技術(shù)領(lǐng)域

所描述的發(fā)明一般而言涉及印刷電路板(PCB)和其它多層基板上的高頻信號分配并且涉及經(jīng)由耦合器的線路分接。

背景技術(shù)：

高頻信號傳輸最常見地是點到點。功率在源(發(fā)送器)生成，并且經(jīng)由傳輸線被輸送到負(fù)載(接收器)。在這種情況下，接收器通常包括等于傳輸線的特征阻抗的端接電阻。所發(fā)送的信號功率在這個電阻中耗散，并且不從接收器發(fā)生信號反射。

在一些應(yīng)用中，期望將信號從單個發(fā)送器發(fā)送到沿線路順序布置的多個接收器。在這種情況下，每個接收器必須僅接收所發(fā)送功率的一部分，因為功率在所有接收器之間共享。此外，在每個接收器的信號相對于發(fā)送器以由接收器的位置確定的特有延遲到達(dá)。在這種情況下，信號傳輸路徑中的阻抗不連續(xù)性是不期望的，因為它們引起干擾原始發(fā)送信號的反射。在這種布置中，僅僅簡單的端接電阻不足以保證信號的完整性。此外，需要一種裝置來將發(fā)送的信號功率的一部分耦合到沿線路布置的每個接收器。對這些耦合器的必要需求是它們不能產(chǎn)生會引起信號反射的局部阻抗不連續(xù)性。

相反的情況也會發(fā)生，其中多個發(fā)送器沿傳輸線串行布置，連接到位于線路末端的公共接收器。在這種情況下，期望在接收器聚合所有發(fā)送器的信號功率。類似于上面的情況，各種信號各自具有由發(fā)送器相對于接收器的位置確定的特有延遲。而且，就像在上面的情況下，信號反射是干擾源。對于在發(fā)送器和傳輸線之間耦合信號功率的結(jié)構(gòu)的需求與上面的情況中相同。

更一般而言，可以利用有源電路系統(tǒng)來組合如上所述的分配網(wǎng)絡(luò)，使得在一些操作模式下，位于線路端部的電路向沿線路串行布置的多個接收器發(fā)送，而在其它模式下，位于線路端部的電路從沿線路串行布置的多個發(fā)送器接收信號。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本文描述的實施例采用用于在諸如PCB的平面技術(shù)中分配信號的方法。提供了一個或多個耦合器，以將來自傳輸線的信號電耦合到沿線路布置的發(fā)送器或接收器，而不引起明顯的信號反射發(fā)生。

一般而言，在一方面，本發(fā)明的特征在于一種信號分配結(jié)構(gòu)，包括：介電材料；在介電材料的第一層面上的上覆導(dǎo)電層；在介電材料的第二層面上的第一信號線，第一信號線通過介電材料與上覆導(dǎo)電層物理隔開；其中上覆導(dǎo)電層包括平行于第一信號線延伸的窗口，并且還在該窗口內(nèi)包括在介電材料的第一層面上的第一耦合器電極，第一耦合器電極在第一信號線上方、與其平行并且通過介電材料與其電隔離，其中第一耦合器電極沿著其外圍的至少大部分與上覆導(dǎo)電層電隔離。

一般而言，在另一方面，本發(fā)明的特征在于一種信號分配結(jié)構(gòu)，包括：介電材料；在介電材料的第一層面上的上覆導(dǎo)電層；在介電材料的第二層面上的第一和第二并行信號線，第一和第二信號線通過介電材料與上覆導(dǎo)電層物理隔開；其中上覆導(dǎo)電層包括平行于第一和第二信號線延伸的窗口，并且還在該窗口內(nèi)包括在介電材料的第一層面上的第一耦合器電極和第二耦合器電極，第一耦合器電極在第一信號線上方、與其平行并且通過介電材料與其電隔離并且第二耦合器電極在第二信號線上方、與其平行并且通過介電材料與其電隔離，其中第一和第二耦合器電極中的每一個沿著其外圍的至少大部分與上覆導(dǎo)電層電隔離。

其它實施例具有以下特征中的一個或多個。信號分配結(jié)構(gòu)還包括在介電材料的第三層面上的底層導(dǎo)電層，其中介電材料的第二層面在介電材料的第一和第三層面之間。第一和第二耦合器電極中的每一個是彼此物理隔開并且與上覆導(dǎo)電層物理隔開的金屬孤島(island)。信號分配結(jié)構(gòu)還包括將第一耦合器電極的一端電連接到上覆導(dǎo)電層的第一電阻元件和將第二耦合器電極的一端電連接到上覆導(dǎo)電層的第二電阻元件。第一和第二耦合器電極中的每一個在其一端物理接觸上覆導(dǎo)電層。第一耦合器電極包括用于電連接到第一耦合器電極的接觸焊盤區(qū)域，第二耦合器電極包括用于電連接到第二耦合器電極的接觸焊盤區(qū)域。第一和第二耦合器電極上的接觸焊盤區(qū)域分別位于第一和第二耦合器電極的一端。第一和第二耦合器電極與上覆導(dǎo)電層和底層導(dǎo)電層分別位于其上的第一和第三層面等距。信號分配結(jié)構(gòu)還包括穿過介電材料并將上覆和底層導(dǎo)電層電連接在一起的多個導(dǎo)電通孔。第一信號線位于第一耦合器電極下方的部分與第一信號線位于上覆導(dǎo)電層下方的部分相比具有不同的寬度，并且第二信號線位于第二耦合器電極下方的部分與第二信號線位于上覆導(dǎo)電層下方的部分相比具有不同的寬度。介電材料以及上覆和底層導(dǎo)電層是利用印刷電路板技術(shù)制造的。第一和第二信號線與上覆導(dǎo)電層和底層導(dǎo)電層組合形成屏蔽的差分傳輸線。

