1.一種DARC薄膜的低溫沉積方法，適用于在晶元表面最上方的BARC層上形成DARC層；其特征在于，提供一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)設(shè)有反應(yīng)基座，所述反應(yīng)基座用于承載所述晶元，所述方法包括：
步驟S1、向所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)輸入用于生成所述DARC層的反應(yīng)物；
步驟S2、所述晶元在所述反應(yīng)基座上按照第一預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行預(yù)沉積操作；
步驟S3、在完成所述預(yù)沉積操作后的所述晶元表面按照第二預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行主沉積操作；
步驟S4、在完成所述主沉積操作的所述晶元表面按照第三預(yù)設(shè)參數(shù)進(jìn)行后沉積操作以形成所述DARC層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述反應(yīng)物包括SiH4氣體、N2O氣體以及N2氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)參數(shù)包括：
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的溫度為210℃；
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的壓強(qiáng)為1.7Torr；
所述預(yù)沉積操作的時(shí)間為1S；
高頻功率源的功率值為594W；
反應(yīng)物SiH4氣體的流速為720sccm；
反應(yīng)物N2O氣體的流速為400sccm；
反應(yīng)物N2氣體的流速為8800sccm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第二預(yù)設(shè)參數(shù)包括：
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的溫度為210℃；
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的壓強(qiáng)為1.7Torr；
所述主沉積操作的時(shí)間為2.91S；
高頻功率源的功率值為594W；
反應(yīng)物SiH4氣體的流速為720sccm；
反應(yīng)物N2O氣體的流速為400sccm；
反應(yīng)物N2氣體的流速為8800sccm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述第三預(yù)設(shè)參數(shù)包括：
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的溫度為210℃；
所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的壓強(qiáng)為1Torr；
所述后沉積操作的時(shí)間為3.5S；
高頻功率源的功率值為594W；
反應(yīng)物SiH4氣體的流速為720sccm；
反應(yīng)物N2O氣體的流速為400sccm；
反應(yīng)物N2氣體的流速為8800sccm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器上設(shè)有第一輸入口和第一輸出口，所述第一輸入口用于輸入所述反應(yīng)物，所述第一輸出口用于輸出DARC薄膜生成過(guò)程中產(chǎn)生的副產(chǎn)物。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器上設(shè)有第二輸入口和第二輸出口，所述第二輸入口用于輸入所述晶元，所述第二輸出口用于輸出所述晶元。
8.一種DARC薄膜的低溫沉積方法，適用于在晶元表面的BARC層上形成DARC層；其特征在于，提供一等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)設(shè)有復(fù)數(shù)個(gè)所述反應(yīng)基座，所述方法包括：
步驟A1、將所述晶元順序輸送至每個(gè)所述反應(yīng)基座并在在每個(gè)所述反應(yīng)基座上分別進(jìn)行所述權(quán)利要求1-7中所述的沉積方法以形成所述DARC層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器內(nèi)的所述反應(yīng)基座的數(shù)量為四個(gè)，且所述四個(gè)反應(yīng)基座均勻布設(shè)在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的中心周?chē)?，且兩兩所述反?yīng)基座之間關(guān)于所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器的中心呈中心對(duì)稱(chēng)分布。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的低溫沉積方法，其特征在于，所述晶元在每個(gè)所述反應(yīng)基座上的沉積時(shí)間相同。