本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光技術領域，具體地講，涉及一種有機發(fā)光器件及其制作方法。

背景技術：

近年來，有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)成為國內外非常熱門的新興平面顯示器產品，這是因為OLED顯示器具有自發(fā)光、廣視角(達175°以上)、短反應時間(1μs)、高發(fā)光效率、廣色域、低工作電壓(3～10V)、薄厚度(可小于1mm)、可制作大尺寸與可撓曲的面板及制程簡單等特性，而且它還具有低成本的潛力。

目前，有機發(fā)光二極管由具有不同功能的多層結構組成。每層結構所采用材料的固有屬性及其與其他層結構所采用材料的兼容性是非常重要的。在多層結構中，通常包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)等。在基于紅、綠、藍三色的彩色有機發(fā)光二極管(multi-color OLED)中，可以調節(jié)不同層結構的厚度來調節(jié)OLED元器件的微腔效應，達到提高出光效率和調節(jié)每種顏色光的譜寬(spectral width)窄化的作用。例如，可以通過調節(jié)紅、綠、藍三種顏色發(fā)光層對應的空穴傳輸層的厚度來調整三種顏色發(fā)光層出射光的譜寬，達到平衡顏色的效果。在這種設計中，空穴傳輸層就不能夠作為公共層(common layer)來蒸鍍，需要增加使用精細金屬掩膜版(Fine metal mask)。這樣不僅增加了流程工藝的時間，而且由于金屬掩膜板清洗方面的問題，大大增加了有機發(fā)光二極管的成本。此外，由于精細金屬掩膜版使用中存在對準的問題(alignment issue)，會大大降低有機發(fā)光二極管的制作成功率。

技術實現要素：

為了解決上述現有技術存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠省去使用精細金屬掩膜版的有機發(fā)光器件及其制作方法。

根據本發(fā)明的一方面，提供了一種有機發(fā)光器件的制作方法，其包括步驟：在襯底基材上制作底電極；利用蒸鍍技術以及光刻技術在所述底電極上制作有機電致發(fā)光組件；在所述有機電致發(fā)光組件上制作頂電極。

可選地，利用蒸鍍技術以及光刻技術在所述底電極上制作有機電致發(fā)光組件的方法包括步驟：在所述底電極上蒸鍍空穴注入層；按共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上利用光刻技術制作能夠發(fā)出不同顏色光線的發(fā)光層各自對應的空穴傳輸層；在所述空穴傳輸層上蒸鍍對應的發(fā)光層；在所述發(fā)光層上蒸鍍電子傳輸層；在所述電子傳輸層上蒸鍍電子注入層。

可選地，所述能夠發(fā)出不同顏色的發(fā)光層包括：能夠發(fā)出紅色光線的第一發(fā)光層、能夠發(fā)出綠色光線的第二發(fā)光層以及能夠發(fā)出藍色光線的第三發(fā)光層。

可選地，按共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上利用光刻技術制作能夠發(fā)出紅色光線的第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層的方法包括步驟：按所述第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上蒸鍍有機材料層；在有機材料層上涂布覆蓋光阻層；利用第一曝光光罩對所述光阻層進行曝光；所述第一曝光光罩相對于所述第一發(fā)光層的部分透光，其余部分不透光；對經曝光后的光阻層進行顯影，以將未被光照的光阻層去除；將未被光阻層覆蓋的有機材料層刻蝕去除；將被光照的光阻層剝離，從而形成所述第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層。

可選地，按共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上利用光刻技術制作能夠發(fā)出綠色光線的第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層的方法包括步驟：按所述第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上蒸鍍有機材料層；在有機材料層上涂布覆蓋光阻層；利用第二曝光光罩對所述光阻層進行曝光；所述第二曝光光罩相對于所述第二發(fā)光層的部分透光，其余部分不透光；對經曝光后的光阻層進行顯影，以將未被光照的光阻層去除；將未被光阻層覆蓋的有機材料層刻蝕去除；將被光照的光阻層剝離，從而形成所述第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層。

可選地，按共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上利用光刻技術制作能夠發(fā)出綠色光線的第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層的方法包括步驟：按所述第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度在所述空穴注入層上蒸鍍有機材料層；在有機材料層上涂布覆蓋光阻層；利用第三曝光光罩對所述光阻層進行曝光；所述第三曝光光罩相對于所述第三發(fā)光層的部分透光，其余部分不透光；對經曝光后的光阻層進行顯影，以將未被光照的光阻層去除；將未被光阻層覆蓋的有機材料層刻蝕去除；將被光照的光阻層剝離，從而形成所述第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層。

可選地，所述光阻層采用負光阻材料制作。

可選地，所述第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度大于所述第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度，并且所述第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度大于所述第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層共振模態(tài)所需厚度。

