本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種OLED器件的制作方法及OLED器件。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光二極管OLED在平板顯示器、照明和背光的應(yīng)用前景逐漸引起了人們的廣泛關(guān)注。目前，制約OLED應(yīng)用的關(guān)鍵因素就是如何更好的阻隔外界的水氧。最常用的方法是利用紫外光固化膠加玻璃覆蓋封裝。柔性顯示作為未來的主流技術(shù)，其對應(yīng)的薄膜封裝(TFE)工藝至關(guān)重要。另一方面，大量研究結(jié)果表明，OLED效率的衰減與自身發(fā)熱引起的材料降解密不可分，因此如何有效的阻隔外界的水氧以及降低器件發(fā)熱引起的熱分解對提高器件操作壽命十分重要。

因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種改進(jìn)的OLED器件的制作方法及OLED器件。

為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下：提供一種OLED器件的制作方法，包括以下步驟：

在基板上設(shè)置OLED器件層；

在OLED器件層上沉積第一無機(jī)層；

在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽；

在凹槽內(nèi)填充金屬層；

在該金屬層以及該第一無機(jī)層上沉積第一有機(jī)層。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的制作方法中，所述在凹槽內(nèi)填充金屬層的步驟包括：

采用噴墨打印的方式將液態(tài)金屬打印到該凹槽內(nèi)，形成金屬層。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的制作方法中，所述金屬層的厚度與所述凹槽的深度相等。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的制作方法中，所述金屬層的厚度為0.2μm至0.5μm。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的制作方法中，在所述在該金屬層以及該第一無機(jī)層上沉積第一有機(jī)層的步驟之后，還包括以下步驟：

在第一有機(jī)層沉積第二無機(jī)層；

在第二無機(jī)層上沉積第二有機(jī)層。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件的制作方法中，所述所述金屬層的材料是鎵銦合金。

本發(fā)明還提供了一種OLED器件，包括：

一基板；

OLED器件層，其設(shè)置于所述基板上；

第一無機(jī)層，其沉積于所述OLED器件層上，所述第一無機(jī)層上開設(shè)有凹槽；

金屬層，其填充于所述凹槽內(nèi)；

第一有機(jī)層，其沉積于所述金屬層以及所述第一無機(jī)層上。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件中，所述金屬層的厚度與所述凹槽的深度相等。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件中，所述金屬層的材料是鎵銦合金。

在本發(fā)明實(shí)施例提供的OLED器件中，還包括：

第二無機(jī)層，其沉積于第一有機(jī)層上；

第二有機(jī)層，其沉積于第二無機(jī)層上。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽，并在凹槽中填充金屬層，可以有效地降低器件操作時產(chǎn)生的熱量，阻隔水以及氧氣，可以提高OLED器件的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的OLED器件的制作方法的流程圖。

圖2是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例中的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

以下各實(shí)施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。

下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，所述實(shí)施方式的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施方式是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。

在本發(fā)明的描述中，需要理解的是，術(shù)語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內(nèi)”、“外”、“順時針”、“逆時針”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。此外，術(shù)語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個或者更多個所述特征。在本發(fā)明的描述中，“多個”的含義是兩個或兩個以上，除非另有明確具體的限定。

在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機(jī)械連接，也可以是電連接或可以相互通訊；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內(nèi)部的連通或兩個元件的相互作用關(guān)系。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。

在本發(fā)明中，除非另有明確的規(guī)定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接觸，也可以包括第一和第二特征不是直接接觸而是通過它們之間的另外的特征接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公開提供了許多不同的實(shí)施方式或例子用來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡化本發(fā)明的公開，下文中對特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或參考字母，這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施方式和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識到其他工藝的應(yīng)用和/或其他材料的使用。

在圖中，結(jié)構(gòu)相似的模塊是以相同標(biāo)號表示。

請參照圖1以及圖3，在本實(shí)施例中，該OLED器件的制作方法包括以下步驟：

S101、在基板上設(shè)置OLED器件層；

S102、在OLED器件層上沉積第一無機(jī)層；

S103、在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽；

S104、在凹槽內(nèi)填充金屬層；

S105、在該金屬層以及該第一無機(jī)層上沉積第一有機(jī)層；

S106、在該第一有機(jī)層上沉積第二無機(jī)層；

S107、在該第二無機(jī)層上沉積第二有機(jī)層。

下面對該OLED器件的制作方法的各個步驟進(jìn)行詳細(xì)說明。

在該步驟S101中，該基板10可以為玻璃基板，也可以為柔性基板。該OLED器件層11包括依次設(shè)置于該基板上的TFT陣列層、陰極電極層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極電極層。

在該步驟S102中，可以采用化學(xué)氣相沉淀法在該OLED器件層11的陽極電極層上沉積第一無機(jī)層12，其中，該第一無機(jī)層12可以采用對水、氧阻隔作用較好的材料，例如二氧化硅等。

