貫孔及凸點。舉例而言，第一夾板140形成有貫穿其上、下表面的貫孔148，而第二金屬夾板150與第一金屬夾板140重疊的下表面較佳形成有對應(yīng)的凸點152，凸點152較佳伸入貫孔148，以定位第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的相對位置且增進彼此間的連接性。當?shù)谝唤饘賷A板140及第一半導體芯片120通過導電粘著層160形成電連接時，涂布于第一半導體芯片120的導電粘著層160可通過第一金屬夾板140壓擠而部分進入貫孔148，或甚至溢出貫孔148。當?shù)诙饘賷A板150壓抵于第一金屬夾板140上方時，凸點152伸入貫孔148并埋入導電粘著層160而進一步將導電粘著層160擠壓至第一金屬夾板140及第二金屬夾板150之間，使得第二金屬夾板150與第一金屬夾板140可通過溢出的導電粘著層160形成電連接。由此，可省略于第一金屬夾板140與第二金屬夾板150間的導電粘著層160的涂布步驟，有效簡化工藝。

于一實施例中，如圖5所示，上述的凸點152可由突出部158取代，亦即定位結(jié)構(gòu)25形成于第一金屬夾板140的貫孔148及第二金屬夾板150的突出部158。舉例而言，突出部158形成于第二金屬夾板150的端部，且突出部158朝向第一金屬夾板140的上表面向下延伸。于一實施例，突出部158實施為第二金屬夾板150末端向下彎折的部分，且突出部158的延伸長度較佳以貫孔148或凹槽142的深度為考量。舉例而言，突出部158的延伸長度較佳為可伸入貫孔148但不超出第一金屬夾板140的下表面，但不以此為限。于其他實施例，突出部158的延伸長度可通過貫孔148而略為突出第一金屬夾板140而埋入第一金屬夾板140及第一半導體芯片120之間的導電44444444

4444444446～圖10所示，定位結(jié)構(gòu)可設(shè)置于第一金屬夾板140及第二金屬夾板150其中之一或兩者均設(shè)置定位結(jié)構(gòu)。舉例而言，如圖6所示，定位結(jié)構(gòu)26形成于第二金屬夾板150的端部的突出部158，且突出部158朝向第一金屬夾板140的側(cè)邊向下延伸。于此實施例，第二金屬夾板150自第一金屬夾板140的一端至少部分延伸超過第一金屬夾板140的相對另一端，使得突出部158朝向第一金屬夾板140所在的方向突出，即向下延伸以對應(yīng)第一金屬夾板140相對于基板110實質(zhì)直立的至少部分側(cè)表面。于一實施例中，如圖7、7A及7B所示，定位結(jié)構(gòu)27為第一金屬夾板140的突出部149a、149b及/或149c。圖7為根據(jù)本實用新型的一實施例的電力開關(guān)裝置7的平面示意圖，而圖7A及7B為分別沿圖7的切線AA、BB的剖面示意圖。突出部149a、149b、149c可設(shè)置于第一金屬夾板140的各側(cè)邊端部以對應(yīng)第二金屬夾板150的側(cè)邊端部，且突出部149a、149b、149c向第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的連接面方向突出，例如朝第二金屬夾板150邊緣向上突出以對應(yīng)第二金屬夾板150相對于基板110實質(zhì)直立的至少部分側(cè)表面。于另一實施例中，定位結(jié)構(gòu)為第二金屬夾板150的突出部159a、159b及/或159c。圖8為根據(jù)本實用新型的一實施例的電力開關(guān)裝置8的平面示意圖，而圖8A及8B為分別沿圖8的切線AA、BB的剖面示意圖。突出部159a、159b、159c可設(shè)置于第二金屬夾板150的各側(cè)邊端部以對應(yīng)第一金屬夾板140的側(cè)邊端部，且突出部159a、159b、159c向第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的連接面方向突出，例如朝第一金屬夾板140邊緣向下突出以對應(yīng)第一金屬夾板140相對于基板110實質(zhì)直立的至少部分側(cè)表面。于又一實施例中，如圖9、9A及9B所示，定位結(jié)構(gòu)為第一金屬夾板140的突出部149a及第二金屬夾板150的突出部159b及/或159c。圖9為根據(jù)本實用新型的一實施例的電力開關(guān)裝置9的平面示意圖，而圖9A及9B為分別沿圖9的切線AA、BB的剖面示意圖。突出部149a、159b、159c向第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的連接面方向突出，例如突出部149a向上突出以對應(yīng)第二金屬夾板150相對于基板110實質(zhì)直立的至少部分側(cè)表面且突出部159b、159c向下突出以對應(yīng)第一金屬夾板140實質(zhì)直立于基板110的至少部分側(cè)表面。于一實施例中，如圖10、10A及10B所示，定位結(jié)構(gòu)為第一金屬夾板140的突出部149b、149c及第二金屬夾板150的突出部159a。圖10為根據(jù)本實用新型的一實施例的電力開關(guān)裝置11的平面示意圖，而圖10A及10B為分別沿圖10的切線AA、BB的剖面示意圖。突出部149b、149c、159a向第一金屬夾板140與第二金屬夾板150的連接面方向突出，例如突出部149b、149c向上突出以對應(yīng)第二金屬夾板150相對于基板110實質(zhì)直立的至少部分側(cè)表面且突出部159a向下突出以對應(yīng)第一金屬夾板140實質(zhì)直立于基板110的至少部分側(cè)表面。簡而言之，定位結(jié)構(gòu)可設(shè)置于第一金屬夾板140或第二金屬夾板150的端部，通過突出部與另一金屬夾板側(cè)邊的對應(yīng)定位，而可省略金屬夾板凹點或貫孔的機械加工程序。

