技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
半導(dǎo)體裝置的形成方法。此方法包括形成第一圖案化硬掩模于材料層上。第一圖案化硬掩模定義開口。此方法也形成直接自組裝層于開口中，且直接自組裝層具有第一部分與第二部分。移除直接自組裝層的第一部分，沿著直接自組裝層的第二部分的側(cè)壁形成間隔物，以及移除直接自組裝層的第二部分。間隔物形成第二圖案化硬掩模于材料層上。

技術(shù)研發(fā)人員：謝艮軒;羅冠昕;張世明;林緯良;鄭雅如;陳俊光;張慶裕;陳桂順;劉如淦;高蔡勝;林進(jìn)祥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.30
技術(shù)公布日：2017.09.26