本公開實施例涉及一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，且特別涉及一種平坦化膜層的方法。

背景技術(shù)：

半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷快速成長。集成電路設(shè)計與材料的科技發(fā)展生產(chǎn)了數(shù)世代的集成電路，其中每個世代具備比上個世代更小及更復(fù)雜的電路。在集成電路發(fā)展的進程中，功能密度(即每一芯片面積上的內(nèi)連線元件數(shù)目)逐漸增加，而幾何尺寸(即最小可由制造過程創(chuàng)造的零件(或線))則縮小。

通常上述尺寸縮小的工藝可通過增加生產(chǎn)效率及降低相關(guān)成本而提供效益，但尺寸的微縮化亦增加了集成電路工藝及制造的困難度。為了實現(xiàn)這些進展，需要在集成電路工藝及制造上有同樣的發(fā)展。雖然現(xiàn)有的制造集成電路元件的方法對于原目的來說已經(jīng)足夠，其并非在各個面向皆令人滿意。舉例來說，平坦化膜層(planarizingafilmlayer)仍需被改善。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

一種半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：形成第一可流動材料(flowable-material,fm)層于基板之上，上述基板具第一區(qū)域及第二區(qū)域，其中第一區(qū)域中第一可流動材料層的上表面高于第二區(qū)域中第一可流動材料層的上表面；形成犧牲插塞(plug)以覆蓋第一區(qū)域中的第一可流動材料層；于第一區(qū)域中的犧牲插塞上，及第二區(qū)域中的第一可流動材料層上形成第二可流動材料層；執(zhí)行第一下凹工藝以移除第一區(qū)域中的第二可流動材料層；以及執(zhí)行第二下凹工藝于第二區(qū)域中的第二可流動層上，此時在第一區(qū)域中的第一可流動材料層受犧牲插塞保護。

附圖說明

以下將配合所附附圖詳述本公開實施例。應(yīng)注意的是，依據(jù)在業(yè)界的標準做法，各種特征并未按照比例繪制且僅用以說明例示。事實上，可能任意地放大或縮小元件的尺寸，以清楚地表現(xiàn)出本公開實施例的特征。

圖1是根據(jù)一些實施例繪示出制造一半導(dǎo)體元件的范例方法的流程圖。

圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8a、圖8b、圖9a及圖9b是根據(jù)一些實施例繪示出一范例半導(dǎo)體元件的剖面圖。

附圖標記說明：

100～方法

102、104、106、108、110、112、114、116～步驟

200～元件

210～基板

212～第一區(qū)域

214～第二區(qū)域

220～特征

220t～特征頂部

310～第一可流動材料層

310a、310b、310a’、310b’～第一可流動材料層的上表面

410～犧牲層

420～犧牲插塞

510～第二可流動材料層

510a、510b、510c～第二可流動材料層的上表面

hd1、hd2、hd3～高度差

h～高度

d～距離

具體實施方式

以下公開許多不同的實施方法或是例子來實行本公開實施例的不同特征，以下描述具體的元件及其排列的實施例以闡述本公開實施例。當然這些實施例僅用以例示，且不該以此限定本公開實施例的范圍。例如，在說明書中提到第一特征形成于第二特征之上，其包括第一特征與第二特征是直接接觸的實施例，另外也包括于第一特征與第二特征之間另外有其他特征的實施例，亦即，第一特征與第二特征并非直接接觸。此外，在不同實施例中可能使用重復(fù)的標號或標示，這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本公開實施例，不代表所討論的不同實施例及/或結(jié)構(gòu)之間有特定的關(guān)系。

此外，其中可能用到與空間相關(guān)用詞，例如“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，這些空間相關(guān)用詞是為了便于描述圖示中一個(些)元件或特征與另一個(些)元件或特征之間的關(guān)系，這些空間相關(guān)用詞包括使用中或操作中的裝置的不同方位，以及附圖中所描述的方位。當裝置被轉(zhuǎn)向不同方位時(旋轉(zhuǎn)90度或其他方位)，則其中所使用的空間相關(guān)形容詞也將依轉(zhuǎn)向后的方位來解釋。

