技術(shù)總結(jié)
一種高亮度反極性的AlGaInP基發(fā)光二極管晶圓，屬于光電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及AlGaInP四元系發(fā)光二極管的制造技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型特點(diǎn)是：金屬鍵合層和鏡面層分別以各晶粒為單位呈分布式排列，各晶粒的金屬鍵合層對(duì)應(yīng)地包裹在相應(yīng)的晶粒的ITO薄膜層下方的鏡面層外；在各晶粒的主電極和N?AlGaInP電流擴(kuò)展層周?chē)陌l(fā)光區(qū)上設(shè)置介質(zhì)膜導(dǎo)電孔層。本實(shí)用新型在電極下方P面和N面均形成了肖特基結(jié)，從而減小了電流的無(wú)效注入，提升了發(fā)光效率，可使后結(jié)工藝的切割道上沒(méi)有金屬粘結(jié)層，降低亮度損失，提升產(chǎn)品良率，減少后端工藝流程，降低切割成本，同時(shí)也避免了客戶(hù)端在進(jìn)行灌膠作業(yè)時(shí)，漏電、爬膠等問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：李波;楊凱;何勝;徐洲;林鴻亮;張永;張雙翔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：揚(yáng)州乾照光電有限公司
文檔號(hào)碼：201620529421
技術(shù)研發(fā)日：2016.06.03
技術(shù)公布日：2016.12.07