本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中的集成電路封裝體。

背景技術(shù)：

集成電路封裝體的可靠性會(huì)因電磁干擾(electromagnetic interference，EMI)而受到不利的影響，這就需要在集成電路封裝體的表面設(shè)置屏蔽金屬層以屏蔽電磁干擾。而屏蔽金屬層需要接地才能發(fā)揮電磁干擾屏蔽的作用。因此，一般需要先將包含若干集成電路封裝體的封裝體陣列分割成多個(gè)分離的集成電路封裝體，且切割道落在接地引腳上，以便分割后的集成電路封裝體的接地引腳裸露于邊緣；然后將各集成電路封裝體粘貼在膠帶上，使膠帶遮蔽集成電路封裝體的引腳面；最后設(shè)置屏蔽金屬層，使屏蔽金屬層與集成電路封裝體上裸露于邊緣的接地引腳連接。

然而上述屏蔽金屬層的制作方法具有以下缺陷：首先切割后的接地引腳容易產(chǎn)生毛刺現(xiàn)象，降低了集成電路封裝體的品質(zhì)、可靠性及合格率。其次，雖然使用膠帶將集成電路封裝體的信號(hào)引腳遮蔽以避免屏蔽金屬層與信號(hào)引腳連接后發(fā)生短路，但膠帶與集成電路封裝體無(wú)法百分百貼合。因此仍存在屏蔽金屬滲入膠帶與集成電路封裝體之間(即溢鍍)而與信號(hào)引腳連接的風(fēng)險(xiǎn)，同樣降低了集成電路封裝體的可靠性及合格率。再者，由于該方法需要將多個(gè)分離的集成電路封裝體逐一粘貼在膠帶上，并待屏蔽金屬層制作完成后再逐一取下，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，降低了生產(chǎn)效率。此外，切割接地引腳對(duì)切割刀片的損耗大，縮短了刀片的使用壽命短，增加了生產(chǎn)成本。而且，膠帶屬于一次性耗材，無(wú)法循環(huán)使用，這同樣增加了生產(chǎn)成本。

因此，現(xiàn)有的具有電磁干擾屏蔽功能的集成電路封裝體亟需改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的之一在于提供一集成電路封裝體，其具有屏蔽金屬層然而可有效避免接地引腳的毛刺現(xiàn)象及封裝基板設(shè)置外接引腳的面因溢鍍?cè)斐傻娘L(fēng)險(xiǎn)。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，一集成電路封裝體包含：芯片；貼裝元件，經(jīng)配置以 接地；封裝基板，經(jīng)配置以承載該芯片和該貼裝元件；該封裝基板設(shè)有信號(hào)引腳與接地引腳，其中該信號(hào)引腳經(jīng)配置以與該芯片電連接，該接地引腳經(jīng)配置以接地；絕緣殼體，經(jīng)配置以遮蔽該芯片、該貼裝元件及該封裝基板；以及屏蔽金屬層，經(jīng)配置以遮蔽該絕緣殼體的上表面及至少部分側(cè)壁。該集成電路封裝體還包括設(shè)置于該貼裝元件上的導(dǎo)電塊，該導(dǎo)電塊經(jīng)配置以與該貼裝元件電連接，且該導(dǎo)電塊的頂部與該屏蔽金屬層直接連接。

在本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，該導(dǎo)電塊經(jīng)配置以通過(guò)在該絕緣殼體上位于該貼裝元件上方的部分形成孔，并向該孔內(nèi)填入導(dǎo)電材料而形成。該導(dǎo)電材料選自但不限于金屬粉、導(dǎo)電膠和錫膏中的一種或任意幾種。該導(dǎo)電塊的直徑依該貼裝元件的尺寸而定。該導(dǎo)電塊的直徑為300-500μm。該屏蔽金屬層的側(cè)壁的最底端距離該封裝基板的上表面0-200μm。該屏蔽金屬層經(jīng)配置采用但不限于表面涂鍍工藝或表面濺鍍工藝形成。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的集成電路封裝體，通過(guò)在接地的貼裝元件上方設(shè)置導(dǎo)電塊以經(jīng)配置電連接屏蔽金屬層和貼裝元件，從而使屏蔽金屬層接地以實(shí)現(xiàn)電磁干擾屏蔽的作用。較屏蔽金屬層與裸露于集成電路封裝體邊緣的接地引腳連接以實(shí)現(xiàn)屏蔽作用的傳統(tǒng)方式，本實(shí)用新型提供的集成電路封裝體，在形成屏蔽金屬層時(shí)無(wú)需對(duì)接地引腳進(jìn)行切割，從而避免接地引腳產(chǎn)生毛刺現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品的品質(zhì)、可靠性及合格率。同時(shí)，由于切割刀片無(wú)需切割接地引腳，可延長(zhǎng)切割刀片的使用壽命，降低了生成成本。接地引腳無(wú)需裸露于集成電路封裝體邊緣，從而避免屏蔽金屬自封裝基板的邊緣溢鍍到封裝基板的底面時(shí)與信號(hào)引腳等接觸，有效避免了短路的發(fā)生，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品可靠性及合格率。此外，本實(shí)用新型還可采用吸附裝置如真空治具代替膠帶吸附封裝基板以完成表面涂鍍或表面濺鍍，在確保產(chǎn)品可靠性及合格率的同時(shí)，避免使用一次性耗材(即膠帶)，省去將集成電路封裝體粘貼在膠帶及從膠帶上取下的工序，既降低了生成成本，又提高了生產(chǎn)效率。

