本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法。

背景技術(shù)：

在天線技術(shù)發(fā)展迅猛的今天，傳統(tǒng)的套筒單極子天線以其寬頻帶、高增益、結(jié)構(gòu)簡單、饋電容易且縱向尺寸、方位面全向等諸多優(yōu)點廣泛應(yīng)用于車載、艦載和遙感等通信系統(tǒng)中。但是普遍使用的套筒單極子天線的電特征不僅依賴于套筒結(jié)構(gòu)，且與地面有很大的關(guān)系，這就很難滿足艦載通信工程中架高天線對寬頻帶和小型化的需求。

套筒偶極子天線是天線輻射體外加上了一個與之同軸的金屬套筒而形成的振子天線。套筒天線在加粗振子的同時，引入不對稱饋電，起到了類似電路中參差調(diào)諧的作用，進而更有效地展寬了阻抗帶寬。同時，為突破傳統(tǒng)天線固定不變的工作性能難以滿足多樣的系統(tǒng)需求和復(fù)雜多變的應(yīng)用環(huán)境，可重構(gòu)天線的概念得到重視并獲得發(fā)展。可重構(gòu)微帶天線因其體積小，剖面低等優(yōu)點成為可重構(gòu)天線研究的熱點?；诖?，可重構(gòu)的套筒偶極子天線成為當(dāng)前市場前景較好的產(chǎn)品之一。

隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，采用半導(dǎo)體材料制作可重構(gòu)天線已經(jīng)成為當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的趨勢。因此，如何采用半導(dǎo)體工藝技術(shù)設(shè)計出結(jié)構(gòu)簡單，易于實現(xiàn)的頻率可重構(gòu)的套筒偶極子天線，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種SPiN二極管可重構(gòu)等離子套筒偶極子天線。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：

本發(fā)明的實施例提供了一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法，其中，所述天線包括半導(dǎo)體基片、SPiN二極管天線臂、第一SPiN二極管套筒、第二SPiN二極管套筒、同軸饋線、直流偏置線；其中，所述制備方法包括：

選取SiGeOI襯底；

在所述SiGeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個SPiN二極管串；

制作直流偏置線以連接所述SPiN二極管串與直流偏置電源；

制作所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒；

制作所述同軸饋線以連接所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒，最終形成所述套筒偶極子天線。

在本發(fā)明的一個實施例中，在所述SiGeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個SPiN二極管串，包括：

(a)在所述SiGeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)設(shè)置隔離區(qū)；

(b)刻蝕所述SiGeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；

(d)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，并采用離子注入在所述SiGeOI襯底的頂層SiGe內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)；

(e)在所述SiGeOI襯底上形成引線以形成橫向SPiN二極管；

(f)光刻PAD以實現(xiàn)多個所述橫向SPiN二極管的串行連接從而形成多個所述SPiN二極管串。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟(a)包括：

(a1)在所述SiGeOI襯底表面形成第一保護層；

(a2)利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(a3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述SiGeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述SiGeOI襯底的頂層SiGe的厚度；

(a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟(c)包括：

(c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化；

(c3)對所述P型溝槽和所述N型溝槽進行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟(d)，包括：

(d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P+區(qū)(27)和N+區(qū)(26)；

(d2)平整化處理所述SiGeOI襯底后，在所述SiGeOI襯底上形成多晶硅層；

(d3)光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(d4))去除光刻膠；

(d5)利用濕法刻蝕去除P型電極和N型電極以外的所述多晶硅。

在本發(fā)明的一個實施例中，步驟(e)包括：

在所述SiGeOI襯底上生成二氧化硅；

利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；

在所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)光刻引線孔以形成引線。

在本發(fā)明的一個實施例中，制備直流偏置線，包括：

利用CVD工藝采用銅、鋁或者高摻雜的多晶硅制備形成所述直流偏置線。

在本發(fā)明的一個實施例中，所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒均包括串行連接的相同個數(shù)的所述SPiN二極管串，且對應(yīng)位置的所述SPiN二極管串包括相同個數(shù)的橫向SPiN二極管。

在本發(fā)明的一個實施例中，制作所述同軸饋線，包括：

將所述同軸饋線的內(nèi)芯線連接至所述SPiN二極管天線臂且將所述同軸饋線的外導(dǎo)體連接至所述第一SPiN二極管套筒與所述第二SPiN二極管套筒。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明制備的基于SiGe基SPiN二極管的頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線，體積小、剖面低，結(jié)構(gòu)簡單、易于加工、無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變，且天線關(guān)閉時將處于電磁波隱身狀態(tài)，可用于各種跳頻電臺或設(shè)備；由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，為平面結(jié)構(gòu)，易于組陣，可用作相控陣天線的基本組成單元。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例提供的一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例提供的一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法示意圖；

