技術總結
本發(fā)明涉及一種頻率可重構偶極子天線的GaAs基等離子pin二極管的制備方法，該GaAs基等離子pin二極管用于制造頻率可重構偶極子天線，該GaAs基等離子pin二極管制造方法包括：選取某一晶向的GeOI襯底；在GeOI襯底上淀積GaAs層，通過光刻工藝形成隔離區(qū)；刻蝕GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；在P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；光刻P型有源區(qū)和N型有源區(qū)，形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；在P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線，以完成所述GaAs基等離子pin二極管的制備。本發(fā)明提供的可重構天線具有重量輕、結構簡單、成本低、頻率可快速跳變的特點。

技術研發(fā)人員：尹曉雪;張亮
受保護的技術使用者：西安科銳盛創(chuàng)新科技有限公司
文檔號碼：201611184782
技術研發(fā)日：2016.12.20
技術公布日：2017.06.20