本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的頻率可重構(gòu)全息天線制備方法。

背景技術(shù)：

可重構(gòu)天線的概念提出于20世紀(jì)60年代?？芍貥?gòu)是指多天線陣列中各陣元之間的關(guān)系是可以根據(jù)實(shí)際情況靈活可變的，而非固定的。它主要是通過調(diào)整狀態(tài)可變器件，實(shí)現(xiàn)天線性能的可重構(gòu)?？芍貥?gòu)天線按功能可分為頻率可重構(gòu)天線(包括實(shí)現(xiàn)寬頻帶和實(shí)現(xiàn)多頻帶)、方向圖可重構(gòu)天線、極化可重構(gòu)天線和多電磁參數(shù)可重構(gòu)天線。通過改變可重構(gòu)天線的結(jié)構(gòu)可以使天線的頻率、波瓣圖、極化方式等多種參數(shù)中的一種或幾種實(shí)現(xiàn)重構(gòu)，因其具有體積小、功能多、易于實(shí)現(xiàn)分集應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為研究熱點(diǎn)。

目前，國內(nèi)外應(yīng)用于等離子可重構(gòu)天線的pin二極管采用的材料均為體硅材料，此材料存在本征區(qū)載流子遷移率較低問題，影響pin二極管本征區(qū)載流子濃度，進(jìn)而影響其固態(tài)等離子體濃度；并且該結(jié)構(gòu)的P區(qū)與N區(qū)大多采用注入工藝形成，此方法要求注入劑量和能量較大，對設(shè)備要求高，且與現(xiàn)有工藝不兼容；而采用擴(kuò)散工藝，雖結(jié)深較深，但同時P區(qū)與N區(qū)的面積較大，集成度低，摻雜濃度不均勻，影響pin二極管的電學(xué)性能，導(dǎo)致固態(tài)等離子體濃度和分布的可控性差。

因此，選擇何種材料及工藝來制作一種等離子pin二極管以應(yīng)用于固態(tài)等離子天線就變得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本發(fā)明提供了一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的頻率可重構(gòu)全息天線制備方法。本發(fā)明要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的頻率可重構(gòu)全息天線制備方法，所述全息天線包括GeOI襯底(1)、第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)、直流偏置線及全息圓環(huán)(14)；其中，所述制備方法包括：

在所述GeOI襯底上制作AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管；所述pin二極管的P區(qū)采用AlAs材料、i區(qū)采用Ge材料及N區(qū)采用AlAs材料以形成異質(zhì)Ge基等離子pin二極管；

由多個所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管依次首尾相連形成等離子pin二極管串；

由多個所述等離子pin二極管串制作所述第一天線臂和第二天線臂；

在所述GeOI襯底上制作所述直流偏置線；在所述第一天線臂和第二天線臂上制作同軸饋線以形成所述可重構(gòu)全息天線。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，在所述GeOI襯底上制作AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管，包括：

(a)選取GeOI襯底，并在所述GeOI襯底內(nèi)設(shè)置隔離區(qū)；

(b)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)及整個襯底表面淀積AlAs材料；平整化處理GeOI襯底后，在GeOI襯底上形成AlAs層；

(d)光刻AlAs層，對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(e)去除光刻膠；利用濕法刻蝕去除P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)以外的AlAs材料；以及

(f)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線，以完成所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的制備。

其中，步驟(a)包括：

(a1)在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(a2)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(a3)利用干法刻蝕工藝，在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；

(a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

進(jìn)一步的，所述第一保護(hù)層包括第一SiO2層和第一SiN層；相應(yīng)地，步驟(a1)包括：

(a11)在所述GeOI襯底表面生成SiO2材料以形成第一SiO2層；

(a12)在所述第一SiO2層表面生成SiN材料以形成第一SiN層。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，步驟(b)包括：

(b1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(b2)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(b3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

