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質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng)的制作方法

文檔序號:12450938閱讀:986來源:國知局
質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng)的制作方法與工藝

本實(shí)用新型涉及飛行時(shí)間質(zhì)譜儀離子源室,尤其是涉及質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng)。



背景技術(shù):

基質(zhì)輔助激光解析離子源是固態(tài)樣品解析過程,樣品靶槽內(nèi)的樣品通過進(jìn)出樣機(jī)構(gòu)自離子源室的艙門處逐步進(jìn)入真空環(huán)境,即:先進(jìn)入由樣品靶槽與艙門圍成的低真空度(10-2mbar)區(qū)域(或稱之為小腔室),然后樣品隨樣品靶槽移動到離子源室內(nèi)高真空度(10-7mbar)區(qū)域。樣品靶槽由定位機(jī)構(gòu)定位后,進(jìn)而樣品在一個特定的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行解析。因此,離子源室內(nèi)腔存在由低真空度向高真空度過渡的抽真空過程,而上述抽真空過程需要抽真空系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型目的在于提供一種質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng)。

為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采取下述技術(shù)方案:

本實(shí)用新型所述的質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng),包括設(shè)置有艙門的離子源室;所述離子源室的外壁上設(shè)置有用于檢測離子源室內(nèi)腔真空度的高真空計(jì)、和用于檢測離子源室內(nèi)位于所述艙門位置處真空度的低真空計(jì)、以及分子泵、高真空電磁閥、進(jìn)氣電磁閥;所述高真空電磁閥進(jìn)氣口與所述分子泵排氣口連通,高真空電磁閥排氣口通過三通管的第一管口和第二管口與機(jī)械泵或隔膜泵進(jìn)氣口連通,所述三通管的第三管口通過管道和預(yù)抽真空電磁閥與離子源室內(nèi)位于所述艙門位置處抽氣口連通,所述分子泵進(jìn)氣口與離子源室內(nèi)腔連通,所述進(jìn)氣電磁閥的進(jìn)氣口與大氣相連通,進(jìn)氣電磁閥的出氣口與離子源室內(nèi)位于艙門位置處的進(jìn)氣口相連通。

本實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)在于實(shí)現(xiàn)離子源室內(nèi)腔由低真空度向高真空度過渡的抽真空過程,同時(shí)抽真空過程時(shí)間短,結(jié)構(gòu)緊湊體積小。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型所述離子源室的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖2的后視圖。

具體實(shí)施方式

如圖1-3所示,本實(shí)用新型所述質(zhì)譜儀離子源室抽真空系統(tǒng),包括設(shè)置有艙門1的離子源室2;所述離子源室2的外壁上設(shè)置有用于檢測離子源室2內(nèi)腔真空度的高真空計(jì)3、和用于檢測離子源室2內(nèi)位于所述艙門1位置處真空度的低真空計(jì)4、以及分子泵5、高真空電磁閥6、進(jìn)氣電磁閥13;所述高真空電磁閥6進(jìn)氣口與所述分子泵5排氣口連通,高真空電磁閥6排氣口通過三通管的第一管口7和第二管口8與機(jī)械泵9或隔膜泵進(jìn)氣口連通,所述三通管的第三管口10通過管道11和預(yù)抽真空電磁閥12與離子源室2內(nèi)位于所述艙門1位置處抽氣口連通,所述分子泵5進(jìn)氣口與離子源室2內(nèi)腔連通,所述進(jìn)氣電磁閥13的進(jìn)氣口與大氣相連通,進(jìn)氣電磁閥13的出氣口與離子源室2內(nèi)位于艙門位置處的進(jìn)氣口相連通。

本實(shí)用新型工作原理簡述如下:

初始階段離子源室2內(nèi)充滿空氣,通過機(jī)械泵9直接抽氣,但是分子泵5不能直接對充滿空氣的離子源室2抽氣,需要機(jī)械泵9抽取并達(dá)到一定的真空度之后才能抽取。因此對于的初始抽真空階段,先由機(jī)械泵9通過分子泵5的內(nèi)腔體抽取真空并達(dá)到10-2mbar級,同時(shí)機(jī)械泵9經(jīng)三通管的第三管口10、管道11和預(yù)抽真空電磁閥12對離子源室2內(nèi)位于所述艙門1位置處進(jìn)行抽氣;由于氣壓平衡的原因,此時(shí)低真空計(jì)4讀數(shù)即為離子源室2內(nèi)的真空度,上位機(jī)不斷讀取低真空計(jì)4的測量值,當(dāng)?shù)驼婵沼?jì)4的測量值達(dá)到10-2mbar級時(shí),上位機(jī)發(fā)出指令開啟分子泵5來抽取真空,直至離子源室2內(nèi)真空度達(dá)到大于10-7mbar級(由高真空計(jì)3讀數(shù)判定)時(shí),即能夠進(jìn)行離子源激光解析的真空狀態(tài)為止。

出靶時(shí),樣品靶槽14移動到艙門1位置,此時(shí)打開進(jìn)氣電磁閥13將空氣放入由樣品靶槽14與艙門1圍成的區(qū)域,使該區(qū)域與外部環(huán)境氣壓相同,此時(shí)便可以打開艙門1更換樣品靶。

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