本申請要求2015年12月30日提交的韓國專利申請no.10-2015-0190213的權益，在此援引該專利申請作為參考，如同在這里完全闡述一樣。

本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

背景技術：

作為平面顯示裝置的示例，存在液晶顯示裝置(lcd)、有機發(fā)光顯示(oled)裝置、等離子體顯示面板(pdp)裝置、量子點顯示裝置、場發(fā)射顯示(fed)裝置、電泳顯示(epd)裝置等。這些平面顯示裝置的每一個包括用于顯示圖像的平面顯示面板，在平面顯示面板中彼此面對的一對透明絕緣基板彼此接合，并且在這對透明絕緣基板之間夾有固有發(fā)光層、偏振層或其他光學材料層。

近來，隨著顯示裝置的尺寸增加，對具有較低空間占用率的平面顯示裝置的各種需求增加。此外，需要柔性型平面顯示裝置。特別是，因為有機發(fā)光顯示裝置是自發(fā)光的，所以有機發(fā)光顯示裝置省略了單獨的光源。因此，有機發(fā)光顯示裝置可用作柔性顯示裝置。

然而，有機發(fā)光顯示裝置在沉積有機材料時使用具有與沉積部分對應的開口的金屬掩模。當金屬掩模與限定像素的堤部接觸時，可能產(chǎn)生顆粒的堤部偏移(bankdefection)。為此，在堤部上形成間隔體，使得金屬掩模的表面不與堤部直接接觸。

然而，柔性有機發(fā)光顯示裝置會經(jīng)歷反復折疊和打開動作。但是，當設置間隔體時，在折疊動作過程中會存在由間隔體導致的缺陷。

技術實現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上避免了由于相關技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法。

本發(fā)明的一個目的是提供一種有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法，其中改變堤部上的間隔體的形狀，以在沉積有機材料時防止金屬掩模直接影響像素區(qū)域，并且調整間隔體與金屬掩模之間的接觸區(qū)域，以防止由于顆粒導致的缺陷。

在下面的描述中將列出本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點，這些特征和優(yōu)點的一部分通過該描述將是顯而易見的或者可通過本發(fā)明的實施領會到。通過說明書、權利要求書以及附圖中具體指出的結構可實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點。

為了實現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的意圖，如在此具體化和概括描述的，一種有機發(fā)光顯示裝置包括：基板，所述基板包括限定在所述基板上的多個像素；設置在每個像素處的第一電極；暴露每個像素的第一電極的堤部；間隔體，所述間隔體包括依次位于所述堤部上的第一負型光反應性壓克力的第一層、以及第二負型光反應性壓克力的第二層，其中所述第二負型光反應性壓克力具有比所述第一負型光反應性壓克力的光反應性更大的光反應性，所述第一層具有倒錐形，所述第二層具有正錐形；位于所述堤部和所述第一電極上的有機層，所述有機層包含有機發(fā)光層；和設置在所述堤部、所述間隔體和所述有機層上的第二電極。

在另一個方面中，一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法包括：提供基板，所述基板包括限定在所述基板上的多個像素；在每個像素處形成第一電極；形成暴露每個像素的第一電極的堤部；在所述堤部上依次沉積第一負型光反應性壓克力的第一層、以及第二負型光反應性壓克力的第二層，其中所述第二負型光反應性壓克力具有比所述第一負型光反應性壓克力的光反應性更大的光反應性；通過在所述第二層上方施加掩模形成間隔體，所述間隔體包括具有倒錐形的第一層和具有正錐形的第二層，所述掩模具有使得所述堤部上方的預定部分敞開的開口部；在所述堤部和所述第一電極上形成包含有機發(fā)光層的有機層；和在所述堤部、所述間隔體和所述有機層上形成第二電極。

應當理解，前面的大體性描述和下面的詳細描述都是例示性的和解釋性的，意在對要求保護的本發(fā)明提供進一步的解釋。

附圖說明

給本發(fā)明提供進一步理解并且并入本申請組成本申請一部分的附圖圖解了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖；