在該步驟S103中，該凹槽121為一個呈矩形狀的槽，其分布占據(jù)了該第一無機(jī)層12的大部分面積，例如，占據(jù)了該第一無機(jī)層12面積的80％以上。可以理解地，該凹槽121還可以為多個呈矩形陣列分布的子槽，每一子槽均呈矩形狀，該多個子槽間隔地均勻分布在該第一無機(jī)層12上。具體實(shí)施時，該凹槽121可以采用刻蝕技術(shù)形成。

在該步驟S104中，具體實(shí)施時，可以采用噴墨打印的方式將液態(tài)金屬打印到該凹槽121內(nèi)，形成金屬層14。其中，該金屬層14的材料可以為鎵和銦兩種金屬的合金。該金屬層14的厚度在0.2um至0.5um。該金屬層14的厚度與該凹槽121的深度相等。

在該步驟S105中，可以采用化學(xué)氣相沉淀法形成該第一有機(jī)層13，該第一有機(jī)層13的厚度大約在2um至5um。

在該步驟S106中，可以采用化學(xué)氣相沉淀法形成該第二無機(jī)層15，該第二無機(jī)層15的厚度與第一無機(jī)層12未開槽部分的厚度相同，該第二無機(jī)層12可以采用氮化硅或二氧化硅等材料。

在該步驟S107中，可以采用化學(xué)氣相沉淀法形成該第二有機(jī)層16。該第二有機(jī)層16的厚度大約在2um至5um。其可以一定程度上隔絕外部水氧對器件的腐蝕。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽，并在凹槽中填充金屬層，可以有效地降低器件操作時產(chǎn)生的熱量，阻隔水以及氧氣，可以提高OLED器件的穩(wěn)定性。

如圖2所述，是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，該OLED器件包括：基板10、OLED器件層11、第一無機(jī)層12、金屬層14、第一有機(jī)層13。

其中，該基板10可以為玻璃基板或柔性基板。

該OLED器件層11包括依次設(shè)置于該基板10上的TFT陣列層、陰極電極層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極電極層。

該第一無機(jī)層12采用化學(xué)氣相沉淀法沉積于所述OLED器件層11上，第一無機(jī)層12上開設(shè)有凹槽121。

金屬層14填充于所述凹槽121內(nèi)。具體地，該金屬層14為采用采用噴墨打印的方式將液態(tài)金屬打印到該凹槽內(nèi)形成的。該金屬層14的材料可以為鎵和銦兩種金屬的合金。該金屬層14的厚度在0.2um至0.5um。該金屬層14的厚度與該凹槽121的深度相等。

該第一有機(jī)層13采用化學(xué)氣相沉淀法沉積于該金屬層14以及第一無機(jī)層12上，以將該金屬層14以及第一無機(jī)層12完全覆蓋。該第一有機(jī)層13的厚度大約在2um至5um。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽，并在凹槽中填充金屬層，可以有效地降低器件操作時產(chǎn)生的熱量，阻隔水以及氧氣，可以提高OLED器件的穩(wěn)定性。

在另一些實(shí)施例中，如圖3所示，是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例中的OLED器件的結(jié)構(gòu)示意圖，在本實(shí)施例中，該OLED器件包括：基板10、OLED器件層11、第一無機(jī)層12、金屬層14、第一有機(jī)層13、第二無機(jī)層15以及第二有機(jī)層16。

其中，該基板10可以為玻璃基板或柔性基板。

該OLED器件層11包括依次設(shè)置于該基板10上的TFT陣列層、陰極電極層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層以及陽極電極層。

該第一無機(jī)層12采用化學(xué)氣相沉淀法沉積于所述OLED器件層11上，第一無機(jī)層12上開設(shè)有凹槽121。

金屬層14填充于所述凹槽121內(nèi)。具體地，該金屬層14為采用采用噴墨打印的方式將液態(tài)金屬打印到該凹槽內(nèi)形成的。該金屬層14的材料可以為鎵和銦兩種金屬的合金。該金屬層14的厚度在0.2um至0.5um。該金屬層14的厚度與該凹槽121的深度相等。

該第一有機(jī)層13采用化學(xué)氣相沉淀法沉積于該金屬層14以及第一無機(jī)層12上，以將該金屬層14以及第一無機(jī)層12完全覆蓋。該第一有機(jī)層13的厚度大約在2um至5um。

該第二無機(jī)層15采用化學(xué)氣相沉淀沉積于該第一有機(jī)層13上。該第二無機(jī)層16采用化學(xué)氣相沉淀設(shè)置于該第二有機(jī)層15上。其中，該第二有機(jī)層15的厚度大約在2um至5um。該第二無機(jī)層16的厚度與該第一無機(jī)層12的厚度相同。其可以一定程度上隔絕外部水氧對器件的腐蝕。

在本發(fā)明實(shí)施例中，通過在該第一無機(jī)層上開設(shè)凹槽，并在凹槽中填充金屬層，可以有效地降低器件操作時產(chǎn)生的熱量，阻隔水以及氧氣，可以提高OLED器件的穩(wěn)定性。

綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。