本發(fā)明涉及天線技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備方法。
背景技術(shù):
近幾十年來,無線通信技術(shù)飛速發(fā)展,在社會生活中的重要性與日俱增,成為人們?nèi)粘I钪胁豢苫蛉钡囊徊糠帧L炀€作為無線通信領(lǐng)域的基本組成部件,用來輻射和接收無線電波。在傳輸過程中將高頻電流或?qū)РㄞD(zhuǎn)變?yōu)樽杂煽臻g的電磁波,向周圍空間輻射。在接收過程中,進(jìn)行相反的變換。
為實現(xiàn)通信、導(dǎo)航、制導(dǎo)、警戒、武器的需求,飛機(jī)、艦船、衛(wèi)星等所需的天線數(shù)量越來越多,使得平臺上的負(fù)載重量不斷增加,且搭建天線所需的費(fèi)用不斷上升,同時,各天線之間的電磁干擾也非常大,嚴(yán)重影響系統(tǒng)正常工作。為了減輕平臺負(fù)載的天線重量、降低成本、減小平臺的雷達(dá)散射界面、實現(xiàn)良好的電磁兼容等特性,采用可重構(gòu)天線技術(shù),實現(xiàn)用一個天線實現(xiàn)多個天線的功能。
目前采用的頻率可重構(gòu)偶極子天線雖然能夠?qū)崿F(xiàn)頻率的可重構(gòu)但是天線各部分有互耦影響,頻率跳變慢,饋源結(jié)構(gòu)復(fù)雜,隱身性能不佳,剖面高,集成加工的難度高。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
因此,為解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)缺陷和不足,本發(fā)明提出一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備方法。
具體地,本發(fā)明提出的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝,該Ge基等離子pin二極管用于制造頻率可重構(gòu)天線,該Ge基等離子pin二極管的制備方法包括步驟:
選取GeOI襯底,在所述GeOI襯底內(nèi)形成隔離區(qū);
刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽;
在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū);
在所述GeOI襯底上形成引線,完成所述Ge基等離子pin二極管的制備;
所述頻率可重構(gòu)天線包括:Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1);固定在所述Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)、第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12);所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設(shè)置于所述同軸饋線(4)的兩側(cè)且包括多個Ge基等離子pin二極管串;所述第一直流偏置線(5),所述第二直流偏置線(6),所述第三直流偏置線(7),所述第四直流偏置線(8),所述第五直流偏置線(9),所述第六直流偏置線(10),所述第七直流偏置線(11)及所述第八直流偏置線(12)采用化學(xué)氣相淀積的方法固定于所述Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1)上,其材料為銅、鋁或經(jīng)過摻雜的多晶硅中的任意一種。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,GeOI襯底內(nèi)形成隔離區(qū),包括:
在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層;
利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形;
利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽;
填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,刻蝕GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽,包括:
在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層;
利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形;
利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,在P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū),包括:
對所述P型溝槽和所述N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū),所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域;所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域;
利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽;
平整化處理所述GeOI襯底后,在所述GeOI襯底上形成多晶硅層;
光刻所述多晶硅層,并采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū);
去除光刻膠;
利用濕法刻蝕去除所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)以外的所述多晶硅層。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,在GeOI襯底上形成引線,包括:
在所述GeOI襯底上生成二氧化硅;
利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)中的雜質(zhì);
在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線;