根據(jù)一些實施例，圖1為方法100制造單一或多個半導(dǎo)體元件的流程圖。方法100于后詳述，參照如圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8a、圖8b、圖9a及圖9b所示的半導(dǎo)體元件200。

如圖1及圖2所示，方法100始于步驟102，提供基板210，其具多個特征220突出于基板210上?；?10包括硅(silicon)?；?10可替換或附加地包括其他元素半導(dǎo)體，如鍺(germanium)?；?10亦可包括化合物半導(dǎo)體，如：碳化硅(siliconcarbide)、砷化鎵(galliumarsenic)、砷化銦(indiumarsenide)、及磷化銦(indiumphosphide)?；?10可包括合金半導(dǎo)體，如：硅鍺(silicongermanium)、碳硅鍺(silicongermaniumcarbide)、砷磷化鎵(galliumarsenicphosphide)、銦磷化鎵(galliumindiumphosphide)。在一實施例中，基板210包括外延(epitaxial)層。例如，基板210可具一外延層覆蓋于體半導(dǎo)體(bulksemiconductor)上。此外，基板210可包括絕緣層覆半導(dǎo)體(semiconductor-on-insulator,soi)結(jié)構(gòu)。例如，基板210可包括如以注氧隔離(separationbyimplantedoxygen,simox)工藝或其他合適技術(shù)，例如晶片接合及研磨，形成的埋氧(buriedoxide,box)層。

基板210亦可包括各種p型摻雜區(qū)域及/或n型摻雜區(qū)域，以例如離子注入及/或擴散的工藝形成。此摻雜區(qū)域包括：n型井區(qū)(n-well)、p型井區(qū)(p-well)、輕摻雜區(qū)(lightdopedregion,ldd)、及各種溝道摻雜輪廓(channeldopingprofile)被配置以形成各種集成電路元件，例如互補式金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(complementarymetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor,cmosfet)、影像感測器、及/或發(fā)光二極管(lightemittingdiode,led)?；?10更可包括其他功能特征，例如電阻或電容形成于基板中或上。

基板210亦可包括各種隔離區(qū)域。隔離區(qū)域分隔基板210中各種元件區(qū)域。隔離區(qū)域包括以不同工藝技術(shù)形成的不同結(jié)構(gòu)。舉例來說，隔離區(qū)域可包括淺溝槽隔離(shallowtrenchisolation,sti)區(qū)域。形成淺溝槽隔離可包括蝕刻一溝槽于基板210中，并以絕緣材料，例如：氧化硅(siliconoxide)、氮化硅(siliconnitride)、及/或氮氧化硅(siliconoxynitride)填充此溝槽。被填充的溝槽可具多層結(jié)構(gòu)，例如熱氧化襯層(thermaloxideliner)及氮化硅填充于溝槽?？蓤?zhí)行化學(xué)機械研磨(chemicalmechanicalpolishing,cmp)以研磨掉多余的絕緣材料，及平坦化隔離元件的上表面。

基板210亦可包括多層層間介電(inter-leveldielectric,ild)層，例如：氧化硅(siliconoxide)、氮化硅(siliconnitride)、氮氧化硅(siliconoxynitride)、低介電常數(shù)(low-k)介電質(zhì)、碳化硅(siliconcarbide)、及/或其他合適膜層。層間介電層可由化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)、原子層沉積工藝(atomiclayerdeposition，ald)、物理氣相沉積工藝(physicalvapordeposition，pvd)、熱氧化、或前述的組合、或其它合適技術(shù)沉積。

特征220可包括由包含沉積、光刻、及蝕刻程序而形成的鰭特征(finfeature)。鰭特征可包括ge、si、gaas、algaas、sige、gaasp、gasb、insb、ingaas、inas、或其他合適的材料。沉積工藝可包括外延成長工藝，例如化學(xué)氣相沉積技術(shù)(例如：氣相外延(vapor-phaseepitaxy,vpe)及/或超高真空化學(xué)氣相沉積(ultra-highvacuumcvd,uhv-cvd))、分子束外延(molecularbeamepitaxy)、及/或其他合適工藝。光刻工藝可包括涂布光致抗蝕劑層，以光刻曝光工藝將光致抗蝕劑層曝光并顯影曝光后的光致抗蝕劑層。蝕刻工藝可包括：如以氯基化學(xué)進行深反應(yīng)離子蝕刻(deepreactive-ionetching,drie)的機制的各向異性干蝕刻，其他干蝕刻氣體包括cf4、nf3、sf6、及he。

