1.一種高亮度反極性的AlGaInP基發(fā)光二極管晶圓，包括襯底，在襯底下方設(shè)置背電極，在襯底上方依次設(shè)置金屬鍵合層、鏡面反射層、外延層和擴展電極，在擴展電極上設(shè)置主電極；
所述鏡面反射層由介質(zhì)膜導(dǎo)電孔層、ITO薄膜層和鏡面層組成；所述鏡面層設(shè)置在金屬鍵合層上方，ITO薄膜層設(shè)置在鏡面層上方，介質(zhì)膜導(dǎo)電孔層設(shè)置在ITO薄膜層上方；
所述外延層包括依次設(shè)置在介質(zhì)膜導(dǎo)電孔層上方的P-GaP窗口層、緩沖層、P-AlGaInP限制層、MQW多量子阱有源層、N-AlGaInP限制層、N-AlGaInP電流擴展層、粗化層和N-GaAs歐姆接觸層；
其特征在于：所述金屬鍵合層和鏡面層分別以各晶粒為單位呈分布式排列，各晶粒的金屬鍵合層對應(yīng)地包裹在相應(yīng)的晶粒的ITO薄膜層下方的鏡面層外；在各晶粒的主電極和N-AlGaInP電流擴展層周圍的發(fā)光區(qū)上設(shè)置介質(zhì)膜導(dǎo)電孔層。