本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種減少晶圓離子損傷方法及離子發(fā)生器。

背景技術：

在IC產品的晶圓的制作過程中，需要經(jīng)過一系列的工序最終制成IC產品，其中在進入金屬物理沉積工序之前，需要去除晶圓表面的氧化物，而去除晶圓表面的氧化物時需要采用濺射技術，其主要利用離子發(fā)生器發(fā)射一定能量的粒子轟擊固體表面即晶圓表面的氧化物，氧化物表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面已到達去除晶圓表面的氧化物；

如圖1所示，現(xiàn)有的離子發(fā)生器在對晶圓的表面的氧化物進行去除時，其發(fā)射的離子往往因為發(fā)射于晶圓表面離子分布不均，進而會造成晶圓內部的離子損傷。

技術實現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術中對晶圓表面的氧化物去除時存在的上述問題，現(xiàn)提供一種旨在實現(xiàn)將離子均勻的發(fā)射于晶圓表面的氧化物上，于除去氧化物的同時有效的避免了因為發(fā)射離子不均造成晶圓內部離子損傷的減少晶圓離子損傷方法及離子發(fā)生器。

具體技術方案如下：

一種減少晶圓離子損傷方法，應用于射頻濺射的離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器包括一用于射頻輻射的線圈，其中：

將所述線圈的兩端接地；

所述線圈提供一饋入點，所述饋入點設置于所述線圈的兩端之間；

提供一射頻電源，連接所述饋入點；

所述離子發(fā)生器的線圈于接通所述射頻電源后，使生成的離子均勻的轟擊所述晶圓的表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。

優(yōu)選的，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

優(yōu)選的，所述帶正電荷的惰性氣體離子為氬離子。

優(yōu)選的，所述射頻電源為交流電源。

優(yōu)選的，所述離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。

優(yōu)選的，所述線圈通過抽頭連接所述射頻電源。

還包括一種射頻濺射離子發(fā)生器，包括一射頻線圈線圈，其中，包括：

所述線圈的兩端接地；

所述線圈的兩端之間設置有一饋入點；

射頻電源線連接所述饋入點；

所述離子發(fā)生器用以在所述線圈接通所述電源后，將生成的離子均勻的轟擊所述晶圓表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。

優(yōu)選的，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

優(yōu)選的，所述射頻電源為交流電源。

優(yōu)選的，所述離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。

上述技術方案具有如下優(yōu)點或有益效果：可通過離子發(fā)生器將生成的離子均勻的發(fā)射于晶圓的氧化物表面，在氧化物去除的同時，還可有效的避免因為離子于射入晶圓表面不均進而造成晶圓中的離子損傷的缺陷。

附圖說明

參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構成對本發(fā)明范圍的限制。

圖1為本發(fā)明背景技術中去除晶圓表面上的氧化物的示意圖；

圖2為本發(fā)明一種減少晶圓離子損傷方法的實施例的流程示意圖；

圖3為本發(fā)明一種減少晶圓離子損傷方法的實施例中，關于晶圓表面上的電磁場分布的示意圖；

圖4為本發(fā)明一種離子發(fā)生器的實施例的結構示意圖。

上述說明書中附圖標記表示：

(1)、晶圓；(2)、線圈；(3)、射頻電源；(21)、饋入點。

具體實施方式

下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本發(fā)明中的實施例及實施例中的特征可以相互組合。