特征220可包括以介電層及電極層形成的柵極堆疊(gatestack)。介電層可包括界面層(interfacial層,il)及高介電常數(shù)(high-k,hk)介電層，以合適技術(shù)沉積，例如：化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)、原子層沉積工藝(atomic層deposition，ald)、物理氣相沉積工藝(physicalvapordeposition，pvd)、熱氧化、或前述的組合、或其余合適技術(shù)。界面層可包括：氧化物、硅氧化鉿(hfsio)、及氮氧化物(oxynitrides)。高介電常數(shù)介電層可包括：氧化鑭(lao)、氧化鋁(alo)、氧化鋯(zro)、氧化鈦(tio)、五氧化二鉭(ta2o5)、氧化釔(y2o3)、鈦酸鍶(srtio3；sto)、鈦酸鋇(batio3；bto)、鋯氧化鋇(bazro)、鋯氧化鉿(hfzro)、鑭氧化鉿(hflao)、硅氧化鉿(hfsio)、硅氧化鑭(lasio)、硅氧化鋁(alsio)、鉭氧化鉿(hftao)、鈦氧化鉿(hftio)、鈦酸鍶鋇((ba,sr)tio3,bst)、氧化鋁(al2o3)、氮化硅(si3n4)、氮氧化硅(siliconoxynitride)，及/或其他合適材料。電極層可包括單層或替換為多層結(jié)構(gòu)，例如各種具功函數(shù)以增強元件效能的金屬層組合(功函數(shù)金屬層、襯層、濕潤層、附著層、金屬導(dǎo)電層、金屬合金、或金屬硅化物)。電極層可包括：鈦(ti)、銀(ag)、鋁(al)、鋁氮化鈦(tialn)、碳化鉭(tac)、碳氮化鉭(tacn)、硅氮化鉭(tasin)、錳(mn)、鋯(zr)、氮化鈦(tin)、氮化鉭(tan)、釕(ru)、鉬(mo)、氮化鎢(wn)、銅(cu)、鎢(w)、任意合適材料及/或前述的組合。

特征220亦可包括源極/漏極(source/drain,s/d)特征，包含：鍺(ge)、硅(si)、砷化鎵(gaas)、鎵砷化鋁(algaas)、硅鍺(sige)、砷磷化鎵(gaasp)、銻化鎵(gasb)、銻化銦(insb)、鎵砷化銦(ingaas)、砷化銦(inas)、或其他合適材料。源極/漏極特征220可由外延成長工藝形成，例如化學(xué)氣相沉積技術(shù)(例如：氣相外延(vapor-phaseepitaxy,vpe)及/或超高真空化學(xué)氣相沉積(ultra-highvacuumcvd,uhv-cvd))、分子束外延(molecularbeamepitaxy)、及/或其他合適工藝。

特征220亦可包括導(dǎo)電特征，其與基板210中的層間介電層整合以形成內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，以耦合各種p型及n型摻雜區(qū)域，及其他功能性特征(如：柵極電極)，以得到功能性集成電路。在一例子中，特征220可包括內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的一部分，該內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括多層內(nèi)連線(multi-layerinterconnect,mli)結(jié)構(gòu)，于基板210之上的層間介電層與多層內(nèi)連線結(jié)構(gòu)整合，提供電子路由(routing)以耦合基板210中的各種元件至輸入/輸出電源及信號。內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括：各種金屬線、接點(contact)、及導(dǎo)孔(via)特征(或?qū)Э撞迦?plug))。金屬線提供水平電子路由。接點提供于硅基板和金屬線之間的垂直連接，導(dǎo)孔特征提供不同金屬層的金屬線之間的垂直連接。