在此需注意，依據(jù)實際應(yīng)用及需求，于其他實施例中，圖6～10的突出部定位結(jié)構(gòu)可與前述圖1～5的任一定位結(jié)構(gòu)21～25同時使用，以強化定位效果，但不以此為限。

本實用新型的電力開關(guān)裝置可應(yīng)用于電源模塊、半橋式模塊、電源轉(zhuǎn)換器的輸出級等，但不以此為限。舉例而言，如圖11～13所示，于一實施例中，電力開關(guān)裝置應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器，例如直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC converter)的輸出級OS。于此實施例，應(yīng)用于電力開關(guān)裝置2的輸出級OS包括導線架210、高側(cè)N型晶體管Q1、低側(cè)N型晶體管Q2、第一金屬夾板140及第二金屬夾板150。導線架210包括電源輸入端PI、接地端GND、相位端PH。換言之，本實施例的導線架210、高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2分別模擬于前述實施例的基板110、第一半導體芯片120及第二半導體芯片130，而電源輸入端PI、接地端GND及相位端PH則分別模擬于前述實施例的第一接觸部112、第二接觸部114及第三接觸部116。

高側(cè)N型晶體管Q1設(shè)置于電源輸入端PI上，且高側(cè)N型晶體管Q1的汲極D1面向電源輸入端PI并可通過導電粘著層160與電源輸入端PI形成電性連接，以從電源輸入端PI取得輸入電壓VIN。由此，高側(cè)N型晶體管Q1在運作過程中所產(chǎn)生的大量熱能可通過電源輸入端PI進行散熱。在一實施例中，導電粘著層160可以是焊錫，但不以此為限。于實際應(yīng)用中，高側(cè)N型晶體管Q1的汲極D1亦可通過熱壓法或其他方式與電源輸入端PI形成電性連接，并無特定的限制。于一實施例中，高側(cè)N型晶體管Q1可以是具有垂直型式的晶體管，例如溝渠式(Trench-type)晶體管，但不以此為限。

低側(cè)N型晶體管Q2設(shè)置于接地端GND上，且低側(cè)N型晶體管Q2的源極S2面向接地端GND并可通過導電粘著層160與接地端GND形成電性連接。由此，低側(cè)N型晶體管Q2在運作過程中產(chǎn)生的大量熱能可通過接地端GND進行散熱。于實際應(yīng)用中，低側(cè)N型晶體管Q2的源極S2亦可通過熱壓法或其他方式與接地端GND形成電性連接，并無特定的限制。于一實施例中，低側(cè)N型晶體管Q2可以是具有水平型式的晶體管，例如橫向雙擴散金氧半場效晶體管(Lateral double-diffused MOS,LDMOS)，但不以此為限。在其他實施例中，低側(cè)N型晶體管Q2也可以是具有垂直型式的晶體管，且低側(cè)N型晶體管Q2為倒置放置，但不以此為限。