附圖說(shuō)明

圖1所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體的縱向截面示意圖

圖2-8所示是制作本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體的過(guò)程的示例性示意圖

具體實(shí)施方式

為更好的理解本實(shí)用新型的精神，以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對(duì)其作進(jìn) 一步說(shuō)明。

圖1所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體10的縱向截面示意圖。

如圖1所示，集成電路封裝體10包含芯片11、貼裝元件12、封裝基板13、絕緣殼體14及屏蔽金屬層15。該封裝基板13經(jīng)配置以承載該芯片11和該貼裝元件12。該封裝基板13設(shè)有若干信號(hào)引腳16與若干接地引腳17，其中信號(hào)引腳16經(jīng)配置以與芯片11電連接，若干接地引腳17經(jīng)配置以接地。在一些實(shí)施例中，接地引腳17中的部分或全部可根據(jù)芯片11的接地需求而經(jīng)配置以與其電連接。該貼裝元件12經(jīng)配置以與若干接地引腳17中的至少一者電連接以接地。該絕緣殼體14經(jīng)配置以遮蔽芯片11、貼裝元件12及封裝基板13的上表面。該屏蔽金屬層15是采用表面涂鍍工藝或表面濺鍍工藝形成，且遮蔽絕緣殼體14的上表面142及至少部分側(cè)壁143。

進(jìn)一步的，該集成電路封裝體10還包括設(shè)置于該貼裝元件12上的導(dǎo)電塊18。該導(dǎo)電塊18經(jīng)配置以與貼裝元件12電連接，且該導(dǎo)電塊18的頂部與屏蔽金屬層15直接連接。屏蔽金屬層15依次通過(guò)導(dǎo)電塊18及貼裝元件12與接地引腳17連接以接地，從而實(shí)現(xiàn)屏蔽電磁干擾的作用。較屏蔽金屬層15與裸露于封裝基板13邊緣的接地引腳17連接以實(shí)現(xiàn)屏蔽作用的傳統(tǒng)方式，本實(shí)施例提供的集成電路封裝體10無(wú)需對(duì)接地引腳17進(jìn)行切割，從而避免接地引腳17產(chǎn)生毛刺現(xiàn)象，提高了產(chǎn)品品質(zhì)、可靠性及合格率，同時(shí)可延長(zhǎng)切割刀片(未示出)的使用壽命，降低了生成成本。

因接地引腳17無(wú)需裸露于封裝基板13的邊緣131，因此可避免在涂鍍或?yàn)R鍍形成屏蔽金屬層15過(guò)程中金屬溢鍍到封裝基板13的底面132時(shí)與封裝基板13底面132的信號(hào)引腳16、接地引腳17或其他引腳(圖中以接地引腳17為例)接觸，從而有效避免了短路的發(fā)生。

導(dǎo)電塊18經(jīng)配置以通過(guò)在該絕緣殼體14上位于該貼裝元件12上方的部分先形成孔181(參見(jiàn)圖5)，然后向該孔181內(nèi)填入導(dǎo)電材料而形成。該導(dǎo)電材料選自但不限于金屬粉、導(dǎo)電膠和錫膏中的一種或任意幾種。導(dǎo)電塊18的直徑依貼裝元件12的尺寸而定，如介于300-500μm之間(包括300μm和500μm)。

