本發(fā)明涉及一種移動終端殼體，尤其涉及一種表面具有天線線路的移動終端殼體。

背景技術：

隨著手機或可穿戴設備等電子產(chǎn)品向輕薄化、小型化的趨勢發(fā)展，在電子產(chǎn)品內(nèi)部預留的天線設計空間越來越小，天線的結(jié)構設計存在困難且天線性能難以滿足要求。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有移動終端的天線設計空間不足，天線性能難以滿足要求的技術問題，本發(fā)明提供了一種殼體。

所述殼體為移動終端的外殼，由絕緣材料制成，包括內(nèi)表面和外表面；

所述殼體上形成有天線線路，所述天線線路包括高頻分支和低頻分支；所述高頻分支包括高頻分支第一部分和高頻分支第二部分，所述高頻分支第一部分位于所述殼體的內(nèi)表面，所述高頻分支第二部分位于所述殼體的外表面，所述高頻分支第一部分和高頻分支第二部分在殼體上過孔連接；所述低頻分支包括低頻分支第一部分和低頻分支第二部分，所述低頻分支第一部分位于所述殼體的內(nèi)表面，所述低頻分支第二部分位于所述殼體的外表面，所述低頻分支第一部分和低頻分支第二部分在殼體上過孔連接；

所述高頻分支第一部分遠離與高頻分支第二部分過孔連接的一端設有第一饋點；

所述低頻分支第一部分遠離與高頻分支第二部分過孔連接的一端設有第二饋點；

所述第一饋點和第二饋點相互連接。

本發(fā)明的殼體，其表面設置有天線線路，天線線路分為高頻分支和低頻分支，高頻分支和低頻分支同時分布在殼體的內(nèi)表面和外表面，使整個天線結(jié)構不占用手機內(nèi)部空間，同時最大化的利用了殼體內(nèi)外表面上的有限區(qū)域，保證了天線的通訊性能，解決了目前移動終端天線設計空間小的問題。本發(fā)明的天線線路采用PIFA（Planar Inverted F-shaped Antenna，即平面倒F天線）天線模型，高頻分支可以覆蓋1710-2170MHz通訊頻段，低頻分支可以覆蓋824-960MHz通訊頻段，獲得了良好的天線性能。

優(yōu)選情況下，所述天線線路為形成在殼體表面的金屬鍍層。天線線路通過化學鍍的方式形成在殼體表面，與殼體結(jié)合力強，節(jié)省空間，且殼體的外表面容易進行裝飾。

優(yōu)選情況下，所述殼體上設有貫穿內(nèi)表面和外表面的第一微孔組和第二微孔組，所述高頻分支第一部分通過第一微孔組與高頻分支第二部分連接，所述低頻分支第一部分通過第二微孔組與低頻分支第二部分連接。

優(yōu)選情況下，所述第一微孔組和第二微孔組分別包括4-6條微孔，每條微孔的直徑為0.08-0.1mm。

優(yōu)選情況下，所述每條微孔內(nèi)填充有導電金屬柱，所述高頻分支第一部分和高頻分支第二部、以及低頻分支第一部分和低頻分支第二部分分別通過導電金屬柱連接。

本發(fā)明采用多條微孔組成的微孔組連接殼體內(nèi)表面和外表面上的天線線路，使化學鍍后形成的導電金屬柱容易填滿微孔，實現(xiàn)良好的導電連接；微孔內(nèi)填充導電金屬柱后容易進行表面裝飾，不需要其他的填充構件。另外，多條微孔組成微孔組，相當于增加了導電金屬柱的線徑，降低了導電金屬柱的電阻，降低能量損耗，提高天線性能。

優(yōu)選情況下，所述高頻分支第一部分包括第一輻射枝、第二輻射枝和第三輻射枝；所述第一輻射枝和第三輻射枝基本平行設置，所述第二輻射枝連接所述第一輻射枝和第三輻射枝。第一輻射枝、第二輻射枝和第三輻射枝擴大了高頻分支第一部分的長度，最大化的利用殼體內(nèi)表面的空間，使高頻分支可以滿足特定頻率的通訊要求。

優(yōu)選情況下，所述第一輻射枝遠離第二輻射枝的一端設有第一饋點，所述第三輻射枝遠離第二輻射枝的一端設有第一微孔組。

優(yōu)選情況下，所述低頻分支第一部分包括第四輻射枝，所述第四輻射枝與第一輻射枝基本平行設置，所述第四輻射枝和第三輻射枝均位于第一輻射枝的同一側(cè)且彼此間隔設置，所述第四輻射枝靠近第一饋點的一端為第二饋點，另一端設有第二微孔組。本發(fā)明的低頻分支與高頻分支在殼體內(nèi)表面設置合理，最大化利用了殼體內(nèi)表面空間，縮短了第一饋點與第二饋點之間的走線間距。