其中，所述第二保護(hù)層包括第二SiO2層和第二SiN層；相應(yīng)地，步驟(b1)包括：

(b11)在所述GeOI襯底表面生成SiO2材料以形成第二SiO2層；

(b12)在所述第二SiO2層表面生成SiN材料以形成第二SiN層。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，步驟(f)包括：

(f1)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕掉所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)表面指定位置的SiO2材料以形成所述引線孔；

(f2)向所述引線孔內(nèi)淀積金屬材料，對整個襯底材料進(jìn)行鈍化處理并光刻PAD以形成所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所述全息圓環(huán)(14)為由八段等長的所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串排列形成正八邊形結(jié)構(gòu)，所述正八邊形的外接圓的半徑為所述天線接收或發(fā)送的電磁波波長的四分之三；其中，所述正八邊形的邊長與所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)長度之和相同。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)沿所述同軸饋線(4)軸對稱分布且包括相同數(shù)量的所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，還包括制作于所述GeOI襯底(1)的直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)；所述直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)間隔性的電連接至所述SPiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6)兩端。

本發(fā)明提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的頻率可重構(gòu)全息天線的優(yōu)點(diǎn)在于：

1、體積小、剖面低，結(jié)構(gòu)簡單、易于加工；

2、采用同軸電纜作為饋源，無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)；

3、采用SPiN二極管作為天線的基本組成單元，只需通過控制其導(dǎo)通或斷開，即可實(shí)現(xiàn)頻率的可重構(gòu)；

4、所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，易于制版加工。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的基頻率可重構(gòu)全息天線的制備流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的基頻率可重構(gòu)全息天線的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的制備流程圖；

圖4a-圖4r為本發(fā)明實(shí)施例的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的制備方法示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)的描述，但本發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。

實(shí)施例一

請參見圖2，圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的頻率可重構(gòu)全息天線制備方法，所述全息天線包括GeOI襯底(1)、第一天線臂(2)、第二天線臂(3)、同軸饋線(4)、直流偏置線及全息圓環(huán)(14)；

請參見圖1，圖1為所述制備方法流程圖，包括：

在所述GeOI襯底上制作AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管；所述pin二極管的P區(qū)采用AlAs材料、i區(qū)采用Ge材料及N區(qū)采用AlAs材料以形成異質(zhì)Ge基等離子pin二極管；

由多個所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管依次首尾相連形成等離子pin二極管串；

由多個所述等離子pin二極管串制作所述第一天線臂和第二天線臂；

在所述GeOI襯底上制作所述直流偏置線；在所述第一天線臂和第二天線臂上制作同軸饋線以形成所述可重構(gòu)全息天線。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，在所述GeOI襯底上制作AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管，請參見圖3，圖3為AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管制作流程圖，包括：

(a)選取GeOI襯底，并在所述GeOI襯底內(nèi)設(shè)置隔離區(qū)；

(b)刻蝕所述GeOI襯底形成P型溝槽和N型溝槽；

(c)在所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)及整個襯底表面淀積AlAs材料；平整化處理GeOI襯底后，在GeOI襯底上形成AlAs層；

(d)光刻AlAs層，對所述P型溝槽和所述N型溝槽所在位置分別注入P型雜質(zhì)和N型雜質(zhì)以形成所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)且同時形成P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)；

(e)去除光刻膠；利用濕法刻蝕去除P型接觸區(qū)和N型接觸區(qū)以外的AlAs材料；以及

(f)在所述P型有源區(qū)和所述N型有源區(qū)表面形成引線，以完成所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的制備。

其中，對于步驟(a)，采用GeOI襯底的原因在于，對于固態(tài)等離子天線由于其需要良好的微波特性，而固態(tài)等離子pin二極管為了滿足這個需求，需要具備良好的隔離特性和載流子即固態(tài)等離子體的限定能力，而GeOI襯底由于其具有能夠與隔離槽方便的形成pin隔離區(qū)域、二氧化硅(SiO₂)也能夠?qū)⑤d流子即固態(tài)等離子體限定在頂層Ge中，所以優(yōu)選采用GeOI作為固態(tài)等離子pin二極管的襯底。并且，由于鍺材料的載流子遷移率比較大，故可在I區(qū)內(nèi)形成較高的等離子體濃度，提高器件的性能。

