技術(shù)編號(hào)：11277901
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明實(shí)施例關(guān)于半導(dǎo)體裝置的形成方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路(IC)產(chǎn)業(yè)已快速成長(zhǎng)一段時(shí)日。IC設(shè)計(jì)與材料的技術(shù)進(jìn)展，使每一代的IC均比前一代的IC具有更小且更復(fù)雜的電路。在IC進(jìn)化中，功能密度(如單位芯片所具有的內(nèi)連線裝置數(shù)目)越來越大，而幾何尺寸(如工藝所能形成的最小構(gòu)件或線路)則越來越小。上述尺寸縮小的工藝的好處在于增加產(chǎn)能并降低相關(guān)成本。尺寸縮小也增加IC工藝的復(fù)雜性。為了實(shí)現(xiàn)這些進(jìn)展，需要發(fā)展IC工藝。雖然制作IC裝置的現(xiàn)有方法一般已適用于其發(fā)展目的，但無法完全符合所有需求。舉例來說，...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。