技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種DARC薄膜的低溫沉積方法，適用于在晶元表面最上方的BARC層上形成DARC層；提供一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)設(shè)有反應(yīng)基座，方法包括：向等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)輸入用于生成DARC層的反應(yīng)物；晶元在反應(yīng)基座上按照第一預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行預(yù)沉積操作；在完成預(yù)沉積操作后的晶元表面按照第二預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行主沉積操作；在完成主沉積操作的晶元表面按照第三預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行后沉積操作以形成DARC層。本發(fā)明的有益效果：在低溫下于晶元表面的BARC層上形成DARC層，且能夠提高柔性薄膜BARC層上的DARC層成膜的平整度，顯著降低DARC層薄膜的表面缺陷，有利于后期在晶元的DARC層上生成PR層。

技術(shù)研發(fā)人員：張高升;曾慶鍇;胡淼龍;蔣志超;萬先進(jìn)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號(hào)碼：201611219771
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.26
技術(shù)公布日：2017.05.31