進(jìn)一步的，步驟(a)包括：

(a1)在所述GeOI襯底表面形成第一保護(hù)層；

(a2)利用光刻工藝在所述第一保護(hù)層上形成第一隔離區(qū)圖形；

(a3)利用干法刻蝕工藝，在所述第一隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第一保護(hù)層及所述GeOI襯底以形成隔離槽，且所述隔離槽的深度大于等于所述GeOI襯底的頂層Ge的厚度；

(a4)填充所述隔離槽以形成所述隔離區(qū)。

具體地，第一保護(hù)層包括第一二氧化硅(SiO₂)層和第一氮化硅(SiN)層；則第一保護(hù)層的形成包括：在GeOI襯底表面生成二氧化硅(SiO₂)以形成第一二氧化硅(SiO₂)層；在第一二氧化硅(SiO₂)層表面生成氮化硅(SiN)以形成第一氮化硅(SiN)層。這樣做的好處在于，利用二氧化硅(SiO₂)的疏松特性，將氮化硅(SiN)的應(yīng)力隔離，使其不能傳導(dǎo)進(jìn)頂層Ge，保證了頂層Ge性能的穩(wěn)定；基于氮化硅(SiN)與Ge在干法刻蝕時的高選擇比，利用氮化硅(SiN)作為干法刻蝕的掩蔽膜，易于工藝實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，可以理解的是，保護(hù)層的層數(shù)以及保護(hù)層的材料此處不做限制，只要能夠形成保護(hù)層即可。

其中，隔離槽的深度大于等于頂層Ge的厚度，保證了后續(xù)槽中二氧化硅(SiO₂)與GeOI襯底的氧化層的連接，形成完整的絕緣隔離。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，步驟(b)包括：

(b1)在所述GeOI襯底表面形成第二保護(hù)層；

(b2)利用光刻工藝在所述第二保護(hù)層上形成第二隔離區(qū)圖形；

(b3)利用干法刻蝕工藝在所述第二隔離區(qū)圖形的指定位置處刻蝕所述第二保護(hù)層及所述GeOI襯底的頂層Ge層以在所述頂層Ge層內(nèi)形成所述P型溝槽和所述N型溝槽。

具體地，第二保護(hù)層包括第二二氧化硅(SiO₂)層和第二氮化硅(SiN)層；則第二保護(hù)層的形成包括：在GeOI襯底表面生成二氧化硅(SiO₂)以形成第二二氧化硅(SiO₂)層；在第二二氧化硅(SiO₂)層表面生成氮化硅(SiN)以形成第二氮化硅(SiN)層。這樣做的好處類似于第一保護(hù)層的作用，此處不再贅述。

其中，P型溝槽和N型溝槽的深度大于第二保護(hù)層厚度且小于第二保護(hù)層與GeOI襯底頂層Ge厚度之和。優(yōu)選地，該P(yáng)型溝槽和N型溝槽的底部距GeOI襯底的頂層Ge底部的距離為0.5微米～30微米，形成一般認(rèn)為的深槽，這樣在形成P型和N型有源區(qū)時可以形成雜質(zhì)分布均勻、且高摻雜濃度的P、N區(qū)和和陡峭的Pi與Ni結(jié)，以利于提高i區(qū)等離子體濃度。

再者，步驟(f)之前，還包括：

(x1)氧化所述P型溝槽和所述N型溝槽以使所述P型溝槽和所述N型溝槽的內(nèi)壁形成氧化層；

(x2)利用濕法刻蝕工藝刻蝕所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的氧化層以完成所述P型溝槽和所述N型溝槽內(nèi)壁的平整化。這樣做的好處在于：可以防止溝槽側(cè)壁的突起形成電場集中區(qū)域，造成Pi和Ni結(jié)擊穿。

