1.一種頻率可重構天線的Ge基等離子pin二極管的制備工藝，其特征在于，所述Ge基等離子pin二極管用于制造所述頻率可重構天線，所述Ge基等離子pin二極管的制備方法包括步驟：
選取GeOI襯底，在所述GeOI襯底內形成隔離區(qū)；
刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；
在所述P型溝槽和所述N型溝槽內采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)；
在所述GeOI襯底上形成引線，完成所述Ge基等離子pin二極管的制備；
所述頻率可重構天線包括：Ge基GeOI半導體基片(1)；固定在所述Ge基GeOI半導體基片(1)上的第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)、第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)、第三直流偏置線(7)、第四直流偏置線(8)、第五直流偏置線(9)、第六直流偏置線(10)、第七直流偏置線(11)、第八直流偏置線(12)；所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)分別設置于所述同軸饋線(4)的兩側且包括多個Ge基等離子pin二極管串；所述第一直流偏置線(5)，所述第二直流偏置線(6)，所述第三直流偏置線(7)，所述第四直流偏置線(8)，所述第五直流偏置線(9)，所述第六直流偏置線(10)，所述第七直流偏置線(11)及所述第八直流偏置線(12)采用化學氣相淀積的方法固定于所述Ge基GeOI半導體基片(1)上，其材料為銅、鋁或經過摻雜的多晶硅中的任意一種。
2.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述GeOI襯底內形成隔離區(qū)，包括：
在所述GeOI襯底表面形成第一保護層；
利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；
利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽；
填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。
3.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，包括：
在所述GeOI襯底表面形成第二保護層；
利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區(qū)圖形；
利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。
4.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述P型溝槽和所述N型溝槽內采用離子注入形成P型有源區(qū)和N型有源區(qū)，包括：
對所述P型溝槽和所述N型溝槽進行離子注入以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域；所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側壁和底部深度小于1微米的區(qū)域；
利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽；
平整化處理所述GeOI襯底后，在所述GeOI襯底上形成多晶硅層；
光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質和N型雜質以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；
去除光刻膠；
利用濕法刻蝕去除所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)以外的所述多晶硅層。
5.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，在所述GeOI襯底上形成引線，包括：
在所述GeOI襯底上生成二氧化硅；
利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)中的雜質；
在P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)光刻引線孔以形成引線；
鈍化處理并光刻PAD以形成所述Ge基等離子pin二極管。
6.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述第一天線臂(2)包括依次串接的第一Ge基等離子pin二極管串(w1)、第二Ge基等離子pin二極管串(w2)及第三Ge基等離子pin二極管串(w3)。
7.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述第二天線臂(3)包括依次串接的第四Ge基等離子pin二極管串(w4)、第五Ge基等離子pin二極管串(w5)及第六Ge基等離子pin二極管串(w6)。
8.如權利要求1所述的制備工藝，其特征在于，所述同軸饋線(4)的內芯線焊接于所述第一天線臂(2)的金屬片，所述第一天線臂(2)的金屬片與直流偏置線(5)相連；所述同軸饋線(4)的屏蔽層焊接于所述第二天線臂(3)的金屬片，所述第二天線臂(3)的金屬片與第二直流偏置線(6)相連；所述第一直流偏置線(5)、第二直流偏置線(6)均與直流偏置電壓的負極相連，以形成公共負極。