圖2是圖1的剖面圖；

圖3是詳細圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖；

圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的堤部和間隔體的剖面圖；

圖5是圖解用于形成圖4的間隔體的材料和掩模的剖面圖；

圖6a和6b是圖解在形成根據(jù)本發(fā)明實施方式的間隔體時，組成間隔體的第一層和第二層關于同一掩模的光反應性的剖面圖；

圖7a到7c是圖解本發(fā)明實施方式的間隔體的制造方法的剖面圖；以及

圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。

具體實施方式

現(xiàn)在將詳細參考本發(fā)明的實施方式進行描述，附圖中圖解了這些實施方式的一些例子。盡可能地在整個附圖中將使用相同的參考標記表示相同或相似的部分。注意，如果確定一些已知技術可能誤導本發(fā)明的實施方式，將省略對這些已知技術的詳細描述。考慮到便于撰寫說明書而選擇了下面描述中使用的部件的名稱。因而，這些部件的名稱可能不同于實際產(chǎn)品中使用的部件的名稱。

圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的平面圖。圖2是圖1的剖面圖。圖3是詳細圖解有機發(fā)光顯示裝置的剖面圖。

如圖1和2中所示，有機發(fā)光顯示裝置可包括：基板100，基板100具有以矩陣形式布置的多個像素；設置在每個像素處的第一電極121；暴露第一電極121的堤部122；以及間隔體(spacer)125，間隔體125包括依次層疊在堤部122上的第一層125a和第二層125b，第一層125a由第一光反應性(photoreactive)的壓克力例如負型光學壓克力(photoacryl)形成且同時具有倒錐形形狀，第二層125b由具有比第一層125a的光反應性更大的光反應性的第二光反應性的壓克力例如負型光學壓克力形成且同時具有正錐形形狀。有機層123a、123b和123c形成在堤部122和第一電極121上。每個有機層包含有機發(fā)光層。第二電極124設置在堤部122、間隔體125、以及有機層123a、123b和123c上?；?00的下方可設置有顯示裝置400。

圖1中所示的像素在平面上布置在對角線方向上。每個像素中的有機層123a、123b和123c相對于顏色而具有不同的形狀。隨著有機層123a、123b和123c的發(fā)光效率降低，有機層123a、123b和123c的尺寸增加。例如，具有最大菱形形狀的有機層123c是藍色發(fā)光層。具有比有機層123c小的菱形形狀的有機層123a是紅色發(fā)光層。在水平方向上延伸的有機層123b是綠色發(fā)光層。在此，綠色發(fā)光層123b具有平行四邊形形狀。然而，通?？善谕渚哂信c紅色發(fā)光層123a相似的菱形形狀。同時，當像素布置在對角線方向上并且在沉積有機材料時，間隔體125與沉積掩模接觸時，一種對稱的力施加至整個面板，由此防止顆粒集中在某一部分中并使亮度分布均勻。

在此，每個像素包括有機發(fā)光二極管(oled)，有機發(fā)光二極管包括第一電極121、包含有機發(fā)光層的有機層123、以及第二電極124。每個像素包括電路構造，電路構造包括用于分開地驅動每個有機發(fā)光二極管的至少兩個薄膜晶體管和至少一個電容器。

此外，每個像素的電路構造稱為薄膜晶體管陣列110。如圖3中所示，薄膜晶體管陣列110布置在有機發(fā)光二極管下方。就是說，tft緩沖層105設置在基板100上。薄膜晶體管陣列110包括彼此交叉以劃分出像素的柵極線和數(shù)據(jù)線、以及位于每個像素處的至少兩個薄膜晶體管tft。

薄膜晶體管陣列110的像素中的薄膜晶體管tft包括位于tft緩沖層105上的有源層111、形成在tft緩沖層105上以覆蓋有源層111的柵極絕緣層112、與有源層111交疊的柵極電極113、形成在柵極電極113和柵極絕緣層112上的層間絕緣層114、以及穿過層間絕緣層114和柵極絕緣層112以接觸有源層111的兩側的源極電極115a和漏極電極115b。在此，柵極電極113可設置在與柵極線相同的水平面處。源極電極115a和漏極電極115b可設置在與數(shù)據(jù)線相同的水平面處。在薄膜晶體管陣列110的外圍區(qū)域中，用于柵極線和數(shù)據(jù)線的焊盤電極以及用于有機發(fā)光顯示陣列120的第二電極的第二電極焊盤電極設置成接地或者允許對其施加具體電壓。

