本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示設(shè)備、陣列基板及其制作方法。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,簡(jiǎn)稱tft-lcd)是一種重要的平板顯示設(shè)備，它的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數(shù)據(jù)線以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor,簡(jiǎn)稱tft)和像素電極。在顯示過(guò)程中，tft作為開關(guān)控制對(duì)液晶施加驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，從而控制液晶的旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)畫面的顯示。通常在彩膜基板上形成有黑矩陣，其與陣列基板上的非顯示區(qū)域位置對(duì)應(yīng)，用于防止非顯示區(qū)域漏光，影響顯示質(zhì)量。

本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期的研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的氧化物薄膜晶體管(oxidetft)技術(shù)還存在一些問(wèn)題，其中最重要的一部分是它的可靠性問(wèn)題。而決定其可靠性的主要因素在于活性層(activelayer)膜質(zhì)。在頂柵(top-gate)結(jié)構(gòu)中，當(dāng)前常用的柵極絕緣層成膜工藝，是通過(guò)化學(xué)氣相沉積法(pecvd)沉積一層1500～2000a的sio2，但是pecvd使用的等離子體會(huì)對(duì)下層的activelayer造成損傷，進(jìn)而導(dǎo)致薄膜晶體管(tft)的可靠性降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要提供一種顯示設(shè)備、陣列基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，在制作柵極絕緣層時(shí)，半導(dǎo)體層容易受到損傷，進(jìn)而導(dǎo)致tft的可靠性下降的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一技術(shù)方案如下：提供一種陣列基板，包括:

半導(dǎo)體層；

第一柵極絕緣層，形成于所述半導(dǎo)體層一面，且通過(guò)第一方法形成；

第二柵極絕緣層，形成于所述第一柵極絕緣層的背對(duì)所述半導(dǎo)體層一側(cè)，且通過(guò)第二方法形成；

其中，所述第一方法可保護(hù)所述半導(dǎo)體層的可靠性。

可選地，所述第一柵極絕緣層的厚度小于所述第二柵極絕緣層的厚度。

可選地，所述第一柵極絕緣層的厚度范圍為50～100a，所述第二柵極絕緣層的厚度范圍為1500～2000a。

可選地，所述第一方法為原子沉積法，所述第二方法為化學(xué)氣相沉積法。

可選地，所述第一柵極絕緣層的材料為高介電常數(shù)材料。

可選地，所述高介電材料為氧化鋁材料。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案如下：提供一種顯示設(shè)備，其包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的又一技術(shù)方案如下：提供一種陣列基板的制作方法，包括：

形成半導(dǎo)體層；

通過(guò)第一方法在所述半導(dǎo)體層的一面形成第一柵極絕緣層，且所述第一方法可保護(hù)所述半導(dǎo)體層的可靠性；

通過(guò)第二方法在所述第一柵極絕緣層的背對(duì)所述半導(dǎo)體層一側(cè)形成第二柵極絕緣層。

可選地，所述第一方法為原子沉積法，所述第二方法為化學(xué)氣相沉積法。

可選地，通過(guò)干蝕刻方式形成所述第一柵極絕緣層及所述第二柵極絕緣層。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過(guò)第一方法形成第一柵極絕緣層，通過(guò)第二方法形成第二柵極絕緣層，其中所述第一方法可保護(hù)所述半導(dǎo)體層的可靠性，可避免損傷半導(dǎo)體層，提高薄膜晶體管的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1本發(fā)明陣列基板一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)構(gòu)示意圖，其中僅示意性顯示一個(gè)像素，或陣列基板的制作方法一實(shí)施方式的形成像素定義層及設(shè)置有機(jī)發(fā)光二極管后的機(jī)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明顯示設(shè)備一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明陣列基板的制作方法一實(shí)施方式的整體實(shí)施步驟流程示意圖；

圖4是本發(fā)明陣列基板的制作方法一實(shí)施方式的在襯底基板上從下到上依次形成遮光層、阻擋層及半導(dǎo)體層時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5是本發(fā)明陣列基板的制作方法一實(shí)施方式的形成第一柵極絕緣層、第二柵極絕緣層和柵極時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1，圖1是本發(fā)明的一種陣列基板的制作方法的形成像素定義層14及設(shè)置有機(jī)發(fā)光二極管15后的機(jī)構(gòu)示意圖。從圖1可以看到，本實(shí)施例的一種陣列基板，包括：

在襯底基板1上從下到上依次形成的遮光層2、阻擋層3以及半導(dǎo)體層4；

第一柵極絕緣層5，形成于所述半導(dǎo)體層4一面，且通過(guò)第一方法形成；

第二柵極絕緣層6，形成于所述第一柵極絕緣層5的背對(duì)所述半導(dǎo)體層4一側(cè)，且通過(guò)第二方法形成；

其中，所述第一方法可保護(hù)所述半導(dǎo)體層4的可靠性。

在本實(shí)施例中，本發(fā)明的陣列基板還包括在所述第二柵極絕緣層6上形成的柵極7，在所述柵極7、所述第二柵極絕緣層6、所述第一柵極絕緣層5、所述半導(dǎo)體層4及所述阻擋層3上，依次形成的源漏極10絕緣層8、源極9、漏極10、保護(hù)層11、平坦層12、像素電極層13及像素定義層14。其中，在所述像素定義層14內(nèi)還設(shè)置有用于發(fā)光的有機(jī)發(fā)光二極管15。

在本實(shí)施例中，所述第一柵極絕緣層5的厚度小于所述第二柵極絕緣層6的厚度，以減少沉積形成所述第一柵極絕緣層5的時(shí)間，進(jìn)而減少形成整個(gè)液晶顯示面板的時(shí)間，提高生產(chǎn)效率。