屏蔽金屬層15的側(cè)壁151的最底端距離封裝基板13的上表面0-200μm(包括0μm和200μm)。

圖2-圖8是制作本實(shí)用新型一實(shí)施例的集成電路封裝體10的過(guò)程的示例性示意圖，該集成電路封裝體10可以是圖1中的集成電路封裝體10。

圖2所示是待封裝的封裝基板陣列20的縱向截面示意圖。該待封裝的封裝基板陣列20包含若干個(gè)待封裝單元30。因版面局限，圖2僅示出兩個(gè)待封裝單元30，圖3-8 類似。每一個(gè)待封裝單元30包含芯片11、貼裝元件12、經(jīng)配置以承載該芯片11和該貼裝元件12的封裝基板13。該封裝基板13設(shè)有若干信號(hào)引腳16與若干接地引腳17，其中信號(hào)引腳16經(jīng)配置通過(guò)引線19與芯片11電連接，若干接地引腳17經(jīng)配置以接地。在一些實(shí)施例中，接地引腳17中的部分或全部可根據(jù)芯片11的接地需求而經(jīng)配置以與其電連接。該貼裝元件12經(jīng)配置以與若干接地引腳17中的至少一者電連接以接地。

如圖3所示，注塑以形成絕緣殼體14從而遮蔽芯片11、貼裝元件12及封裝基板13的上表面等各部件。以上處理均是本領(lǐng)域公知常識(shí)，故此處不贅述。

接著，如圖4所示，可采用激光鉆孔或其它工藝在絕緣殼體14上位于貼裝元件12上方的部分形成孔181。

如圖5所示，向孔181內(nèi)填入導(dǎo)電材料以形成導(dǎo)電塊18，并使得導(dǎo)電塊18底部與貼裝元件12連接，導(dǎo)電塊18頂部至少與絕緣殼體14的上表面142平齊。導(dǎo)電材料可選自金屬粉、導(dǎo)電膠和錫膏中的一種或任意幾種。導(dǎo)電塊18的直徑依貼裝元件12的尺寸而定，如介于300-500μm之間。

如圖6所示，采用半切方式對(duì)絕緣殼體14進(jìn)行切割以分隔不同待封裝單元30的絕緣殼體14，相應(yīng)可無(wú)需對(duì)接地引腳17進(jìn)行切割。半切絕緣殼體14而產(chǎn)生的間隙140的底部144距離封裝基板13的上表面約0-200μm(包括0μm和200μm)，在其它實(shí)施例中，這一距離可根據(jù)實(shí)際情況調(diào)整，并不限于上述的0-200μm。

如圖7所示，隨后可采用表面涂鍍工藝或表面濺鍍工藝形成屏蔽金屬層15，從而遮蔽絕緣殼體14的上表面142、遮蔽間隙140的側(cè)壁141(即絕緣殼體14的部分側(cè)壁143)及遮蔽間隙140的底部144(參見(jiàn)圖6)。在本實(shí)施例中，因間隙140的底部144距離封裝基板13的上表面約0-200μm，所以覆蓋間隙140的側(cè)壁141的屏蔽金屬層15的最底端距離封裝基板13的上表面約0-200μm。涂鍍或?yàn)R鍍到絕緣殼體14上表面142的屏蔽金屬層15部分可與導(dǎo)電塊18頂部接觸而可經(jīng)配置與導(dǎo)電塊18電連接，進(jìn)而得以接地以實(shí)現(xiàn)電磁干擾屏蔽的作用。

屏蔽金屬層15制作完成后，可采用切割刀具4自間隙140處繼續(xù)切割直至將封裝基板13切斷，從而徹底分割得到若干集成電路封裝體。切割刀具4的切割寬度N等于或小于L，其中L為分別覆蓋在同一間隙140的相對(duì)兩側(cè)壁141上的屏蔽金屬層15之間的距離。如圖8所示，若切割刀具4切割寬度N小于L，即可得到若干圖1所示的集成電路封裝體10。

本實(shí)用新型因采用半切的方式，接地引腳17與信號(hào)引腳16無(wú)需裸露于封裝基板13的邊緣131，所以可避免在屏蔽金屬層15制造過(guò)程中將金屬溢鍍到封裝基板13的底面 132而與底面132上的接地引腳17、信號(hào)引腳16或其他引腳接觸，有效避免了引腳間的短路。相應(yīng)的，封裝基板13內(nèi)部也無(wú)需設(shè)計(jì)單獨(dú)的接地金屬層。

在其它實(shí)施例中，還可采用吸附裝置如真空治具代替膠帶(未圖示)吸附封裝基板13進(jìn)行涂鍍或?yàn)R鍍，避免使用膠帶等一次性耗材。同時(shí)，可省去將封裝體粘貼在膠帶及從膠帶上取下的工序，既降低生產(chǎn)成本，又提高生產(chǎn)效率。此外，實(shí)用新型提供的集成電路封裝體10可同時(shí)適用于表面涂覆或?yàn)R鍍導(dǎo)電層工藝，避免使用昂貴的濺鍍?cè)O(shè)備。

本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求書(shū)所涵蓋。