此外，設置在有機發(fā)光顯示陣列120的每個子像素處的有機發(fā)光二極管oled包括：連接至漏極電極115b的第一電極121、形成在限定發(fā)光區(qū)域的堤部122上的包含有機發(fā)光層的有機層123、以及覆蓋有機層123的第二電極124。

在此，間隔體125設置在堤部122上。在有機發(fā)光材料的沉積工藝中，間隔體125防止由金屬元素形成且同時具有具體開口的沉積掩模與堤部122直接接觸。因而，可防止用于限定發(fā)光區(qū)域的堤部122的塌陷。

圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的堤部和間隔體的剖面圖。

如圖4中所示，堤部上的間隔體125形成有雙層(bi-level)結構。間隔體125的下部的第一層125a由第一光反應性的負型光學壓克力形成且同時具有倒錐形形狀。此外，間隔體125的上部的第二層125b由具有比第一層125a的光反應性更大的光反應性的第二光反應性的負型光學壓克力形成且同時具有正錐形形狀。由于不同的光反應性，第一層125a和第二層125b通過一次曝光而被限定為具有不同的形狀。此外，因為第一層125a和第二層125b由負型光學壓克力形成，所以接收光的部分保留下來。由于不同的曝光輪廓(profile)，第一層125a和第二層125b中的一個的邊緣部分具有與第一層125a和第二層125b中的另一個的邊緣部分不同的形狀。

同時，第一電極121是反射電極，第二電極124是透明電極。當外部光入射時，外部光穿過有機發(fā)光二極管oled并在第一電極121處反射。一旦反射，外部光穿過透明的第二電極124。此外，封裝層140形成在有機發(fā)光顯示陣列120上，以覆蓋有機發(fā)光二極管oled的上部和側部。

偏振板形成在有機發(fā)光顯示裝置的最外層處，以防止外部光的可視性。例如，如圖所示，有機發(fā)光顯示裝置用作顯示裝置。然而，另一面板可粘附到封裝層140的上部，其中在另一面板與封裝層140之間插入單獨的粘結層。例如，觸摸感測陣列面板可用作所述粘附的面板。在這種情形中，偏振板包括在觸摸感測陣列面板中或者包括在觸摸感測陣列面板的最外側處。

同時，基板100可包括選自由下述聚合化合物(polymericcompound)構成的集合中的至少一種聚合化合物：聚酯或包括聚酯的共聚物、聚酰亞胺或包括聚酰亞胺的共聚物、烯烴共聚物、聚丙烯酸或包括聚丙烯酸的共聚物、聚苯乙烯或包括聚苯乙烯的共聚物、磺酸或包括磺酸的共聚物、聚碳酸酯或包括聚碳酸酯的共聚物、聚酰胺酸或包括聚酰胺酸的共聚物、多胺或包括多胺的共聚物、聚乙烯醇、以及聚(烯丙胺)?；?00的厚度可以是5μm到100μm。這使得有機發(fā)光顯示裝置可折疊并且是柔性的。當添加觸摸感測陣列面板時，觸摸感測陣列面板可由與基板100相同的材料形成或者可由與基板100相似的材料形成。此外，在頂部發(fā)光型構造中，基板100可使用有色的材料。