可選地，所述底電極和所述頂點極中的一個是透明的或半透明的，另一個是不透明且反射光的。

根據本發(fā)明的另一方面，還提供了一種利用上述制作方法制作的有機發(fā)光器件。

本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明利用光刻技術制作各發(fā)光層對應的空穴傳輸層，從而無需使用精細金屬掩膜版(Fine metal mask)，節(jié)省了工藝成本和時間，同時也提高了有機發(fā)光器件的性能。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中：

圖1A至圖1C是根據本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件的制程圖；

圖2A至圖2E是根據本發(fā)明的實施例的有機電致發(fā)光組件的制程圖；

圖3A至圖3F是根據本發(fā)明的實施例的第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖；

圖4A至圖4F是根據本發(fā)明的實施例的第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖；

圖5A至圖5F是根據本發(fā)明的實施例的第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應用，從而使本領域的其他技術人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應用的各種修改。

在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度。相同的標號在整個說明書和附圖中表示相同的元器件。

有機電致發(fā)光組件(或稱有機EL元件)是指處于兩個電極之間的一個或多個有機層，它們在外加電壓下發(fā)光。

圖1A至圖1C是根據本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件的制程圖。

參照圖1A，在襯底基材100上制作底電極210。

襯底基材100可以是透明的或者不透明的。對于通過襯底基材100觀察有機電致發(fā)光組件發(fā)光來說，襯底基材100是具有透光性質。在此情況下通常使用透明玻璃或塑料。對于通過頂電極觀察有機電致發(fā)光組件發(fā)光來說，襯底基材100的可以是透光的、吸光的或反光的。用于這種情況的材料包括但是不局限于玻璃、塑料、半導體材料、陶瓷、電路板材料或任何其它合適的材料。

底電極210最通常被設置為陽極。底電極210也是反光鏡。當通過襯底基材100觀察有機電致發(fā)光組件發(fā)光時，底電極210可以由反射性金屬制成，并且應該足夠薄以便在發(fā)射光的波長下具有部分透光率，這被稱為是半透明的，或者底電極210可以由透明的金屬氧化物制成，諸如氧化銦錫或氧化鋅錫等。當通過頂電極觀察有機電致發(fā)光組件發(fā)光時，底電極210可以由反射性金屬制成，并且應該足夠厚，以使其基本上是不透光的且是全反光鏡。

參照圖1B，利用蒸鍍技術及光刻技術在底電極210上制作有機電致發(fā)光組件300(或稱有機EL元件)。以下對有機電致發(fā)光組件300的制作方法進行具體描述說明。

圖2A至圖2E是根據本發(fā)明的實施例的有機電致發(fā)光組件的制程圖。

參照圖2A，在底電極210上蒸鍍空穴注入層(HIL)310?？昭ㄗ⑷雽?10可以用來提高后續(xù)有機層的成膜性質，并且有助于將空穴注入到空穴傳輸層(HTL)中。

參照圖2B，按共振模態(tài)所需厚度在空穴注入層310上利用光刻技術制作能夠發(fā)出不同顏色光線的發(fā)光層各自對應的空穴傳輸層320A、320B和320C。其中空穴傳輸層320A、320B和320C彼此間隔。如圖2C所示，能夠發(fā)出不同顏色光線的發(fā)光層包括：能夠發(fā)出紅色光線的第一發(fā)光層330A、能夠發(fā)出綠色光線的第二發(fā)光層330B以及能夠發(fā)出藍色光線的第三發(fā)光層330C。以下對空穴傳輸層320A、320B和320C的制作方法進行具體描述說明。需要說明的是，本發(fā)明并不對空穴傳輸層320A、320B和320C的制作順序作具體限定。

圖3A至圖3F是根據本發(fā)明的實施例的第一發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖。

參照圖3A，按第一發(fā)光層330A對應的空穴傳輸層320A共振模態(tài)所需厚度在空穴注入層310上蒸鍍有機材料層OG。

參照圖3B，在有機材料層OG上涂布覆蓋光阻層PR。這里光阻層PR采用負光阻材料制成。

參照圖3C，利用第一曝光光罩410對光阻層PR進行曝光。這里第一曝光光罩410相對于第一發(fā)光層330A的部分透光，其余部分不透光。

參照圖3D，對經曝光后的光阻層PR進行顯影，以將未被光照的光阻層PR去除。這里所采用的顯影液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

參照圖3E，將未被光阻層PR覆蓋的有機材料層OG刻蝕去除。

參照圖3F，將被光照的光阻層PR剝離，從而形成第一發(fā)光層330A對應的空穴傳輸層320A。這里所采用的剝離液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

