技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種IBC電池的制備方法，涉及太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域；包括：N型硅片雙面制絨；N型硅片的背光面磷硅玻璃的沉積；在已經(jīng)沉積磷硅玻璃的一面進(jìn)行磷摻雜推進(jìn)；并同時(shí)在磷摻雜區(qū)域形成一層損傷層；清洗，去除硅片表面除損傷層外的磷硅玻璃層；硅片背光面實(shí)行高溫硼擴(kuò)散，在硅片背面形成梳狀交叉分布的N型擴(kuò)散區(qū)域和P型擴(kuò)散區(qū)域；去除硅片表面損傷層及硼硅玻璃層；在硅片正反表面沉積鈍化減反層；在硅片背光面P型區(qū)和N型區(qū)絲網(wǎng)印刷金屬柵線，經(jīng)烘干、燒結(jié)后形成IBC電池；只經(jīng)過(guò)硼擴(kuò)散一步的高溫過(guò)程，同時(shí)形成磷摻雜區(qū)域及損傷層，降低了工藝難度，減少了過(guò)多的高溫工藝對(duì)硅片的不利影響。

技術(shù)研發(fā)人員：王子謙;劉大偉;翟金葉;李峰;張雷;史金超;宋登元;劉瑩;任秀強(qiáng)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英利能源（中國(guó)）有限公司
文檔號(hào)碼：201611249476
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.29
技術(shù)公布日：2017.05.31