1.一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，包括步驟：
A、在P型半導體層上沉積出電流阻擋層，電流阻擋層的厚度為250-1000nm；此時電流阻擋層不開孔；
B、在不開孔的電流阻擋層上沉積出透明導電層，此時電流阻擋層不開孔，透明導電層開孔；進行濕法腐蝕，不去除光刻膠；
C、干法刻蝕電流阻擋層到P型氮化鎵層上表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，還包括步驟D：
D、采用濕法腐蝕方式，將殘留的電流阻擋層去除，露出P型氮化鎵層；用蝕刻液將透明導電層進行二次清洗。
3.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述透明導電層是通過蒸發(fā)臺或者濺射鍍膜法鍍在所述P型半導體層上的氧化銦錫薄膜。
4.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層是通過等離子體增強化學氣相沉積法沉積出的二氧化硅薄膜。
5.根據(jù)權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述電流阻擋層與氮化鎵的刻蝕選擇比為：電流阻擋層：氮化鎵≈1:6。
6.一種發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流阻擋層的厚度為250-1000nm。
7.根據(jù)權利要求6所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于，所述電流阻擋層與氮化鎵的刻蝕選擇比為：電流阻擋層：氮化鎵≈1:6。