再者，在步驟(f)之前，還可以包括：

(y1)在整個襯底表面生成SiO₂材料；

(y2)利用退火工藝激活所述P型有源區(qū)及所述N型有源區(qū)中的雜質(zhì)。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，步驟(f)包括：

(f1)利用各向異性刻蝕工藝刻蝕掉所述P型接觸區(qū)和所述N型接觸區(qū)表面指定位置的SiO2材料以形成所述引線孔；

(f2)向所述引線孔內(nèi)淀積金屬材料，對整個襯底材料進(jìn)行鈍化處理并光刻PAD以形成所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所述全息圓環(huán)(14)為由八段等長的所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串排列形成正八邊形結(jié)構(gòu)，所述正八邊形的外接圓的半徑為所述天線接收或發(fā)送的電磁波波長的四分之三；其中，所述正八邊形的邊長與所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)長度之和相同。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，所述第一天線臂(2)和所述第二天線臂(3)沿所述同軸饋線(4)軸對稱分布且包括相同數(shù)量的所述AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串。

在本發(fā)明的一個實(shí)施例中，還包括制作于所述GeOI襯底(1)的直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)；所述直流偏置線(5、6、7、8、9、10、11、12)間隔性的電連接至所述SPiN二極管串(w1、w2、w3、w4、w5、w6)兩端。

采用本實(shí)施方式的頻率可重構(gòu)等離子全息天線體積小、結(jié)構(gòu)簡單、易于加工、無復(fù)雜饋源結(jié)構(gòu)、頻率可快速跳變，且天線關(guān)閉時將處于電磁波隱身狀態(tài)，可用于各種跳頻電臺或設(shè)備；由于其所有組成部分均在半導(dǎo)體基片一側(cè)，為平面結(jié)構(gòu)，易于組陣，可用作相控陣天線的基本組成單元。

實(shí)施例二

請參見圖4a-圖4r，圖4a-圖4r為本發(fā)明實(shí)施例的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的制備方法示意圖，在上述實(shí)施例一的基礎(chǔ)上，以制備溝道長度為22nm(固態(tài)等離子區(qū)域長度為100微米)的AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管為例進(jìn)行詳細(xì)說明，具體步驟如下：

步驟1，襯底材料制備步驟：

(1a)如圖4a所示，選取(100)晶向，摻雜類型為p型，摻雜濃度為10¹⁴cm^-3的GeOI襯底片101，頂層Ge的厚度為50μm；

(1b)如圖4b所示，采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposition,簡稱CVD)的方法，在GeOI襯底上淀積一層40nm厚度的第一SiO₂層201；

(1c)采用化學(xué)氣相淀積的方法，在襯底上淀積一層2μm厚度的第一Si₃N₄/SiN層202；

步驟2，隔離制備步驟：

(2a)如圖4c所示，通過光刻工藝在上述保護(hù)層上形成隔離區(qū)，濕法刻蝕隔離區(qū)第一Si₃N₄/SiN層202，形成隔離區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在隔離區(qū)形成寬5μm，深為50μm的深隔離槽301；

(2b)如圖4d所示，采用CVD的方法，淀積SiO₂401將該深隔離槽填滿；

(2c)如圖4e所示，采用化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical Mechanical Polishing,簡稱CMP)方法，去除表面第一Si₃N₄/SiN層202和第一SiO₂層201，使GeOI襯底表面平整；

步驟3，P、N區(qū)深槽制備步驟：

(3a)如圖4f所示，采用CVD方法，在襯底上連續(xù)淀積延二層材料，第一層為300nm厚度的第二SiO₂層601，第二層為500nm厚度的第二Si₃N₄/SiN層602；

(3b)如圖4g所示，光刻P、N區(qū)深槽，濕法刻蝕P、N區(qū)第二Si₃N₄/SiN層602和第二SiO₂層601，形成P、N區(qū)圖形；采用干法刻蝕，在P、N區(qū)形成寬4μm，深5μm的深槽701，P、N區(qū)槽的長度根據(jù)在所制備的天線中的應(yīng)用情況而確定；