圖3為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管串的制備方法示意圖；

圖4為本發(fā)明實施例提供的一種橫向SPiN二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6a-圖6s為本發(fā)明實施例的一種橫向SPiN二極管的制備方法示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實施方式不限于此。

實施例一

請參見圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)示意圖。該天線包括半導(dǎo)體基片1、SPiN二極管天線臂2、第一SPiN二極管套筒3、第二SPiN二極管套筒4、同軸饋線5、直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19；

所述SPiN二極管天線臂2、所述第一SPiN二極管套筒3、所述第二SPiN二極管套筒4及所述直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19均制作于所述半導(dǎo)體基片1上；所述SPiN二極管天線臂2與所述第一SPiN二極管套筒3及所述第二SPiN二極管套筒4通過所述同軸饋線5連接，所述同軸饋線5的內(nèi)芯線7連接所述SPiN二極管天線臂2且所述同軸饋線5的外導(dǎo)體8連接所述第一SPiN二極管套筒3及所述第二SPiN二極管套筒4；

其中，所述SPiN二極管天線臂2包括串行連接的SPiN二極管w1、w2、w3，所述第一SPiN二極管套筒3包括串行連接的SPiN二極管w4、w5、w6，所述第二SPiN二極管套筒4包括串行連接的SPiN二極管w7、w8、w9，每個所述SPiN二極管串w1、w2、w3、w4、w5、w6、w7、w8、w9通過對應(yīng)的所述直流偏置線9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19連接至直流偏置電源。

該天線是通過金屬直流偏置線控制SPiN二極管導(dǎo)通時形成的等離子天線臂及套筒長度實現(xiàn)天線工作頻率的可重構(gòu)，本發(fā)明的天線具有易集成、可隱身、頻率可快速跳變的特點。

請參見圖2，圖2本發(fā)明實施例提供的一種SiGe基頻率可重構(gòu)套筒偶極子天線的制備方法示意圖。該天線的制備方法可以包括：

選取SiGeOI襯底；

在所述SiGeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)制作多個SPiN二極管串；

制作直流偏置線以連接所述SPiN二極管串與直流偏置電源；

制作所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒；

制作所述同軸饋線以連接所述SPiN二極管天線臂、所述第一SPiN二極管套筒及所述第二SPiN二極管套筒，最終形成所述套筒偶極子天線。

其中，采用SiGeOI襯底的原因在于，對于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性，而固態(tài)等離子pin二極管為了滿足這個需求，需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而SiGeOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成pin隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO₂)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層硅中，所以優(yōu)選采用SiGeOI作為固態(tài)等離子pin二極管的襯底。且SiGe材料的載流子遷移率比較大，故可提高器件性能。

其中，制備直流偏置線，可以包括：

利用CVD工藝采用銅、鋁或者高摻雜的多晶硅制備形成所述直流偏置線。

優(yōu)選地，制作所述同軸饋線，可以包括：

將所述同軸饋線的內(nèi)芯線連接至所述SPiN二極管天線臂且將所述同軸饋線的外導(dǎo)體連接至所述第一SPiN二極管套筒與所述第二SPiN二極管套筒。

需要說明的是，上述步驟并非具有特定的制作順序，在實際制備中可以根據(jù)實際情況進行調(diào)整，此處不做限制。

本實施例中，SPiN二極管天線臂和SPiN二極管套筒均包括N段SPiN二極管串，N的取值范圍為N≥2。且每段SPiN二極管串中的SPiN二極管的個數(shù)可根據(jù)實際需要選取，此處不做任何限制。

優(yōu)選地，N＝3。即所述SPiN二極管天線臂2包括三段SPiN二極管串w1、w2、w3。所述第一SPiN二極管套筒3和所述第二SPiN二極管套筒4分別包括三段SPiN二極管串，其中，所述第一SPiN二極管套筒3包括三段SPiN二極管串w4、w5、w6，所述第二SPiN二極管套筒4包括三段SPiN二極管串w7、w8、w9。且所述SPiN二極管串w1和所述SPiN二極管串w6、所述SPiN二極管串w9的長度相等，所述SPiN二極管串w2和所述SPiN二極管串w5、所述SPiN二極管串w8的長度相等，所述SPiN二極管串w3和所述SPiN二極管串w4、所述SPiN二極管串w7的長度相等。每一個SPiN二極管串亦有直流偏置線外接電壓正極。

