技術(shù)總結(jié)
一種集成電路裝置，包括具有電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的第一襯底。離子注入到所述第一襯底中，所述離子穿過所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)以限定所述第一襯底中的分離平面。所述第一襯底在所述分離平面被分離以獲得具有所述電介質(zhì)結(jié)構(gòu)和所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的分離層。所述分離層用于形成具有多個堆疊集成電路(IC)層的三維集成電路裝置，所述分離層為所述堆疊的集成電路層之一。

技術(shù)研發(fā)人員：E·F·希歐多爾;I·C·邁克爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：硅源公司
文檔號碼：201620024133
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.11
技術(shù)公布日：2016.11.30