1.一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極，其特征在于，所述正面電極包括第一金屬層和第二金屬層；
所述第一金屬層的上表面設置具有第一窗口的第一薄膜層；
所述第二金屬層設置在所述第一薄膜層與所述第一窗口處暴露出的第一金屬層形成的組合結構的表面上；
所述第一薄膜層和第二金屬層形成的組合結構的表面設置第二薄膜層，所述第二薄膜層包括用于焊接的第二窗口。
2.如權利要求1所述的一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為4微米；所述第二金屬層的厚度為3-8微米。
3.如權利要求1所述的一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極，其特征在于，所述第一薄膜層為SixNy薄膜層；所述第二薄膜層為聚酰亞胺薄膜層。
4.如權利要求1所述的一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極，其特征在于，所述第一薄膜層厚度為0.7微米；所述第二薄膜層的厚度為20微米。
5.一種壓接式IGBT芯片，包括集電極電極、發(fā)射極電極和柵極電極，其特征在于，所述發(fā)射極電極采用權利要求1-4所述的一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極。
6.一種壓接式FRD芯片，其特征在于，所述壓接式FRD芯片包括采用權利要求1-4所述的一種壓接式IGBT/FRD芯片的正面電極。
7.一種壓接式功率模塊，其特征在于，所述壓接式功率模塊包括多個權利要求5所述的壓接式IGBT芯片和多個權利要求6所述的壓接式FRD芯片。