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以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器的制作方法

文檔序號:11708098閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,包括主振蕩器、功率放大器、激光分束單元和多路激光輸出頭,其特征在于主振蕩器為工作于2μm波段的單頻半導(dǎo)體激光器;功率放大器為光纖放大器,光纖放大器由多級光纖放大級構(gòu)成,每一級光纖放大級均包括光纖合束器、多模半導(dǎo)體激光泵浦、雙包層摻銩光纖和光纖隔離器,光纖合束器的泵浦端與多模半導(dǎo)體激光泵浦相接,光纖合束器的輸出端與雙包層摻銩光纖一端相連,雙包層摻銩光纖另一端與光纖隔離器相連,所述激光分束單元包括光譜濾波器和光纖分束器,光譜濾波器的輸出端與光纖分束器的輸入端相接,其中單頻半導(dǎo)體激光器的輸出端與第一級光纖放大級的光纖合束器的信號端相接,最后一級光纖放大級的光纖隔離器的輸出端與光譜濾波器的輸入端相接,光纖分束器輸出端與多路激光輸出頭相接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在功率放大器是由兩個(gè)光纖放大級組成的光纖放大器,其中第一個(gè)光纖放大級包括:一個(gè)(1+1)×1光纖合束器,(1+1)×1光纖合束器的信號端與光纖隔離器的輸出端相接,(1+1)×1光纖合束器的泵浦端與第一多模半導(dǎo)體泵浦激光相接,(1+1)×1光纖合束器的輸出端與雙包層摻銩光纖一端相接,雙包層摻銩光纖另一端與光纖隔離器相連;第二個(gè)光纖放大級包括:一個(gè)(2+1)×1光纖合束器,(2+1)×1光纖合束器的信號端接光纖隔離器的輸出端,(2+1)×1光纖合束器的兩個(gè)泵浦端分別接第二多模半導(dǎo)體泵浦激光相接,(2+1)×1光纖合束器的輸出端與雙包層摻銩光纖相連,雙包層摻銩光纖另一端與光纖隔離器相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在于第一多模半導(dǎo)體泵浦激光為光纖耦合多模半導(dǎo)體激光器,工作波長位于793nm,輸出光纖為105μm/125μm光纖,纖芯NA為0.22,輸出功率約4W,第二多模半導(dǎo)體泵浦激光為光纖耦合多模半導(dǎo)體激光器,工作波長位于793nm,輸出光纖為105μm/125μm光纖,纖芯NA為0.22,輸出功率約8W。

4.一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,包括主振蕩器、功率放大器、激光分束單元和多路激光輸出頭,其特征在于主振蕩器為工作于2μm波段的單頻半導(dǎo)體激光器;功率放大器為光纖放大器,光纖放大器由一級光纖放大級組成,光纖放大級包括光纖合束器、多模半導(dǎo)體激光泵浦、雙包層摻銩光纖和光纖隔離器,光纖合束器的泵浦端與多模半導(dǎo)體激光泵浦相接,光纖合束器的輸出端與雙包層摻銩光纖一端相連,雙包層摻銩光纖另一端與光纖隔離器相連;所述激光分束單元包括光譜濾波器和光纖分束器,光譜濾波器的輸出端與光纖分束器的輸入端相接,其中單頻半導(dǎo)體激光器的輸出端與光纖合束器的信號端相接,功率放大器光纖隔離器的輸出端與光譜濾波器的輸入端相接,光纖分束器輸出端與多路激光輸出頭相接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在主振蕩器由半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)器、2μm波段單頻半導(dǎo)體激光器和光纖隔離器組成,半導(dǎo)體激光驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)一個(gè)光纖耦合的2μm波段單頻半導(dǎo)體激光器輸出激光,單頻半導(dǎo)體激光器的輸出光纖與光纖隔離器的輸入光纖相焊接,主振蕩器光纖隔離器的輸出端與光纖合束器的信號端相接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在光纖分束器包括第一光纖分束器和第二光纖分束器,光譜濾波器的輸出端與第一光纖分束器的輸入端相接;第一光纖分束器的輸出端分別與第二光纖分束器相連,第二光纖分束器(14)的輸出端分別與多路激光輸出頭相連。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在第一光纖分束器為1×3光纖分束器,第二光纖分束器為1×2光纖分束器,多路激光輸出頭為六路激光輸出頭。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種以單頻半導(dǎo)體激光器為種子源的單頻光纖激光器,其特征在于雙包層摻銩光纖、光纖隔離器、光譜濾波器、光纖分束器和多路輸出頭均為保偏器件,以實(shí)現(xiàn)線偏振激光,其中所述雙包層摻銩光纖的芯徑/內(nèi)包層為10μm/130μm,纖芯NA為0.15。

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