特征220的密度隨在基板210上不同的區(qū)域而改變。在本實施例中，基板210具第一區(qū)域212及第二區(qū)域214。特征220在第一區(qū)域212的密度大體上高于在第二區(qū)域214的密度。在一實施例中，在第一區(qū)域212中密度約為50％，而在第二區(qū)域214中密度約為零。

如圖1及圖3所示，方法100進行至步驟104，形成第一可流動材料(flowable-material,fm)層310于基板210之上，包括于特征220之上。第一可流動材料層310中包括一具流動本質(zhì)的材料，填充于每一特征220之間的空間。第一可流動材料層310可包括：光致抗蝕劑、聚酰亞胺(polyimide)、旋涂式玻璃(spin-on-glass,sog)、旋涂式聚合物(spin-on-polymer,sop)、或前述的組合、及/或其他合適材料。在一些實施例中，第一可流動材料層310不同于特征220及基板210，以于后續(xù)蝕刻實現(xiàn)蝕刻選擇性。第一可流動材料層310可由旋轉(zhuǎn)涂布(spin-oncoating)、化學(xué)氣相沉積、及/或其他合適技術(shù)形成。通常第一可流動材料層310的形成工藝為經(jīng)常使用于元件制造中，單純的低成本沉積工藝(如：旋轉(zhuǎn)涂布)。

一般而言，第一可流動材料層310沉積后的表面形貌受下方材料層的表面形貌所影響(或作用)。在本實施例中，由于特征220在第一區(qū)域212及第二區(qū)域214的密度不同，通常第一可流動材料層310在形成于具不同密度的特征220的基板210之上時表面形貌不平坦(或表面形貌凹凸不平)。有時可稱之為涂層負載效應(yīng)(coatingloadingeffect)。在本實施例中，特征220在第一區(qū)域212的密度高于在第二區(qū)域214的密度。第一可流動材料層310在第一區(qū)域212的第一上表面310a高于在第二區(qū)域214的第二上表面310b。第一高度差hd1定義為第一上表面310a的最高點及第二上表面310b的最低點的高度差。

如圖1及圖4所示，方法100進行至步驟106，下凹第一可流動材料層310以露出特征220的頂部220t。如前所述，挑選蝕刻工藝以選擇性蝕刻第一可流動材料層310，但不蝕刻特征220。蝕刻工藝可包括選擇性濕蝕刻、選擇性干蝕刻、及/或上述的組合。

下凹工藝之后，上表面310a及310b各被降為新的上表面310a’及310b’。既然第一可流動材料層310于第一區(qū)域212及第二區(qū)域214同時被蝕刻，第一及第二上表面下凹/蝕刻的量類似。如此一來，新的上表面310a’的最高點及上表面310b’的高度差大體上類似(或等同于)第一高度差hd1。換句話說，下凹后的可流動材料層310的表面形貌與下凹工藝前的表面形貌維持相同。一般來說，這并非后續(xù)工藝所希望的。因此，本公開實施例提供一方法使第一區(qū)域的材料層的上表面下降/下凹更多，以改善基板中第一及第二區(qū)域上材料層的整體平坦度。

如圖1及圖5所示，方法100進行至步驟108，沉積保形的犧牲層410于下凹的可流動材料層310之上。在本實施例中，形成保形的(conformal)犧牲層410以完全(或完整)填充于第一區(qū)域220中特征220相鄰頂部220t間的空間。保形的犧牲層410可包括氧化硅(siliconoxide)、氮化硅(siliconnitride)、氮氧化物(siliconoxynitride)、碳化硅(siliconcarbide)、及/或其他合適材料。保形的犧牲層410可以原子層沉積工藝(atomic層deposition，ald)、化學(xué)氣相沉積(chemicalvapordeposition,cvd)、物理氣相沉積工藝(physicalvapordeposition，pvd)及/或其他合適技術(shù)形成。在一些實施例中，保形的犧牲層410包括和特征220及第一可流動材料層310不同的材料，以于后續(xù)蝕刻實現(xiàn)蝕刻選擇性。

