本實(shí)用新型涉及微電子封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種IC黑陶瓷低熔玻璃外殼覆鋁引線框架。

背景技術(shù)：

引線框架作為集成電路的芯片載體，借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線框架，其是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是針對(duì)以上不足之處，提供了一種IC黑陶瓷低熔玻璃封裝外殼覆鋁引線框架，實(shí)現(xiàn)更好的鍵合，提高封裝的可靠性。

本實(shí)用新型解決技術(shù)問(wèn)題所采用的方案是：一種IC黑陶瓷低熔玻璃外殼覆鋁引線框架,包括由鐵鎳合金帶材形成的引線框架基體，所述引線框架基體的上表面中部沿長(zhǎng)度方向復(fù)合有一第一鋁層，該第一鋁層上且位于所述引線框架基體中間位置處開(kāi)設(shè)有一用于放置集成電路芯片的空腔，所述空腔周側(cè)設(shè)有若干條從引線框架外側(cè)向內(nèi)側(cè)延伸的引線，所述引線的內(nèi)側(cè)端部表面復(fù)合有第二鋁層；所述引線內(nèi)層端部經(jīng)一硅鋁絲與集成電路芯片的焊墊電連。

進(jìn)一步的，所述空腔內(nèi)還配合設(shè)置有一黑陶瓷基片。

進(jìn)一步的，所述黑陶瓷基片經(jīng)低熔玻璃與集成電路芯片的焊墊封接。

進(jìn)一步的，所述引線總共為2N條，其中N為大于等于1的正整數(shù)，并且所述引線對(duì)稱設(shè)置于引線框架基體兩側(cè)。

進(jìn)一步的，所述集成電路芯片的焊墊的材質(zhì)為鋁。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型有以下有益效果：由于集成電路芯片的焊墊是通過(guò)在硅半導(dǎo)體表面真空鍍鋁膜，后通過(guò)光刻的方法制造出來(lái)，焊墊的材質(zhì)為鋁，本實(shí)用新型的引線框架的內(nèi)側(cè)端部鍵合區(qū)上也為鋁層，鍵合的線材為硅鋁絲，這三者為同一種材料使其能夠很好的鍵合，不會(huì)在連接的部位產(chǎn)生脆性的金屬間化合物，能夠有效保證封裝集成電路超聲壓焊的可靠性。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型專利進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的引線框架的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例的空腔的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1- 引線框架基體；2-空腔；3-第一鋁層；4-集成電路芯片；5-低熔玻璃；6-黑陶瓷基片；7-硅鋁絲；8-引線。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說(shuō)明。

如圖1～2所示，本實(shí)施例的一種IC黑陶瓷低熔玻璃外殼覆鋁引線框架，包括由鐵鎳合金帶材形成的引線框架基體1，所述引線框架基體1的上表面中部沿長(zhǎng)度方向復(fù)合有一第一鋁層3，該第一鋁層3上且位于所述引線框架基體1中間位置處開(kāi)設(shè)有一用于放置集成電路芯片4的空腔2，所述空腔2周側(cè)設(shè)有若干條從引線框架外側(cè)向內(nèi)側(cè)延伸的引線8，所述引線8的內(nèi)側(cè)端部表面復(fù)合有一第二鋁層；所述引線8內(nèi)層端部經(jīng)一硅鋁絲7與集成電路芯片4的焊墊電連。

從上述可知，本實(shí)用新型的有益效果在于： 所述帶材的厚度為0.25mm, 在鐵鎳合金帶材的上表面的中部，使用壓延的加工方法，在其上復(fù)合了一層厚度為7～15um厚度的鋁層，并且采用高精度壓力機(jī)及精密模具把復(fù)合的鐵鎳合金帶材沖壓成系列引線框架。由于集成電路芯片4的焊墊是通過(guò)在硅半導(dǎo)體表面真空鍍鋁膜，后通過(guò)光刻的方法制造出來(lái)，焊墊的材質(zhì)為鋁，本實(shí)用新型的引線框架的內(nèi)側(cè)端部鍵合區(qū)上也為鋁層，鍵合的線材為硅鋁絲7，這三者為同一種材料使其能夠很好的鍵合，不會(huì)在連接的部位產(chǎn)生脆性的金屬間化合物，能夠有效保證封裝集成電路超聲壓焊的可靠性。

在本實(shí)施例中，所述空腔2內(nèi)還配合設(shè)置有一黑陶瓷基片6。

在本實(shí)施例中，所述黑陶瓷基片6經(jīng)低熱熔玻璃5與集成電路芯片4的焊墊焊接。引線框架中部的空腔2與黑陶瓷基片6共同形成放置集成電路芯片4的空間。

在本實(shí)施例中，所述引線8總共為2N條，其中N為大于等于1的正整數(shù)，并且所述引線8對(duì)稱設(shè)置于引線框架基體1兩側(cè)。所述引線8數(shù)可以覆蓋雙列直插式外殼8~40線全系列，并且相同引線8數(shù)的引線框架也可以設(shè)置不同尺寸的內(nèi)腔規(guī)格。本實(shí)用新型的引線框架內(nèi)的引線8采用超聲壓焊，效果好，拉力強(qiáng)度高。

在本實(shí)施例中，所述集成電路芯片4的焊墊的材質(zhì)為鋁。

綜上所述，本實(shí)用新型的一種IC黑陶瓷低熔玻璃外殼覆鋁引線框架，工藝簡(jiǎn)單，鍵合性好，能夠有效保證封裝集成電路超聲壓焊的可靠性。

上列較佳實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。