本實施例制備的天線，其頻率可重構(gòu)偶極子天線體積小、剖面低，結(jié)構(gòu)簡單、易于加工、無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變，且天線關(guān)閉時將處于電磁波隱身狀態(tài)，可用于各種跳頻電臺或設(shè)備；由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，為平面結(jié)構(gòu)，易于組陣，可用作相控陣天線的基本組成單元。

實施例二

請參見圖3，圖3為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管串的制備方法示意圖。該制備方法可以包括如下步驟：

(a)在所述SiGeOI襯底上按照所述套筒偶極子天線的結(jié)構(gòu)設(shè)置隔離區(qū)；

(b)刻蝕所述SiGeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；

(d)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，并采用離子注入在所述SiGeOI襯底的頂層SiGe內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)；

(e)在所述SiGeOI襯底上形成引線以形成橫向SPiN二極管；

(f)光刻PAD以實現(xiàn)多個所述橫向SPiN二極管的串行連接從而形成多個所述SPiN二極管串。

其中，步驟(a)可以包括：

(a1)在所述SiGeOI襯底表面形成第一保護層；

(a2)利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(a3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述SiGeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述SiGeOI襯底的頂層SiGe的厚度；

(a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

其中，步驟(c)可以包括：

(c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化；具體地，平整化處理可以采用如下步驟：氧化P型溝槽和N型溝槽以使P型溝槽和N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；利用濕法刻蝕工藝刻蝕P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成P型溝槽和N型溝槽內(nèi)壁的平整化。這樣做的好處在于：可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場集中區(qū)域，造成Pi和Ni結(jié)擊穿。

(c3)對所述P型溝槽和所述N型溝槽進行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)。所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。

形成第一有源區(qū)的目的在于：在溝槽的側(cè)壁形成一層均勻的重?fù)诫s區(qū)域，該區(qū)域即為Pi和Ni結(jié)中的重?fù)诫s區(qū)，而第一有源區(qū)的形成具有如下幾個好處，以槽中填入多晶硅作為電極為例說明，第一、避免了多晶硅與Si之間的異質(zhì)結(jié)與Pi和Ni結(jié)重合，導(dǎo)致的性能的不確定性；第二、可以利用多晶硅中雜質(zhì)的擴散速度比Si中快的特性，進一步向P和N區(qū)擴散，進一步提高P和N區(qū)的摻雜濃度；第三、這樣做防止了在多晶硅工藝過程中，多晶硅生長的不均性造成的多晶硅與槽壁之間形成空洞，該空洞會造成多晶硅與側(cè)壁的接觸不好，影響器件性能。

其中，步驟(d)可以包括：

(d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和N型溝槽以形成P+區(qū)(27)和N+區(qū)(26)；

(d2)平整化處理所述SiGeOI襯底后，在所述SiGeOI襯底上形成多晶硅層；

(d3)光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(d4))去除光刻膠；

(d5)利用濕法刻蝕去除P型電極和N型電極以外的所述多晶硅。

其中，步驟(e)可以包括：

(e1)在所述SiGeOI襯底上生成二氧化硅；

(e2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和N型有源區(qū)中的雜質(zhì)；

(e3)在所述P+區(qū)(27)和所述N+區(qū)(26)光刻引線孔以形成引線。

請一并參見圖4及圖5，圖4為本發(fā)明實施例提供的一種橫向SPiN二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例提供的一種SPiN二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖。每個SPiN二極管串中包括多個橫向SPiN二極管，且這些SPiN二極管串行連接。所述SPiN二極管串中的橫向SPiN二極管由P+區(qū)27、N+區(qū)26和本征區(qū)22組成，金屬接觸區(qū)23位于P+區(qū)27處，金屬接觸區(qū)24位于N+區(qū)26處，處于SPiN二極管串的一端的橫向SPiN二極管的金屬接觸區(qū)23連接至直流偏置的正極，處于SPiN二極管串的另一端的橫向SPiN二極管的金屬接觸區(qū)24連接至直流偏置的負(fù)極，通過施加直流電壓可使整個SPiN二極管串中所有橫向SPiN二極管處于正向?qū)顟B(tài)。

