技術(shù)編號：12477862
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種減少晶圓離子損傷方法及離子發(fā)生器。背景技術(shù)在IC產(chǎn)品的晶圓的制作過程中，需要經(jīng)過一系列的工序最終制成IC產(chǎn)品，其中在進(jìn)入金屬物理沉積工序之前，需要去除晶圓表面的氧化物，而去除晶圓表面的氧化物時需要采用濺射技術(shù)，其主要利用離子發(fā)生器發(fā)射一定能量的粒子轟擊固體表面即晶圓表面的氧化物，氧化物表面的原子或分子獲得足夠大的能量而最終逸出固體表面已到達(dá)去除晶圓表面的氧化物；如圖1所示，現(xiàn)有的離子發(fā)生器在對晶圓的表面的氧化物進(jìn)行去除時，其發(fā)射的離子往往因?yàn)榘l(fā)射于晶圓表面離...
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