技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種減少晶圓離子損傷方法及離子發(fā)生器，應(yīng)用于射頻濺射的離子發(fā)生器，離子發(fā)生器包括一用于射頻輻射的線圈，其中：將線圈的兩端接地；線圈提供一饋入點(diǎn)，饋入點(diǎn)設(shè)置于線圈的兩端之間；提供一射頻電源，連接饋入點(diǎn)；離子發(fā)生器的線圈于接通射頻電源后，使生成的離子均勻的轟擊晶圓的表面，以去除晶圓表面的氧化物。其技術(shù)方案的有益效果在于，可通過(guò)離子發(fā)射器將生成的離子均勻的發(fā)射于晶圓的氧化物表面，在氧化物去除的同時(shí)，還可有效的避免因?yàn)殡x子于射入晶圓表面不均進(jìn)而造成晶圓中的離子損傷的缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：龍俊舟;封鐵柱;楊弘;馬山州
受保護(hù)的技術(shù)使用者：武漢新芯集成電路制造有限公司
文檔號(hào)碼：201611116738
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.07
技術(shù)公布日：2017.05.31