優(yōu)選情況下，所述高頻分支第二部分包括第五輻射枝，所述低頻分支第二部分包括第六輻射枝，所述第五輻射枝和第六輻射枝在絕緣殼體的外表面間隔設置。

本發(fā)明還提供了一種天線裝置，所述天線裝置包括上述的殼體。

優(yōu)選情況下，天線裝置還包括控制板，所述天線線路的第一饋點和第二饋點分別與控制板相連。

優(yōu)選情況下，所述控制板包括：電路板，所述電路板具有接地平面，所述第一饋點或第二饋點中的一個與接地平面連接；射頻芯片，所述射頻芯片設在所述電路板上，所述一饋點或第二饋點中的一個與射頻芯片連接。第一饋點和第二饋點中的一個用于接地、另一個用于饋電，使本發(fā)明的天線線路構成PIFA天線，具有良好的通訊性能。

附圖說明

圖1 為本發(fā)明殼體內(nèi)表面示意圖；

圖2 為本發(fā)明殼體外表面示意圖；

圖3為本發(fā)明天線線路結(jié)構示意圖；

圖4為本發(fā)明殼體示意圖。

具體實施方式

為了使本發(fā)明所解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明作進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

如圖1-圖4所示，本發(fā)明提供了一種殼體10，具體為一種移動終端的外殼，所述殼體10為絕緣材料制成，如塑料。所述殼體具有內(nèi)表面11和外表面12，所述外表面12指朝向使用者的一面，所述內(nèi)表面11為與外表面相對的一面。所述殼體上形成有天線線路20，所述天線線路20包括高頻分支21和低頻分支22，所述高頻分支的一部分位于所述殼體的內(nèi)表面11上，為高頻分支第一部分；所述高頻分支的另一部分位于所述殼體的外表面12上，為高頻分支第二部分；高頻分支第一部分和高頻分支第二部分在殼體上過孔連接。所述低頻分支的一部分位于所述殼體的內(nèi)表面11上，為低頻分支第一部分；所述低頻分支的另一部分位于所述殼體的外表面上，為低頻分支第二部分；所述低頻分支第一部分和低頻分支第二部分在殼體上過孔連接。

本發(fā)明的天線線路為形成在殼體內(nèi)表面和外表面的金屬鍍層，即高頻分支和低頻分支通過化學鍍工藝形成在殼體內(nèi)表面和外表面上。

所述天線線路20還包括第一饋點210和第二饋點220，所述第一饋點210位于高頻分支第一部分的一端；所述第二饋點位于低頻分支第一部分的一端。也就是說，本發(fā)明的第一饋點210和第二饋點220均位于殼體10的內(nèi)表面11上，這樣方便與移動終端內(nèi)部的電器元件連接，不需要在殼體上開設額外孔洞。所述第一饋點210和第二饋點220相互連接，本發(fā)明的的天線線路20構成PIFA天線，可以滿足移動終端正常的通訊功能。本領域技術人員容易理解，高頻分支第一部分上的第一饋點210和與高頻分支第二部分過孔連接的一端分別位于高頻分支第一部分的兩端，也就是說第一饋點210遠離高頻分支第一部分與高頻分支第二部分過孔連接的一端；同理，低頻分支第一部分上的第二饋點220和與低頻分支第二部分過孔連接的一端分別位于低頻分支第一部分的兩端，也就是說第二饋點220遠離低頻分支第一部分與低頻分支第二部分過孔連接的一端。

所述殼體10上設有貫穿內(nèi)表面和外表面的第一微孔組215和第二微孔組223，所述第一微孔組和第二微孔組均由多條微孔組成。所述高頻分支第一部分通過第一微孔組215與高頻分支第二部分連接，所述低頻分支第一部分通過第二微孔組223與低頻分支第二部分連接。具體地，所述第一微孔組和第二微孔組分別包括4-6條微孔，每條微孔的直徑為0.08-0.1mm。如本發(fā)明的一個實施例，第一微孔組和第二微孔組均由4條直徑為0.1mm的微孔組成。所述每條微孔內(nèi)填充有導電金屬柱，所述高頻分支第一部分和高頻分支第二部、以及低頻分支第一部分和低頻分支第二部分分別通過導電金屬柱連接。

本發(fā)明采用微孔組連接分別位于殼體內(nèi)表面和外表面上的高頻分支以及低頻分支，適于通過化學鍍的方式在微孔內(nèi)直接形成導電金屬柱，這樣不需要額外的填充構件，增加成型的復雜程度。由于每個微孔均為通孔，直徑很小，便于在外表面上進行裝飾，如噴涂油漆后外表面的裝飾效果較好，不會出現(xiàn)影響殼體外觀的痕跡。由于導電金屬柱的線徑越小，其電阻越大，對天線收發(fā)信號的能量損耗也越大，本發(fā)明通過采用4-6條直徑在0.08-0.1mm范圍內(nèi)微孔組成一個微孔組，增加了線徑，降低了導電金屬柱的電路，從而降低了能量損耗，以滿足天線性能。