在本實(shí)施例中，所述第一柵極絕緣層5的厚度范圍為50～100a，可選為50a、60a、70a、80a、90a或100a，所述第二柵極絕緣層6的厚度范圍為1500～2000a，可選為1500a、1600a、1700a、1800a、1900a或2000a。

在本實(shí)施例中可選地，可選所述第一方法為原子沉積法，所述第二方法為化學(xué)氣相沉積法。原子沉積法的沉積速度相對(duì)較慢，不會(huì)損傷所述半導(dǎo)體層4以至超過(guò)所述半導(dǎo)體層4的可靠性底線，所以設(shè)置所述第一柵極絕緣層5的厚度小，可以節(jié)省沉積時(shí)間又不至于過(guò)度損傷半導(dǎo)體層4。化學(xué)氣相沉積法的沉積速度相對(duì)較快，所以設(shè)置所述第二柵極絕緣層6的厚度大，也不會(huì)需要多少沉積時(shí)間，不會(huì)影響產(chǎn)品的生產(chǎn)效率；同時(shí)因?yàn)榈谝粬艠O絕緣層5的存在，遮擋住并保護(hù)半導(dǎo)體層4，因此化學(xué)氣相沉積法的使用并不會(huì)損傷半導(dǎo)體層4。

在本實(shí)施例中，可選所述第一柵極絕緣層5的材料為高介電常數(shù)材料，并可選所述高介電材料為氧化鋁材料。

本發(fā)明通過(guò)原子沉積法沉積形成第一柵極絕緣層5，以及通過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積形成第二柵極絕緣層6，既可避免損傷半導(dǎo)體層4，提高薄膜晶體管的可靠性，又減少了原子沉積發(fā)沉積速率過(guò)低而影響生產(chǎn)效率的影響，可以在生產(chǎn)效率和tft可靠度方面很好地平衡。

實(shí)施例二

本實(shí)施例提供一種顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括實(shí)施例一所述的陣列基板20，在所述陣列基板20上設(shè)置了相應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路30。由于該陣列基板20已經(jīng)在實(shí)施例一中進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，在此不再重復(fù)論述。

本發(fā)明的一種顯示設(shè)備，其陣列基板20通過(guò)原子沉積法沉積形成第一柵極絕緣層5，以及通過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積形成第二柵極絕緣層6，既可避免損傷半導(dǎo)體層4，提高薄膜晶體管的可靠性，又減少了原子沉積發(fā)沉積速率過(guò)低而影響生產(chǎn)效率的影響，可以在生產(chǎn)效率和tft可靠度方面很好地平衡。

實(shí)施例三

請(qǐng)參閱圖3，圖3是本實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法的整體實(shí)施步驟流程圖。從圖3可以看到，本實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法，包括以下幾個(gè)步驟：

步驟s101：在襯底基板1上從下到上依次形成遮光層2、阻擋層3及半導(dǎo)體層4。如圖4所示，圖4是本實(shí)施例的一種陣列基板的制作方法的在襯底基板1上從下到上依次形成遮光層2、阻擋層3及半導(dǎo)體層4時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

步驟s102：在所述半導(dǎo)體層4上形成第一柵極絕緣層5，并在所述第一柵極絕緣層5上形成第二柵極絕緣層6。

在本步驟中，通過(guò)第一方法在所述半導(dǎo)體層4的一面形成第一柵極絕緣層5，且所述第一方法可保護(hù)所述半導(dǎo)體層4的可靠性。通過(guò)第二方法在所述第一柵極絕緣層5的背對(duì)所述半導(dǎo)體層4一側(cè)形成第二柵極絕緣層6。

步驟s103：在所述第二柵極絕緣層6上形成柵極7。如圖5所示，圖5是本實(shí)施例陣列基板的制作方法的形成第一柵極絕緣層5、第二柵極絕緣層6和柵極7時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。

在本步驟中，首先采用物理氣相沉積法在所述第二柵極絕緣層6上沉積一層金屬層，再采用濕蝕刻方式對(duì)所述金屬層進(jìn)行圖案化處理，以形成所述柵極7。

步驟s104：在所述柵極7、所述第二柵極絕緣層6、所述第一柵極絕緣層5、所述半導(dǎo)體層4及所述阻擋層3上，形成源漏極10絕緣層8、源極9、漏極10、保護(hù)層11、平坦層12、像素電極層13及像素定義層14。

在本實(shí)施例中，可選所述第一方法為原子沉積法，并可選所述第二方法為化學(xué)氣相沉積法。

在本實(shí)施例中，通過(guò)干蝕刻方式形成所述第一柵極絕緣層5及所述第二柵極絕緣層6。

本發(fā)明采用雙層沉積的方式制作柵極絕緣層，在半導(dǎo)體層上首先采用不需要等離子體參加的原子沉積法，沉積50-100a厚度的氧化鋁(al2o3)等高介電常數(shù)的材料，作為第一柵極絕緣層5，這是因?yàn)樵映练e法的沉積速度很小，不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層4造成損傷。另外我們采用pecvd的方式沉積1500-2000a厚度的二氧化硅(sio2)，作為第二柵極絕緣層6，由于第二柵極絕緣層6不接觸到半導(dǎo)體層4，也不會(huì)對(duì)半導(dǎo)體層4造成損傷并且pecvd沉積速度較大，可以節(jié)省沉積時(shí)間，彌補(bǔ)了原子沉積法速度過(guò)小導(dǎo)致產(chǎn)品生產(chǎn)效率過(guò)低的問(wèn)題。本發(fā)明既避免了pecvd的等離子體對(duì)半導(dǎo)體層4的損傷，提高了tft的可靠性，又減少了原子沉積法沉積速率過(guò)低而影響生產(chǎn)效率的影響，可以在生產(chǎn)效率和tft可靠度方面很好地平衡。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。