同時，如圖所示，包含有機發(fā)光層的有機層123在每個像素中相對于間隔體125彼此分隔開。特別是，在有機層123中，第一電極121與第二電極124之間的有機發(fā)光層相對于像素彼此分隔開，以防止色混合并相對于像素獨立地驅動顏色?？赏ㄟ^與有機發(fā)光層相同的沉積掩模形成有機層123?？蛇x擇地，有機發(fā)光層可使用沉積掩模，其余的有機層不使用沉積掩模而整體沉積。然而，在任何情形中，當間隔體125具有倒錐形下部和正錐形上部，并且沉積有機層123時，在沉積掩模的開口與間隔體125的邊緣部分之間存在干擾。盡管有機材料對應于間隔體125的邊緣部分，但間隔體125的第一層125a具有倒錐形形狀，使得有機材料可聚集在倒錐形的第一層125a處并且相對于像素可分隔開。因而，可防止由于像素之間有機發(fā)光材料的交疊導致的色混合。

此外，因為作為間隔體125的上部的第二層125b具有正錐形形狀，所以當有機材料的沉積掩模與第二層125b的表面接觸時，接觸區(qū)域較小。因此，可顯著減少在接觸區(qū)域處產(chǎn)生的顆粒，可保護與第一層125a相鄰的包含有機發(fā)光層的有機層123。

此外，因為間隔體125具有雙層結構，所以當施加外力時，例如當裝置被折疊時，力被間隔體125的形成單元分散。因而，裝置對折疊具有增加的耐受性。結果，可防止由于反復折疊和打開動作而導致的發(fā)光缺陷。

此外，因為設置在間隔體125的上部的第二層125b具有正錐形形狀并且設置在間隔體125的下部的第一層125a具有倒錐形形狀，所以即使在沉積有機材料之后，有機材料在第一層125a與第二層125b之間分離。同時，倒錐形的第一層125a的內部對有機材料具有較高粘附力，由此在進行起外力作用的反復折疊和打開動作時是穩(wěn)定的。就是說，當整個沉積有機材料并執(zhí)行折疊動作時，在被局部施加外力的部分處發(fā)生有機材料的脫落并且脫落會蔓延。然而，因為包含每個有機發(fā)光層的有機層分離地沉積在倒錐形的第一層125a的內部，使得有機材料的部分脫落不影響整個面板。因此，由于用于每個像素的有機材料的粘附力增大，所以盡管進行反復折疊和打開動作，但有機發(fā)光顯示裝置是穩(wěn)定的。

同時，如圖所示，像素可布置在基板的對角線方向上。此外，每個像素可具有菱形形狀。針對有機發(fā)光層的顏色像素可具有不同的尺寸。

發(fā)光層的尺寸可根據(jù)發(fā)光效率而變化。具有低發(fā)光效率的有機發(fā)光層形成為較大像素，具有高發(fā)光效率的有機發(fā)光層形成為較小像素。每個有機發(fā)光層的尺寸可由堤部確定。

下文中，將解釋有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。

圖5是圖解用于形成圖4的間隔體的材料和掩模的剖面圖。圖6a和6b是圖解在形成根據(jù)本發(fā)明實施方式的間隔體時，組成間隔體的第一層和第二層關于同一掩模的光反應性的剖面圖。圖7a到7c是圖解本發(fā)明實施方式的間隔體的制造方法的剖面圖。

如圖5和7a中所示，首先，在堤部122上依次沉積由第一光反應性的負型光學壓克力形成的第一層1251、以及由具有比第一層1251更大的光反應性的第二光反應性的負型光學壓克力形成的第二層1252。

然后，如圖7b中所示，使用具有暴露堤部122上方的預定部分或某一部分的開口或開口部1300a且同時設置在第二層1252上方的掩模1300以便同時形成倒錐形的第一層125a和正錐形的第二層125b，由此形成間隔體125。

在此，當一般掩模1300具有開口1300a時，通過開口1300a執(zhí)行曝光。穿過開口1300a的中心部分的光的強度較高，穿過開口1300a的邊緣部分的光的強度較低。因而，與掩模1300的開口1300a對應的光刻膠材料被曝光。最終的圖案形狀可根據(jù)光刻膠材料的光反應性而變化。

