1.一種減少晶圓離子損傷方法，應用于射頻濺射的離子發(fā)生器，所述離子發(fā)生器包括一用于射頻輻射的線圈，其特征在于：
將所述線圈的兩端接地；
所述線圈提供一饋入點，所述饋入點設置于所述線圈的兩端之間；
提供一射頻電源，連接所述饋入點；
所述離子發(fā)生器的線圈于接通所述射頻電源后，使生成的離子均勻的轟擊所述晶圓的表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。
2.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。
3.根據權利要求2所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述帶正電荷的惰性氣體離子為氬離子。
4.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述射頻電源為交流電源。
5.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。
6.根據權利要求1所述的減少晶圓離子損傷方法，其特征在于，所述線圈通過抽頭連接所述射頻電源。
7.一種離子發(fā)生器，包括一射頻輻射的線圈，其特征在于，包括：
所述線圈的兩端接地；
所述線圈的兩端之間設置有一饋入點；
射頻電源線連接所述饋入點；
所述離子發(fā)生器用以在所述線圈接通所述射頻電源后，將生成的離子均勻的轟擊所述晶圓表面，以去除所述晶圓表面的氧化物。
8.根據權利要求7所述的離子發(fā)生器，其特征在于，所述離子為帶正電荷的惰性氣體離子。
9.根據權利要求7所述的離子發(fā)生器，其特征在于，所述射頻電源為交流電源。
10.根據權利要求7所述的離子發(fā)生器，其特征在于，所述離子發(fā)生器發(fā)射的離子通過射頻濺射的方式去除所述晶圓表面的氧化物。