第一金屬夾板140設(shè)置于高側(cè)N型晶體管Q1及相位端PH上，使得高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1可通過第一金屬夾板140與導線架210的相位端PH形成電性連接。第二金屬夾板150設(shè)置于高側(cè)N型晶體管Q1及低側(cè)N型晶體管Q2上，并部份堆疊在第一金屬夾板140的上表面，以連接低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2與第一金屬夾板140的上表面，使得高側(cè)N型晶體管Q1的源極S1能夠通過第一金屬夾板140及第二金屬夾板150而與低側(cè)N型晶體管Q2的汲極D2形成電性連接。

輸出電感L電性連接于相位端PH與輸出端PO之間，輸出電容Cout電性連接于輸出端PO與接地GND之間，電源轉(zhuǎn)換器1的輸出級OS所輸出的輸出電流IL流經(jīng)輸出電感L后于輸出端PO形成輸出電壓VOUT。在其他實施例中，相位端PH亦可稱之為輸出端，本實用新型并不以此為限。于一實施例中，驅(qū)動芯片(未繪示)可通過驅(qū)動控制信號SD1及SD2分別控制高側(cè)N型晶體管Q1的閘極G1及低側(cè)N型晶體管Q2的閘極G2的開啟或關(guān)閉，以將輸入電壓VIN轉(zhuǎn)換為較低的輸出電壓VOUT。在其他實施例中，高側(cè)N型晶體管Q1、低側(cè)N型晶體管Q2及驅(qū)動芯片亦可整合成單顆封裝體，業(yè)界稱之為DrMOS封裝體。于實際應(yīng)用中，驅(qū)動芯片可與脈寬調(diào)變(Pulse-width modulation,PWM)控制芯片整合為一控制器，但不以此為限。

于此實施例，如圖13所示，定位結(jié)構(gòu)28可為第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的相互配合的外觀輪廓。舉例而言，第一金屬夾板140朝向低側(cè)N型晶體管Q2的末端可具有直角輪廓140a，而第二金屬夾板150可具有內(nèi)直角彎折面150a，以對應(yīng)第一金屬夾板140的直角輪廓140a。通過內(nèi)直角彎折面150a與直角輪廓140a相互對應(yīng)，可有效定位第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的相對位置。

雖然本實施例中第一金屬夾板140及第二金屬夾板150以外觀輪廓相互配合的定位結(jié)構(gòu)28說明，然而第一金屬夾板140及第二金屬夾板150的定位機制可利用任一定位結(jié)構(gòu)21～26、突出部149a～c、159a～c或其組合取代定位結(jié)構(gòu)28。雖然圖12中繪示第二金屬夾板150與第一金屬夾板140具有實質(zhì)寬度相同的堆疊部分，但不以此為限。于一實施例，如圖14所示，第二金屬夾板150延伸堆疊至第一金屬夾板140的部分可具有較小的寬度。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，根據(jù)本實用新型所公開的電力開關(guān)裝置采用兩個彼此間具有定位結(jié)構(gòu)的金屬夾板來進行電性連接，由于每個金屬夾板不需連接多個功率晶體管，故其長度較短，不易于遠端產(chǎn)生翹起的現(xiàn)象，大幅提升其電性連接的可靠度，并且由于其需要電性連接的點較少，亦可有效改善現(xiàn)有技術(shù)中由于不平整而導致開路或電性連接不良的現(xiàn)象。本實用新型通過定位結(jié)構(gòu)有效提升于金屬夾板間相對位置的定位，并可進一步加強電性連接的可靠度，且定位結(jié)構(gòu)可整合在兩個金屬夾板至少其一中，故不致于影響整個電力開關(guān)裝置的部件種類及數(shù)量，亦不會增加工藝上的復(fù)雜度及成本。

本實用新型已由上述實施例加以描述，然而上述實施例僅為例示目的而非用于限制。本領(lǐng)域技術(shù)人員當知在不悖離本實用新型精神下，于此特別說明的實施例可有例示實施例的其他修改。因此，本實用新型范疇亦涵蓋此類修改且僅由所附權(quán)利要求限制。