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形成半導(dǎo)體器件的方法與流程

文檔序號(hào):11277899閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
一種形成半導(dǎo)體器件的方法包括提供襯底;在襯底上方形成芯軸圖案;以及在芯軸圖案的側(cè)壁上形成間隔件。該方法進(jìn)一步包括去除芯軸圖案,從而形成至少部分地被間隔件圍繞的溝槽。該方法進(jìn)一步包括在溝槽中沉積共聚物材料,其中共聚物材料是定向自組裝的;并且引發(fā)共聚物材料內(nèi)的微相分離,從而限定由第二組分聚合物圍繞的第一組分聚合物。芯軸圖案具有限制的尺寸和限制的配置。第一組分聚合物包括布置成矩形陣列或正方形陣列的圓柱。

技術(shù)研發(fā)人員:翁明暉;羅冠昕;林緯良;洪繼正
受保護(hù)的技術(shù)使用者:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2016.12.23
技術(shù)公布日:2017.09.26
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