實施例三

請參見圖6a-圖6s，圖6a-圖6s為本發(fā)明實施例的一種橫向SPiN二極管的制備方法示意圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上，以制備等離子區(qū)域長度為100μm的SiGeOI基SPiN二極管(固態(tài)等離子PiN二極管)為例對SPiN二極管的制備進行詳細(xì)說明，具體步驟如下：

步驟1，襯底材料制備步驟：

(1a)如圖6a所示，選取(100)晶向，摻雜類型為p型，摻雜濃度為10¹⁴cm^-3的SiGeOI襯底片101，頂層SiGe的厚度為50μm；

(1b)如圖6b所示，采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)的方法，在SiGeOI襯底上淀積一層40nm厚度的第一SiO₂層201；采用化學(xué)氣相淀積的方法，在SiO₂層淀積一層2μm厚度的第一Si₃N₄/SiN層202；

步驟2，隔離制備步驟：

(2a)如圖6c所示，通過光刻工藝在上述保護層上形成隔離區(qū)，濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si₃N₄/SiN層202，形成隔離區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在隔離區(qū)形成寬5μm，深為50μm的深隔離槽301；

(2b)如圖6d所示，采用CVD的方法，淀積SiO₂ 401將該深隔離槽填滿；

(2c)如圖6e所示，采用化學(xué)機械拋光(Chemical Mechanical Polishing，簡稱CMP)方法，去除表面第一Si₃N₄/SiN層202和第一SiO₂層201，使SiGeOI襯底表面平整；

步驟3，P、N區(qū)深槽制備步驟：

(3a)如圖6f所示，采用CVD方法，在襯底上連續(xù)淀積兩層材料，第一層為300nm厚度的第二SiO₂層601，第二層為600nm厚度的第二Si₃N₄/SiN層602；

(3b)如圖6g所示，光刻P、N區(qū)深槽，濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si₃N₄/SiN層602和第二SiO₂層601，形成P、N區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在P、N區(qū)形成寬4μm，深5μm的深槽701，P、N區(qū)槽的長度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定；

(3c)如圖6h所示，在850℃下，高溫處理10分鐘，氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801；

(3d)如圖6i所示，利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801，以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整。

步驟4，P、N接觸區(qū)制備步驟：

(4a)如圖6j所示，光刻P區(qū)深槽，采用帶膠離子注入的方法對P區(qū)槽側(cè)壁進行p⁺注入，使側(cè)壁上形成薄的p⁺有源區(qū)1001，濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，除掉光刻膠；

(4b)光刻N區(qū)深槽，采用帶膠離子注入的方法對N區(qū)槽側(cè)壁進行n⁺注入，使側(cè)壁上形成薄的n⁺有源區(qū)1002，濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，除掉光刻膠；

(4c)如圖6k所示，采用CVD的方法，在P、N區(qū)槽中淀積多晶硅1101，并將溝槽填滿；

(4d)如圖6l所示，采用CMP，去除表面多晶硅1101與第二Si₃N₄/SiN層602，使表面平整；

(4e)如圖6m所示，采用CVD的方法，在表面淀積一層多晶硅1301，厚度為200～500nm；

(4f)如圖6n所示，光刻P區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進行p⁺注入，使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成P接觸1401；

(4g)光刻N區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進行n⁺注入，使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成N接觸1402；

(4h)如圖6o所示，采用濕法刻蝕，刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶硅1301，形成P、N接觸區(qū)；

(4i)如圖6p所示，采用CVD的方法，在表面淀積SiO₂ 1601，厚度為800nm；

(4j)在1000℃，退火1分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進多晶鍺中雜質(zhì)；

步驟5，構(gòu)成PIN二極管步驟：

(5a)如圖6q所示，在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1701；

(5b)如圖6r所示，襯底表面濺射金屬，在750℃合金形成金屬硅化物1801，并刻蝕掉表面的金屬；

(5c)襯底表面濺射金屬，光刻引線；

(5d)如圖6s所示，淀積Si₃N₄/SiN形成鈍化層1901，光刻PAD，形成PIN二極管，作為制備固態(tài)等離子天線材料。

本實施例中，上述各種工藝參數(shù)均為舉例說明，依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請之保護范圍。

本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的SPiN二極管，首先，所使用的SiGe材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，提高了SPiN二極管的固態(tài)等離子體濃度；另外，SPiN二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝，該工藝能夠提供突變結(jié)pi與ni結(jié)，并且能夠有效地提高pi結(jié)、ni結(jié)的結(jié)深，使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強，有利于制備出高性能的等離子天線；再次，本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的SPiN二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對器件性能的影響。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護范圍。