如圖1和圖3所示本發(fā)明的一種實施方式，所述高頻分支第一部分位于殼體10的內(nèi)表面11上，包括第一輻射枝211、第二輻射枝212和第三輻射枝213；所述第一輻射枝211和第三輻射枝213基本平行設置，所述第二輻射枝212連接所述第一輻射枝211和第三輻射枝213。本發(fā)明采用回折的形式布置天線線路，最大化利用了殼體10內(nèi)表面11的空間，避免了過多線路延伸到殼體外表面12上，影響殼體的外觀效果。所述第一輻射枝211遠離第二輻射枝212的一端設有第一饋點210，所述第三輻射枝213遠離第二輻射枝212的一端設有第一微孔組215。所述第三輻射枝213的長度小于第一輻射枝211的長度，第一饋點210和第一微孔組215相互間隔設置。

所述低頻分支第一部分位于殼體10的內(nèi)表面11上，包括第四輻射枝221，所述第四輻射枝211與高頻分支的第一輻射枝211基本平行設置，所述第四輻射枝221和第三輻射枝213均位于第一輻射枝211的同一側(cè)且彼此間隔設置，所述第四輻射枝221靠近第一饋點210的一端設有第二饋點220，另一端設有第二微孔組223。本發(fā)明的低頻分支與高頻分支在殼體內(nèi)表面設置合理，最大化利用了殼體內(nèi)表面的空間，第一饋點210與第二饋點220相對設置，縮短了第一饋點210和第二饋點220之間的走線間距。

如圖2和圖3所示，所述高頻分支第二部分包括第五輻射枝214，所述低頻分支第二部分包括第六輻射枝222，所述第五輻射枝214和第六輻射枝222在殼體10的外表面12上間隔設置。所述第五輻射枝214和位于內(nèi)表面的第三輻射枝213通過第一微孔組215連接，所述第六輻射枝222和位于內(nèi)表面的第四輻射枝221通過第二微孔組223連接。

本領域技術人員公知天線的通信頻率越低，天線長度越長，本發(fā)明天線線路低頻分支22需要比高頻分支21長。高頻分支21和低頻分支22的走線長度和布置形式具體以實際天線性能的阻抗和駐波來調(diào)整。即高頻分支和低頻分支在殼體內(nèi)外表面的相對位置及形狀也可以根據(jù)實際產(chǎn)品的結(jié)構進行適當調(diào)整，本發(fā)明沒有特殊要求。

本發(fā)明的殼體，其表面設置有天線線路，天線線路分為高頻分支和低頻分支，高頻分支和低頻分支同時分布在殼體的內(nèi)表面和外表面，使整個天線結(jié)構不占用手機內(nèi)部空間，最大化的利用了殼體內(nèi)外表面上的有限區(qū)域，保證了天線的通訊性能，解決了目前的移動終端設計空間小而造成的天線設計困難的問題。本發(fā)明的天線線路采用PIFA天線模型，高頻分支可以覆蓋1710-2170MHz通訊頻段，低頻分支可以覆蓋824-960MHz通訊頻段，獲得了良好的天線性能。

下面描述本發(fā)明殼體和其表面天線線路的制作方法，首先可以通過模具壓鑄成型本發(fā)明的殼體10，所述殼體10采用可激光活化的塑膠材料制成，即在普通塑膠材料中參雜化學鍍促進劑。然后利用激光選擇性照射殼體表面需要形成天線線路的區(qū)域，同時利用激光在第一和第二微孔組的位置上加工若干條微孔，每條微孔直徑在預定范圍內(nèi)。在激光的照射下殼體表面及微孔表面的塑膠材料氣化，進而裸露出化學鍍促進劑。再把整個殼體放在化學鍍液中，即可在裸露出化學鍍促進劑的位置形成金屬鍍層，金屬鍍層連接成天線線路，而沒有經(jīng)過激光照射的位置不會形成金屬鍍層。上述塑料表面金屬化的技術為本領域技術人員公知，本領域技術人員可以選擇常用的塑膠材料和化學鍍促進劑，本發(fā)明不做具體限定。

本發(fā)明還提供了一種包括上述殼體的天線裝置，所述天線裝置還包括控制板（圖中未示出），所述控制板與第一饋點210和第二饋點220連接。具體地，所述控制板包括電路板和射頻芯片，所述電路板具有接地平面，所述第一饋點和第二饋點中的一個與接地平面連接；所述射頻芯片設在電路板上，所述第一饋點210和第二饋點220中的另一個與射頻芯片連接。即第一饋點210和第二饋點220中的一個接地，另一個用于饋電。這樣整個天線線路20即構成了PIFA天線，本發(fā)明的天線裝置，高頻分支可以覆蓋1710-2170MHz通訊頻段，低頻分支可以覆蓋824-960MHz通訊頻段，具有良好的通訊效果。

本發(fā)明還提供了一種包括上述天線裝置的移動終端，所述移動終端可以為智能手機或可穿戴設備，上述殼體10為移動終端的外殼。如圖4所示，所述移動終端殼體外表面設有涂層30，所述涂層30可以為本領域常用的油漆，所述涂層用于遮蓋天線線路20位于殼體外表面上的部分。本發(fā)明的移動終端，天線設置在殼體的內(nèi)表面和外表面上，使天線不占用移動終端的內(nèi)部空間，移動終端可以實現(xiàn)輕薄化和小型化。同時，天線線路不會影響殼體的外觀效果。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的特征和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。