圖4A至圖4F是根據本發(fā)明的實施例的第二發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖。

參照圖4A，按第二發(fā)光層330B對應的空穴傳輸層320B共振模態(tài)所需厚度在空穴注入層310上蒸鍍有機材料層OG。這里第二發(fā)光層330B對應的空穴傳輸層320B共振模態(tài)所需厚度大于第一發(fā)光層330A對應的空穴傳輸層320A共振模態(tài)所需厚度。

參照圖4B，在有機材料層OG上涂布覆蓋光阻層PR。這里光阻層PR采用負光阻材料制成。

參照圖4C，利用第二曝光光罩420對光阻層PR進行曝光。這里第二曝光光罩420相對于第二發(fā)光層330B的部分透光，其余部分不透光。

參照圖4D，對經曝光后的光阻層PR進行顯影，以將未被光照的光阻層PR去除。這里所采用的顯影液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

參照圖4E，將未被光阻層PR覆蓋的有機材料層OG刻蝕去除。

參照圖4F，將被光照的光阻層PR剝離，從而形成第二發(fā)光層330B對應的空穴傳輸層320B。這里所采用的剝離液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

圖5A至圖5F是根據本發(fā)明的實施例的第三發(fā)光層對應的空穴傳輸層的制程圖。

參照圖5A，按第三發(fā)光層330C對應的空穴傳輸層320C共振模態(tài)所需厚度在空穴注入層310上蒸鍍有機材料層OG。這里按第三發(fā)光層330C對應的空穴傳輸層320C共振模態(tài)所需厚度大于第二發(fā)光層330B對應的空穴傳輸層320B共振模態(tài)所需厚度。

參照圖5B，在有機材料層OG上涂布覆蓋光阻層PR。這里光阻層PR采用負光阻材料制成。

參照圖5C，利用第三曝光光罩430對光阻層PR進行曝光。這里第三曝光光罩430相對于第三發(fā)光層330C的部分透光，其余部分不透光。

參照圖5D，對經曝光后的光阻層PR進行顯影，以將未被光照的光阻層PR去除。這里所采用的顯影液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

參照圖5E，將未被光阻層PR覆蓋的有機材料層OG刻蝕去除。

參照圖5F，將被光照的光阻層PR剝離，從而形成第三發(fā)光層330C對應的空穴傳輸層320C。這里所采用的剝離液與有機材料層OG所采用的有機材料兼容，不會破壞有機材料層OG。

以下繼續(xù)對有機電致發(fā)光組件300的制作方法進行具體描述說明。

繼續(xù)參照圖2C，在各空穴傳輸層上蒸鍍對應的發(fā)光層。這里在空穴傳輸層320A上蒸鍍第一發(fā)光層330A，在空穴傳輸層320B上蒸鍍第二發(fā)光層330B，空穴傳輸層320C上蒸鍍第三發(fā)光層330C。其中第一發(fā)光層330A、第二發(fā)光層330B和第三發(fā)光層330C可以分時或同時蒸鍍而成。在第一發(fā)光層330A、第二發(fā)光層330B和第三發(fā)光層330C中，由于空穴-電子的重新組合而發(fā)出各自對應顏色的光線。

參照圖2D，在各發(fā)光層上同時蒸鍍電子傳輸層340。

參照圖2E，在電子傳輸層340上蒸鍍電子注入層350。

圖2A至圖2E示出了本發(fā)明的有機電致發(fā)光組件的一個實施例的制作方法，但本發(fā)明的有機電致發(fā)光組件并不限制于圖2A至圖2E所示的制作方法制作的結構，但有機電致發(fā)光組件中至少應該包括各發(fā)光層。

以下繼續(xù)對根據本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件的制作方法進行具體描述說明。

繼續(xù)參照圖1C，在有機電致發(fā)光組件300的電子注入層350上制作頂電極220。

頂電極220最通常被設置為陰極。頂電極220也是反光鏡。當通過頂電極220觀察有機電致發(fā)光組件300發(fā)光時，頂電極220可以由反射性金屬制成，并且應該足夠薄以便在發(fā)射光的波長下具有部分透光率，這被稱為是半透明的，或者頂電極220可以由透明的金屬氧化物制成，諸如氧化銦錫或氧化鋅錫等。當通過襯底基材100觀察有機電致發(fā)光組件300發(fā)光時，頂電極220可以由反射性金屬制成，并且應該足夠厚，以使其基本上是不透光的且是全反光鏡。

綜上所述，根據本發(fā)明的實施例的有機發(fā)光器件及其制作方法，利用光刻技術制作各發(fā)光層對應的空穴傳輸層，從而無需使用精細金屬掩膜版(Fine metal mask)，節(jié)省了工藝成本和時間，同時也提高了有機發(fā)光器件的性能。

雖然已經參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領域的技術人員將理解：在不脫離由權利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。