下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不作為本發(fā)明的限定。

本發(fā)明的技術方案中包括一種減少晶圓離子損傷方法。

如圖2所示，

一種減少晶圓離子損傷方法的實施例，應用于射頻濺射的離子發(fā)生器，離子發(fā)生器包括一用于射頻輻射的線圈2，其特征在于：

將線圈2的兩端接地；

線圈2提供一饋入點21，饋入點21設置于線圈2的兩端之間；

提供一射頻電源3，連接饋入點21；

離子發(fā)生器的線圈2于接通射頻電源3后，使生成的離子均勻的轟擊晶圓1的表面，以去除晶圓1表面的氧化物。

如圖2所示，可具體包括以下步驟：

步驟S1、將線圈2的兩端接地；

步驟S2、線圈2提供一饋入點21，饋入點21設置于線圈2的兩端之間；

步驟S3、提供一射頻電源3，連接饋入點21；

步驟S4、離子發(fā)生器的線圈2于接通射頻電源3后，使生成的離子均勻的轟擊晶圓1的表面，以去除晶圓1表面的氧化物。

現(xiàn)有技術中對晶圓1表面上的氧化物進行去除時，通常采用離子濺射技術，其具體是利用離子發(fā)生器發(fā)射一定能量的粒子轟擊固體表面即晶圓1表面的氧化物，氧化物表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面已到達去除晶圓1表面的氧化物，而現(xiàn)有的離子發(fā)生器的發(fā)射的離子均是通過不均勻的射入晶圓1表面的氧化物上，在去除氧化物同時，由于射入離子的不均進而離子會繼續(xù)轟擊晶圓1表面，從而造成晶圓1內部的離子損傷，本發(fā)明中通過將離子發(fā)生器的線圈2的兩端接地，兩端之間的饋入點21連接射頻電源3，接通射頻電源3之后的離子發(fā)生器；使發(fā)射的離子均勻的分布與晶圓1的表面上，以對晶圓1表面上的氧化物均勻的去除，避免了因為發(fā)射離子不均造成晶圓1內部離子損傷的減少晶圓1離子損傷的缺陷。

其中采用中間饋入雙向繞線的方式，兩側的繞線會產生一對相反的離子分布，進而可以將各自的離子分布強弱差異抵消，達到平衡離子分布；

需要說明的是線圈2中饋入點21的位置，根據(jù)不同的離子發(fā)生器及腔室的差異，確定對應線圈中饋入點的位置。

采用上述方法對晶圓1表面的氧化物去除后的晶圓1表面上的電磁場分布如圖3所示。

在一種較優(yōu)的實施例中，離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

在一種較優(yōu)的實施例中，帶正電荷的惰性氣體離子為氬離子。

上述技術方案中，離子發(fā)生器發(fā)射的離子為帶正電荷的惰性氣體離子，本發(fā)明中優(yōu)選為氬離子，但并不局限于氬離子。

在一種較優(yōu)的實施例中，射頻電源3為交流電源。

上述技術方案中，交流電源采用正負性發(fā)生周期交替，當晶圓1表面的氧化物處于正半周時，電子流向靶面即晶圓1表面的氧化物，中和晶圓1表面的氧化物表面積累的正電荷，并且積累電子，使其表面呈現(xiàn)負偏壓，進而使射頻電壓的負半周時吸引正離子轟擊晶圓1表面的氧化物，從而實現(xiàn)濺射。

上述技術中，通過交流電接入線圈2的饋入點21使離子發(fā)生器形成的離子濃度分布均勻的射入晶圓1的表面上。

在一種較優(yōu)的實施例中，離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除晶圓1表面的氧化物。

在一種較優(yōu)的實施例中，線圈2通過抽頭連接射頻電源3。

本發(fā)明的技術方案中還包括一種離子發(fā)生器。

如圖4所示，一種離子發(fā)生器的實施例，包括一線圈2，其中，包括：線圈2的兩端接地；

線圈2的兩端之間設置有一饋入點21；

射頻電源3連接饋入點21；

離子發(fā)生器用以在線圈2接通射頻電源3后，將生成的離子均勻的轟擊晶圓1表面，以去除晶圓1表面的氧化物。

上述技術方案中，通過將離子發(fā)生器的線圈2的兩端接地，兩端之間的饋入點21連接射頻電源3，接通射頻電源3之后的離子發(fā)生器，使發(fā)射的離子均勻的分布與晶圓1的表面上，以對晶圓1表面上的氧化物均勻的去除，避免了因為發(fā)射離子不均造成晶圓1內部離子損傷的減少晶圓1離子損傷的缺陷。

在一種較優(yōu)的實施例中，離子為帶正電荷的惰性氣體離子。

在一種較優(yōu)的實施例中，射頻電源3為交流電源。

在一種較優(yōu)的實施例中，離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除晶圓1表面的氧化物。

以上所述僅為本發(fā)明較佳的實施例，并非因此限制本發(fā)明的實施方式及保護范圍，對于本領域技術人員而言，應當能夠意識到凡運用本發(fā)明說明書及圖示內容所作出的等同替換和顯而易見的變化所得到的方案，均應當包含在本發(fā)明的保護范圍內。