鈍化處理并光刻PAD以形成所述Ge基等離子pin二極管。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,所述第一天線臂(2)包括依次串接的第一Ge基等離子pin二極管串(w1)、第二Ge基等離子pin二極管串(w2)及第三Ge基等離子pin二極管串(w3)。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,所述第二天線臂(3)包括依次串接的第四Ge基等離子pin二極管串(w4)、第五Ge基等離子pin二極管串(w5)及第六Ge基等離子pin二極管串(w6)。
在本發(fā)明提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝中,所述同軸饋線(4)的內(nèi)芯線焊接于所述第一天線臂(2)的金屬片,所述第一天線臂(2)的金屬片與直流偏置線(5)相連;所述同軸饋線(4)的屏蔽層焊接于所述第二天線臂(3)的金屬片,所述第二天線臂(3)的金屬片與第二直流偏置線(6)相連;所述第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)均與直流偏置電壓的負(fù)極相連,以形成公共負(fù)極。
由上可知,本發(fā)明提供的一種用于頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝,該制備工藝P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的GeOI深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝,該工藝能夠提供突變結(jié)pi與ni結(jié),并且能夠有效地提高pi結(jié)、ni結(jié)的結(jié)深,使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強(qiáng)。本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的Ge基等離子pin二極管采用了一種基于刻蝕的GeOI深槽介質(zhì)隔離工藝,有效地提高了器件的擊穿電壓,抑制了漏電流對器件性能的影響。此外,本發(fā)明提供的基于Ge基等離子pin二極管的頻率可重構(gòu)偶極子天線體積小、剖面低,結(jié)構(gòu)簡單、易于加工;采用同軸電纜作為饋源,無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu);pin二極管作為天線的基本組成單元,只需通過控制其導(dǎo)通或斷開,即可實現(xiàn)頻率的可重構(gòu)。
附圖說明
為了更清晰地說明本發(fā)明或現(xiàn)有技術(shù)的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹。顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。下面將結(jié)合附圖,對本發(fā)明的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
圖1為本發(fā)明實施例提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝流程示意圖;
圖2為本發(fā)明實施例提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本發(fā)明實施例提供的一種Ge基等離子pin二極管結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4a-圖4s為本發(fā)明實施例的另一種Ge基等離子pin二極管的制備方法示意圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,下面將結(jié)合本發(fā)明的附圖,對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述。顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
實施例一
請參見圖1,圖2,圖1為本發(fā)明實施例提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝流程示意圖,圖2為本發(fā)明實施例提供的一種頻率可重構(gòu)偶極子天線結(jié)構(gòu)示意圖。該Ge基等離子pin二極管的制備工藝包括如下步驟:
選取GeOI襯底,在所述GeOI襯底內(nèi)形成隔離區(qū);
刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽;
在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū);
在所述GeOI襯底上形成引線,完成所述Ge基等離子pin二極管的制備;
該Ge基等離子pin二極管的制備工藝主要運(yùn)用于頻率可重構(gòu)偶極子天線,該天線包括:Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1);固定在所述Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)、第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12);所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設(shè)置于所述同軸饋線(4)的兩側(cè)且包括多個Ge基等離子pin二極管串;所述第一直流偏置線(5),所述第二直流偏置線(6),所述第三直流偏置線(7),所述第四直流偏置線(8),所述第五直流偏置線(9),所述第六直流偏置線(10),所述第七直流偏置線(11)及所述第八直流偏置線(12)采用化學(xué)氣相淀積的方法固定于所述Ge基GeOI半導(dǎo)體基片(1)上,其材料為銅、鋁或經(jīng)過摻雜的多晶硅中的任意一種。
采用GeOI襯底的原因在于,對于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性,而固態(tài)等離子pin二極管為了滿足這個需求,需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力,而GeOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成pin隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO2)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層Ge中,所以優(yōu)選采用GeOI作為固態(tài)等離子pin二極管的襯底。
