1.一種用于可重構(gòu)多層全息天線的Ge基等離子pin二極管的制備方法，其特征在于，所述Ge基等離子pin二極管用于制作所述可重構(gòu)多層全息天線(1)，所述可重構(gòu)多層全息天線(1)包括由依次串接的Ge基等離子pin二極管串構(gòu)成的天線模塊(13)、第一全息圓環(huán)(15)及第二全息圓環(huán)(17)；其中，所述等離子pin二極管串包括依次串接的等離子pin二極管，且所述等離子pin二極管制備方法包括步驟如下：
(a)選取GeOI半導(dǎo)體基片(11)；
(b)在所述GeOI半導(dǎo)體基片(11)內(nèi)設(shè)置隔離區(qū)；
(c)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽，所述P型溝槽和所述N型溝槽的深度小于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；
(d)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)采用離子注入形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；
(e)填充所述P型溝槽和所述N型溝槽，并采用離子注入在所述GeOI襯底的頂層Ge內(nèi)形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)；
(f)在所述GeOI襯底上生成二氧化硅，利用退火工藝激活有源區(qū)中的雜質(zhì)；
(g)在P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)光刻引線孔以完成所述Ge基等離子pin二極管的制備。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第一環(huán)形單元(1501)呈環(huán)形均勻排列，且所述第一環(huán)形單元(1501)包括第九直流偏置線(15011)及所述第七SPiN二極管串(W7)，所述第九直流偏置線(15011)電連接至所述第七SPiN二極管串(W7)的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述第二環(huán)形單元(1701)呈環(huán)形均勻排列，且所述第二環(huán)形單元(1701)包括第十直流偏置線(17011)及所述第八SPiN二極管串(W8)，所述第十直流偏置線(17011)電連接至所述第八SPiN二極管串(W8)的兩端。
4.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，在所述GeOI襯底內(nèi)設(shè)置隔離區(qū)，包括：
(a1)在所述GeOI襯底表面形成第一保護層；
(a2)利用光刻工藝在所述第一保護層上形成第一隔離區(qū)圖形；
(a3)利用干法刻蝕工藝在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；
(a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一保護層包括第一二氧化硅層和第一氮化硅層；相應(yīng)地，步驟(a1)包括：
(a11)在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第一二氧化硅層；
(a12)在所述第一二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第一氮化硅層。
6.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(b)包括：
(b1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護層；
(b2)利用光刻工藝在所述第二保護層上形成第二隔離區(qū)圖形；
(b3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護層及所述GeOI襯底以形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。
7.如權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述第二保護層包括第二二氧化硅層和第二氮化硅層；相應(yīng)地，步驟(b1)包括：
(b11)在所述GeOI襯底表面生成二氧化硅以形成第二二氧化硅層；
(b12)在所述第二二氧化硅層表面生成氮化硅以形成第二氮化硅層。
8.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(c)包括：
(c1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；
(c2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化；
(c3)對所述P型溝槽和所述N型溝槽進行離子注入以形成所述第一P型有源區(qū)和所述第一N型有源區(qū)，所述第一N型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述N型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域，所述第一P型有源區(qū)為沿離子擴散方向距所述P型溝槽側(cè)壁和底部深度小于1微米的區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，步驟(c3)包括：
(c31)光刻所述P型溝槽和所述N型溝槽；
(c32)采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第一P型有源區(qū)和第一N型有源區(qū)；
(c33)去除光刻膠。
10.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(d)包括：
(d1)利用多晶硅填充所述P型溝槽和所述N型溝槽；
(d2)平整化處理所述GeOI襯底后，在所述GeOI襯底上形成多晶硅層；
(d3)光刻所述多晶硅層，并采用帶膠離子注入的方法對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成第二P型有源區(qū)和第二N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；
(d4)去除光刻膠；
(d5)利用濕法刻蝕去除所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)以外的所述多晶硅層。