(3c)如圖4h所示，在850℃下，高溫處理10分鐘，氧化槽內(nèi)壁形成氧化層801，以使P、N區(qū)槽內(nèi)壁平整；

(3d)如圖4i所示，利用濕法刻蝕工藝去除P、N區(qū)槽內(nèi)壁的氧化層801。

步驟4，P、N接觸區(qū)制備步驟：

(4a)如圖4j所示，利用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積(Metal-organic ChemicalVapor Deposition,簡稱MOCVD)工藝，在P、N區(qū)槽中淀積多晶AlAs1001，并將溝槽填滿；

(4b)如圖4k所示，采用CMP，去除表面多晶AlAs1001與第二Si₃N₄/SiN層602，使表面平整；

(4c)如圖4l所示，采用CVD的方法，在表面淀積一層多晶AlAs1201，厚度為200～500nm；

(4d)如圖4m所示，光刻P區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行P⁺注入，使P區(qū)有源區(qū)摻雜濃度達(dá)到0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成P接觸1301；

(4e)光刻N(yùn)區(qū)有源區(qū)，采用帶膠離子注入方法進(jìn)行N⁺注入，使N區(qū)有源區(qū)摻雜濃度為0.5×10²⁰cm^-3，去除光刻膠，形成N接觸1302；

(4f)如圖4n所示，采用濕法刻蝕，刻蝕掉P、N接觸區(qū)以外的多晶AlAs1201，形成P、N接觸區(qū)；

(4g)如圖4o所示，采用CVD的方法，在表面淀積SiO₂1501，厚度為800nm；

(4h)在1000℃，退火1分鐘，使離子注入的雜質(zhì)激活、并且推進(jìn)AlAs中雜質(zhì)；

步驟5，構(gòu)成PIN二極管步驟：

(5a)如圖4p所示，在P、N接觸區(qū)光刻引線孔1601；

(5b)如圖4q所示，襯底表面濺射金屬，在750℃合金形成金屬硅化物1701，并刻蝕掉表面的金屬；

(5c)襯底表面濺射金屬，光刻引線；

(5d)如圖4r所示，淀積Si₃N₄/SiN形成鈍化層1801，光刻PAD，形成PIN二極管，作為制備固態(tài)等離子天線材料。

本實(shí)施例中，上述各種工藝參數(shù)均為舉例說明，依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常規(guī)手段所做的變換均為本申請之保護(hù)范圍。

本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的pin二極管，首先，所使用的鍺材料，由于其高遷移率和大載流子壽命的特性，提高了pin二極管的固態(tài)等離子體濃度；其次，鍺材料由于其氧化物GeO熱穩(wěn)定性差的特性，P區(qū)和N區(qū)深槽側(cè)壁平整化的處理可在高溫環(huán)境自動完成，簡化了材料的制備方法；再次，本發(fā)明制備的應(yīng)用于固態(tài)等離子可重構(gòu)天線的GeOI基pin二極管采用了一種基于刻蝕的深槽介質(zhì)隔離工藝，有效地提高了器件的擊穿電壓，抑制了漏電流對器件性能的影響。

實(shí)施例三

請一并參見圖5及圖6，圖5為本發(fā)明提供的AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管串的結(jié)構(gòu)示意圖。該AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管采用上述如圖1所示的制備方法制成，具體地，該AlAs/Ge/AlAs結(jié)構(gòu)的固態(tài)等離子pin二極管在GeOI襯底301上制備形成，且pin二極管的P區(qū)304、N區(qū)305以及橫向位于該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305之間的I區(qū)均位于該GeOI襯底的頂層Ge層302內(nèi)。其中，該pin二極管可以采用STI深槽隔離，即該P(yáng)區(qū)304和該N區(qū)305外側(cè)各設(shè)置有一隔離槽303，且該隔離槽303的深度大于等于該頂層Ge層302的厚度。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本發(fā)明所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本發(fā)明的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。