采用本實施提供的頻率可重構(gòu)偶極子天線體積小、結(jié)構(gòu)簡單、易于加工、無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變,有效地克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足。
進(jìn)一步地,在本實施例中,在GeOI襯底內(nèi)形成隔離區(qū),具體為:
在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層;
利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形;
利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽;
填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。
進(jìn)一步地,在本實施例中,刻蝕GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽,具體為:
在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層;
利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形;
利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。
進(jìn)一步地,在本實施例中,在P型溝槽和N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū),具體為:
對所述P型溝槽和所述N型溝槽進(jìn)行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū),所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域;所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴(kuò)散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域;
利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽;
平整化處理所述GeOI襯底后,在所述GeOI襯底上形成多晶硅層;
光刻所述多晶硅層,并采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū);
其中,形成第一有源區(qū)的目的在于:在溝槽的側(cè)壁形成一層均勻的重?fù)诫s區(qū)域,該區(qū)域即為pi和ni結(jié)中的重?fù)诫s區(qū),而第一有源區(qū)的形成具有如下幾個好處,以槽中填入多晶硅作為電極為例說明,第一、避免了多晶硅與鍺之間的異質(zhì)結(jié)與pi和ni結(jié)重合,導(dǎo)致的性能的不確定性;第二、可以利用多晶硅中雜質(zhì)的擴(kuò)散速度比鍺中快的特性,進(jìn)一步向P和N區(qū)擴(kuò)散,進(jìn)一步提高P和N區(qū)的摻雜濃度;第三、這樣做防止了在多晶硅工藝過程中,多晶硅生長的不均性造成的多晶硅與槽壁之間形成空洞,該空洞會造成多晶硅與側(cè)壁的接觸不好,影響器件性能;
去除光刻膠;
利用濕法刻蝕去除所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)以外的所述多晶硅層。
進(jìn)一步地,在本實施例中,在GeOI襯底上形成引線,具體為:
在所述GeOI襯底上生成二氧化硅;
利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)中的雜質(zhì);
在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線;
鈍化處理并光刻PAD以形成所述Ge基等離子pin二極管。
進(jìn)一步地,在本發(fā)明的另一個實施例中,該天線的第一天線臂(2)包括依次串接的第一Ge基等離子pin二極管串(w1)、第二Ge基等離子pin二極管串(w2)及第三Ge基等離子pin二極管串(w3)。
進(jìn)一步地,在本發(fā)明的另一個實施例中,該天線的第二天線臂(3)包括依次串接的第四Ge基等離子pin二極管串(w4)、第五Ge基等離子pin二極管串(w5)及第六Ge基等離子pin二極管串(w6)。
進(jìn)一步地,在本發(fā)明的另一個實施例中,同軸饋線(4)的內(nèi)芯線焊接于所述第一天線臂(2)的金屬片,所述第一天線臂(2)的金屬片與直流偏置線(5)相連;所述同軸饋線(4)的屏蔽層焊接于所述第二天線臂(3)的金屬片,所述第二天線臂(3)的金屬片與第二直流偏置線(6)相連;所述第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)均與直流偏置電壓的負(fù)極相連,以形成公共負(fù)極。
實施例二
請參照圖4a-圖4s,圖4a-圖4s為本發(fā)明實施例的另一種Ge基等離子pin二極管的制備方法示意圖。本實施例在上述實施例的基礎(chǔ)上,針對本發(fā)明的Ge基等離子pin二極管的制備工藝進(jìn)行詳細(xì)說明。
步驟1,襯底的制備步驟:
(1a)如圖4a所示,選取(100)晶向,摻雜類型為P型,摻雜濃度為1014cm-3的GeOI襯底片101,頂層Ge的厚度為50μm;
(1b)如圖4b所示,采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)的方法,在GeOI襯底上淀積一層40nm厚度的第一SiO2層201;采用化學(xué)氣相淀積的方法,在SiO2層淀積一層2μm厚度的第一Si3N4/SiN層202;
步驟2,隔離制備步驟:
(2a)如圖4c所示,通過光刻工藝在上述保護(hù)層上形成隔離區(qū),濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si3N4/SiN層202,形成隔離區(qū)圖形;采用干法刻蝕,在隔離區(qū)形成寬5μm,深為50μm的深隔離槽301;
(2b)如圖4d所示,采用CVD的方法,淀積SiO2 401將該深隔離槽填滿;
(2c)如圖4e所示,采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)方法,去除表面第一Si3N4/SiN層202和第一SiO2層201,使GeOI襯底表面平整。