當制造間隔體時，其中曝光的部分保留下來的負型光刻膠材料用于第一層1251和第二層1252。如圖6a和6b中所示，第一層1251由較低光反應性的負型光刻膠材料形成并且第二層1252由較高光反應性的負型光刻膠材料形成，使得在曝光之后第一層1251和第二層1252可具有不同的錐形形狀。就是說，下部的第一層1251在曝光之后具有倒錐形形狀并且上部的第二層1252在曝光之后具有正錐形形狀，使得在進行折疊動作時可減小應力并且在沉積有機材料時可防止由于顆粒導致的缺陷，因為間隔體與沉積掩模之間的接觸區(qū)域減小。

特別是，間隔體125的負型光刻膠材料可包括負型光學壓克力。例如，較高光反應性的第二層1252可使用hdn-300，較低光反應性的第一層1251可使用zpn-2464。

在曝光之后，如圖7c中所示，第一層1251和第二層1252被圖案化，使得第一層125a和第二層125b分別具有倒錐形形狀和正錐形形狀。間隔體125包括第一層125a和第二層125b。

圖8是圖解根據(jù)本發(fā)明實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的流程圖。參照圖3和8，將解釋有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。

首先，在玻璃基板(未示出)上形成具有柔性材料的基板100。形成薄膜晶體管陣列110(步驟s100)，薄膜晶體管陣列110在以矩陣形式布置的多個像素的每一個處包括如圖3中所示的至少兩個薄膜晶體管和至少一個電容器。

然后，形成第一電極121(步驟s110)，第一電極121連接至設置在薄膜晶體管陣列110的每個像素處的驅動薄膜晶體管。隨后，在每個像素的邊界處形成用于限定有機發(fā)光層的形成區(qū)域的堤部122(步驟s120)。

如圖7a中所示，在堤部122上依次沉積由第一光反應性的負型光學壓克力形成的第一層1251、以及由具有比第一層1251更大的光反應性的第二光反應性的負型光學壓克力形成的第二層1252(步驟s130)。

如圖7b中所示，在第二層1252上方設置具有開口的掩模，開口暴露與堤部122對應的第二層1252的具體部分。如圖7c中所示，通過光照射使用掩模曝光第二層1252，使得同時形成具有倒錐形形狀的第一層125a和具有正錐形形狀的第二層125b，以形成間隔體125(步驟s140)。

然后，在堤部122和第一電極121上形成包含有機發(fā)光層的有機層123(步驟s150)。隨后，在堤部122、間隔體125和有機層123上形成第二電極124(步驟s160)。在整個第二電極124處形成封裝層140(步驟s170)，以完成有機發(fā)光顯示裝置的工藝。

如上所述，根據(jù)本發(fā)明示例性實施方式的有機發(fā)光顯示裝置的間隔體由具有不同錐形形狀的雙層結構形成。詳細地說，在沉積了具有不同光反應性的材料之后，執(zhí)行一次曝光來形成間隔體，由此減少了掩模數(shù)量。因為間隔體的上部具有正錐形形狀，所以可減小間隔體與沉積掩模之間的接觸區(qū)域，由此減少顆粒。同時，因為間隔體的下部具有倒錐形形狀，所以可減少在反復折疊和打開動作過程中有機材料的脫落。

從上面的描述顯而易見的是，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，具有例如如下所述的優(yōu)點。

第一，改變了堤部上的間隔體的形狀，以在沉積有機材料時防止金屬掩模直接影響像素區(qū)域。

第二，間隔體具有正錐形的上部，以減小沉積掩模的接觸區(qū)域，由此防止由于顆粒導致的缺陷。同時，間隔體具有倒錐形的下部，以防止由于反復折疊和打開動作導致的有機材料的脫落。

第三，在具有不同光反應性的負型光刻膠材料沉積為具有雙層結構之后，執(zhí)行一次曝光來形成具有不同錐形形狀的雙層結構的間隔體。結果，可減少掩模數(shù)量。

在不背離本公開內容的精神或范圍的情況下，可在本發(fā)明中進行各種修改和變化，這對于所屬領域技術人員來說將是顯而易見的。因而，本發(fā)明旨在涵蓋落入所附利要求書范圍及其等同范圍內的對本發(fā)明的修改和變化。