如圖1及圖6所示，方法100進行至步驟110，下凹保形的犧牲層410。在本實施例中，下凹深度受控制，因此在第二區(qū)域214的保形的犧牲層410被移除，此時余留一部分覆蓋于(或位于上方)第一區(qū)域212中特征220頂部220t間的下凹的可流動材料層310。保形的犧牲層410于頂部220t間的余留部分稱為犧牲插塞420。犧牲插塞420以計畫中的高度h形成，以供后續(xù)平坦化工藝使用，于后述明。

如前所述，挑選蝕刻工藝以選擇性蝕刻保形的犧牲層410，而不蝕刻特征220的頂部220t及第一可流動材料層310。蝕刻工藝可包括選擇濕性蝕刻、選擇性干蝕刻、及/或上述的組合。舉例來說，選擇性濕蝕刻溶液可包括可包括硝酸(hno3)、氨水(nh4oh)、氫氧化鉀(koh)、氟化氫(hf)、鹽酸(hcl)、氫氧化鈉(naoh)、磷酸(h3po4)、四甲基氫氧化銨(tmah)、及/或其他合適的選擇性濕蝕刻溶液、及/或前述的組合。此外，選擇性干蝕刻工藝可使用含氯氣體(例如：氯氣(cl2)、氯仿(chcl3)、四氯化碳(ccl4)、三氯化硼(bcl3))、含溴氣體(例如：溴化氫(hbr)及/或三溴甲烷(chbr3))、含碘氣體、含氟氣體(例如：四氟化碳(cf4)、六氟化硫(sf6)、二氟甲烷(ch2f2)、三氟甲烷(chf3)、及/或六氟乙烷(c2f6))、及/或其他合適氣體、及/或等離子體、及/或前述的組合。

如圖1及圖7，方法100進行至步驟112，形成第二可流動材料層510于下凹的第一可流動材料層310及犧牲插塞420之上。在一些實施例中，第二可流動材料層510包括與特征220及犧牲插塞420不同的材料，以于后續(xù)蝕刻實現(xiàn)蝕刻選擇性。在一些實施例中，形成第二可流動材料層510在許多方面類似于前述圖3中形成第一可流動材料層310，包括其中討論的材料。

類似于第一可流動材料層310，由于涂層負載效應(yīng)，第二可流動材料層510在第一區(qū)域212的第三上表面510a高于在第二區(qū)域214的第四上表面510b。第二高度差hd2定義為第三上表面510a的最高點及第四上表面510b的最低點的高度差。第二高度差hd2可能小于第一高度差hd1，但希望更進一步縮小第二高度差hd2。

如圖1、圖8a及圖8b所示，方法100進行至步驟114，下凹第二可流動材料層510。如前所述，挑選蝕刻工藝以選擇性蝕刻第二可流動材料層510，而不蝕刻特征220及犧牲插塞520。蝕刻工藝可包括選擇性濕蝕刻、選擇性干蝕刻、及/或上述的組合。

在本實施例中，當?shù)诙闪鲃硬牧蠈?10于第一區(qū)域212被移除，犧牲插塞420作為蝕刻停止層，因此保護犧牲插塞420下方的第一可流動材料層310。蝕刻亦導(dǎo)致第四上表面510b下降/下凹為第五上表面510c。由于犧牲插塞420保護第一可流動材料層310，第二可流動材料層510可個別下凹至選定的程度。在一些實施例中，如前所述，如圖8a所示，通過選擇犧牲插塞420的高度h，第五上表面510c可比第一上表面310a’高出距離d。在一些實施例中，第二可流動材料層510下凹更多，以至于第五上表面510c接近或比第一上表面310a’低了第三高度差hd3。第三高度差hd3定義為第一上表面310a’的最高點及第五上表面510c的最低點的高度差。

如圖1、圖9a、及圖9b所示，方法100進行至步驟116，移除犧牲插塞420。蝕刻工藝可包括：選擇性濕蝕刻、選擇性干蝕刻、及/或上述的組合。如前所述，挑選蝕刻工藝以選擇性蝕刻犧牲插塞420，而不蝕刻特征220及第一可流動材料層310及第二可流動材料層510。

