技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，其中薄膜晶體管的制備方法包括：在基板上制備多晶硅層；在所述多晶硅層上順序制備金屬膜層及層間絕緣膜；在所述金屬膜層上形成貫穿所述層間絕緣膜的第一過(guò)孔并制備源漏極。上述薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板，通過(guò)在多晶硅層上增加一金屬膜層，能夠在刻蝕過(guò)孔時(shí)，保護(hù)多晶硅層，避免多晶硅層被誤刻蝕，從而提高薄膜晶體管的良品率。由于刻蝕氣體對(duì)絕緣層和金屬膜層具有較高選擇比，無(wú)需分兩階段進(jìn)行刻蝕，亦無(wú)需使用含碳較高的C4F8和C2HF5等氣體，因此不會(huì)在設(shè)備腔室內(nèi)生成CFx的反應(yīng)性生成物，從而延長(zhǎng)設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)周期，節(jié)省了工業(yè)生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：鈴木浩司;陳卓;張毅先;蘇君海;李建華
受保護(hù)的技術(shù)使用者：信利（惠州）智能顯示有限公司
文檔號(hào)碼：201611262076
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.05.17