步驟3,P、N區(qū)深槽制備步驟:
(3a)如圖4f所示,采用CVD方法,在襯底上連續(xù)淀積兩層材料,第一層為300nm厚度的第二SiO2層601,第二層為600nm厚度的第二Si3N4/SiN層602;
(3b)如圖4g所示,光刻P、N區(qū)深槽,濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si3N4/SiN層602和第二SiO2層601,形成P、N區(qū)圖形;采用干法刻蝕,在P、N區(qū)形成寬4μm,深5μm的深槽701,P、N區(qū)槽的長度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定;
(3c)如圖4h所示,在850℃下,高溫處理10分鐘,氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801;
(3d)如圖4i所示,利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801,以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整。這樣做的好處在于:可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場集中區(qū)域,造成pi和ni結(jié)擊穿。
步驟4,P、N接觸區(qū)制備步驟:
(4a)如圖4j所示,光刻P區(qū)深槽,采用帶膠離子注入的方法對P區(qū)槽側(cè)壁進(jìn)行P+注入,使側(cè)壁上形成薄的P+有源區(qū)1001,濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,除掉光刻膠;
(4b)光刻N(yùn)區(qū)深槽,采用帶膠離子注入的方法對N區(qū)槽側(cè)壁進(jìn)行n+注入,使側(cè)壁上形成薄的n+有源區(qū)1002,濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,除掉光刻膠;
(4c)如圖4k所示,采用CVD的方法,在P、N區(qū)槽中淀積多晶硅1101,并將溝槽填滿;
(4d)如圖4l所示,采用CMP,去除表面多晶硅1101與第二Si3N4/SiN層602,使表面平整;
(4e)如圖4m所示,采用CVD的方法,在表面淀積一層多晶硅1301,厚度為200~500nm;
(4f)如圖4n所示,光刻P區(qū)有源區(qū),采用帶膠離子注入方法進(jìn)行P+注入,使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×1020cm-3,去除光刻膠,形成P接觸1401;
(4g)光刻N(yùn)區(qū)有源區(qū),采用帶膠離子注入方法進(jìn)行N+注入,使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×1020cm-3,去除光刻膠,形成N接觸1402;
(4h)如圖4o所示,采用濕法刻蝕,刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶硅1301,形成P、N接觸區(qū);
(4i)如圖4p所示,采用CVD的方法,在表面淀積SiO21601,厚度為800nm;
(4j)在1000℃,退火1分鐘,使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)多晶鍺中雜質(zhì)。
步驟5,構(gòu)成pin二極管步驟:
(5a)如圖4q所示,在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1701;
(5b)如圖4r所示,襯底表面濺射金屬,在750℃合金形成金屬硅化物1801,并刻蝕掉表面的金屬;
(5c)襯底表面濺射金屬,光刻引線;
(5d)如圖4s所示,淀積Si3N4/SiN形成鈍化層1901,光刻PAD,形成pin二極管,作為制備固態(tài)等離子天線材料。
本實施例中,上述各種工藝參數(shù)均為舉例說明,依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請之保護(hù)范圍。
本發(fā)明制備的應(yīng)用于頻率可重構(gòu)偶極子天線的Ge基等離子pin二極管,首先,所使用的Ge材料,由于其高遷移率和大載流子壽命的特性,提高了pin二極管的固態(tài)等離子體濃度;另外,Ge基等離子pin二極管的P區(qū)與N區(qū)采用了基于刻蝕的深槽刻蝕的多晶硅鑲嵌工藝,該工藝能夠提供突變結(jié)pi與ni結(jié),并且能夠有效地提高pi結(jié)、ni結(jié)的結(jié)深,使固態(tài)等離子體的濃度和分布的可控性增強(qiáng),有利于制備出高性能的等離子天線;其次,Ge材料由于其氧化物GeO熱穩(wěn)定性差的特性,P區(qū)和N區(qū)深槽側(cè)壁平整化的處理可在高溫環(huán)境自動完成,簡化了材料的制備方法;再次,本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的Ge基pin二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝,有效地提高了器件的擊穿電壓,抑制了漏電流對器件性能的影響。
采用本發(fā)明實施例提供的工藝制造出的一種基于Ge基等離子pin二極管的頻率可重構(gòu)偶極子天線的優(yōu)點(diǎn)在于體積小、剖面低,結(jié)構(gòu)簡單、易于加工,采用同軸電纜作為饋源,無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu),采用pin二極管作為天線的基本組成單元,只需通過控制其導(dǎo)通或斷開,即可實現(xiàn)頻率的可重構(gòu),所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè),易于制版加工。
綜上所述,本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明原理及實施方式進(jìn)行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想;同時,對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明的思想,在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。