如圖9a所示，在第五上表面510c高于第一上表面310a’的狀況下(與圖8a所示工藝相關(guān))，結(jié)果形成第一區(qū)域212中第一可流動材料層310及第二區(qū)域214中第二可流動材料層510中的表面形貌，以致在第二區(qū)域214(特征220密度較低)的上表面(即第五上表面510c)高于一上表面(即第一上表面310a’)。換句話說，相較于原本的表面形貌，達到了相反的表面形貌，提供后續(xù)工藝彈性。

如圖9b所示，在第五上表面510c接近或低于第一上表面310a’的狀況下(與圖8b所示工藝相關(guān))，結(jié)果第一區(qū)域212中第一可流動材料層310及第二區(qū)域214中第二可流動材料層510中的表面形貌較為平坦，以致第三高度差hd3遠小于第一高度差hd1。在一實施例中，第三高度差hd3約為第一高度差hd1的10％-60％。

于方法100之前，之中，之后可提供額外的步驟，在其他實施例中，前述有些步驟可替換或刪除。

根據(jù)以上，本公開實施例提供平坦化膜層及減少涂層負載效應(yīng)的方法。此方法以形成犧牲插塞以達成個別蝕刻膜層的一部分，以改善膜層的平坦化。此方法亦調(diào)變犧牲插塞的高度以達到所想要的表面形貌隨不同的區(qū)域而改變。此方法展現(xiàn)一可行的、彈性的、低成本的可流動材料層平坦化方法。

本公開實施例提供許多制造半導(dǎo)體元件的不同實施例，提供一個或多個改進現(xiàn)有方法的方式。在一實施例中，制造半導(dǎo)體元件的方式包括形成第一可流動材料層于基板之上。該基板具第一區(qū)域及第二區(qū)域。第一區(qū)域中第一可流動材料層的上表面高于第二區(qū)域中第一可流動材料層的上表面。此方法亦包括形成犧牲插塞覆蓋第一區(qū)域中第一可流動材料層，形成第二可流動材料層于第一區(qū)域中的犧牲插塞之上，及第二區(qū)域中的第一可流動材料層上。執(zhí)行第一下凹工藝以致第一區(qū)域中的第二可流動材料層被移除。執(zhí)行第二下凹工藝于第二區(qū)域中的第二可流動材料層，此時第一可流動材料層被第一區(qū)域的犧牲插塞保護。

在另一實施例中，一方法包括：提供一基板具多個特征突出于基板中的第一區(qū)域，并于第一區(qū)域的多個特征上及基板第二區(qū)域上形成第一可流動材料層。第一區(qū)域中第一可流動材料層的上表面高于第二區(qū)域中第一可流動材料層的上表面。此方法亦包括于第一區(qū)域中第一可流動材料層上形成犧牲插塞，于第一區(qū)域中犧牲插塞之上及第二區(qū)域中第一可流動材料層之上形成第二可流動材料層。移除第一區(qū)域中第一部分的第二可流動材料層，并移除第二區(qū)域中第二部分的第二可流動材料層，此時第一可流動材料層被第一區(qū)域中犧牲插塞保護。

在又另一個實施例中，一方法包括提供一具第一區(qū)域及第二區(qū)域的基板。第一區(qū)域包括多個突出特征。此方法亦包括形成第一可流動材料層于多個突出特征之上。第一區(qū)域中第一可流動材料層的上表面高于第二區(qū)域中第一可流動材料層的上表面。此方法亦包括在第一區(qū)域中第一可流動材料層之上形成犧牲插塞，在第一區(qū)域中犧牲插塞上及第二區(qū)域中第一可流動材料層上形成第二可流動材料層。下凹第二可流動材料層，將第二可流動材料層由第一區(qū)域移除，第二區(qū)域中下凹后的第二可流動材料層的上表面高于第一區(qū)域中第一可流動材料層的上表面。

上述內(nèi)容概述許多實施例的特征，因此任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，可更加理解本公開實施例的各面向。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，可能無困難地以本公開實施例為基礎(chǔ)，設(shè)計或修改其他工藝及結(jié)構(gòu)，以達到與本公開實施例實施例相同的目的及/或得到相同的優(yōu)點。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)了解，在不脫離本公開實施例的精神和范圍內(nèi)做不同改變、代替及修改，如此等效的創(chuàng)造并沒有超出本公開實施例的精神及范圍。