一般而言，在還有另一方面，本發(fā)明的特征在于一種信號分配系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括具有上述類型的耦合器結(jié)構(gòu)序列的傳輸線，其中耦合器結(jié)構(gòu)沿著傳輸線從第一端到第二端依次布置。

其它實施例可以包括以下特征中的一個或多個。傳輸線包括：介電材料；在介電材料的第一層面上的上覆導(dǎo)電層；在介電材料內(nèi)的第二層面上的第一和第二并行信號線，第一和第二信號線通過介電材料與上覆導(dǎo)電層物理隔開。每個耦合器結(jié)構(gòu)包括：在上覆導(dǎo)電層中平行于第一和第二信號線延伸的窗口；以及在該窗口內(nèi)在介電材料的第一層面上的第一耦合器電極和第二耦合器電極，第一耦合器電極平行于第一耦合線路并通過介電材料與其電隔離并且第二耦合器電極平行于第二耦合線路并通過介電材料與其電隔離，其中第一和第二耦合器電極中的每一個沿其外圍的至少大部分與上覆導(dǎo)電層電隔離。

還有其它實施例可以包括以下特征中的一個或多個。信號分配系統(tǒng)還包括在介電材料的第三層面上的底層導(dǎo)電層，其中介電材料的第二層面在介電材料的第一和第三層面之間。多個耦合器結(jié)構(gòu)中每個相繼的耦合器結(jié)構(gòu)的耦合器電極比耦合器結(jié)構(gòu)序列中的前一耦合器結(jié)構(gòu)的耦合器電極長。在耦合器結(jié)構(gòu)序列的每個耦合器結(jié)構(gòu)中，第一和第二耦合器電極中的每一個是彼此物理隔開并且與上覆導(dǎo)電層物理隔開的金屬孤島，在這種情況下，耦合器結(jié)構(gòu)序列的每個耦合器結(jié)構(gòu)還可以包括將那個耦合器結(jié)構(gòu)的第一耦合器電極的一端電連接到上覆導(dǎo)電層的第一電阻元件和將那個耦合器結(jié)構(gòu)的第二耦合器電極的一端電連接到上覆導(dǎo)電層的第二電阻元件。在耦合器結(jié)構(gòu)序列的每個耦合器結(jié)構(gòu)中，那個耦合器結(jié)構(gòu)的第一和第二耦合器電極中的每一個在一端物理接觸上覆導(dǎo)電層。

在附圖和下面的描述中闡述本發(fā)明的一個或多個實施例的細(xì)節(jié)。從說明書和附圖以及從權(quán)利要求書中，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點將顯而易見。

附圖說明

圖1示出了簡單的點到點信號互連的示意圖。

圖2示出了從公共發(fā)送器到沿傳輸線串行布置的多個接收器的信號分配的示意圖。

圖3示出了從沿傳輸線串行布置的多個發(fā)送器到公共接收器的信號分配的示意圖。

圖4示出了一般的雙模式串行信號分配網(wǎng)絡(luò)的示意圖。

圖5示出了被用來在多層平面技術(shù)中實現(xiàn)均勻屏蔽差分傳輸線的典型結(jié)構(gòu)的橫截面。

圖6示出了與圖8中所示的傳輸線相關(guān)聯(lián)使用的耦合器結(jié)構(gòu)。

圖7示出了電容型耦合器的平面圖。

圖8示出了感應(yīng)型耦合器的平面圖。

圖9示出了具有到地平面的電阻連接的耦合器的平面圖。

具體實施方式

圖1示出了用于點到點信號傳輸?shù)墓搽娐返氖疽鈭D。這種簡單的布置包括發(fā)送器11、接收器12和傳輸線1。物理傳輸線通常由促進(jìn)電流從發(fā)送器的輸出流到接收器的輸入的導(dǎo)電通路(例如，電線)組成，以及允許相反的電流從接收器返回到發(fā)送器的第二導(dǎo)電通路。在包括多于一條這種通路的系統(tǒng)中，返回通路有時由多條傳輸線共享，在這種情況下，傳輸線常常被稱為“單端”。在其它這樣的系統(tǒng)中，每條傳輸線設(shè)有特有的返回通路，在這種情況下，傳輸線常常被稱為“差分”。

所發(fā)送信號的各種頻率成分作為波沿著傳輸線傳播。尤其是對于高頻成分，傳輸線的物理長度可以是那個成分的波長的很大的一部分。在這種情況下，接收到的信號的完整性會由于傳輸線上存在反射信號而降級。為了維持信號的完整性，通常的做法是在接收器提供端接電阻20。如果這個端接電阻的值與傳輸線的特征阻抗匹配，則信號功率在該電阻中耗散并且不發(fā)生信號反射。

在一些應(yīng)用中，期望向沿著傳輸線布置的多個接收器發(fā)送信號，如圖2中所示。在這種布置中，接收器共享總發(fā)送功率，因此每個接收器僅接收發(fā)送功率的一部分。為了促進(jìn)這種布置，有利的是提供用于將來自傳輸線的信號耦合到每個接收器的耦合器30。除了控制傳輸線和接收器之間的信號耦合，耦合器30不應(yīng)當(dāng)引起傳輸線的特征阻抗的明顯的局部變化，因為這會引起將降級所接收的信號的完整性的不期望的信號反射。而且，在一些信號功率沒有分配到接收器的常見情況下，在傳輸線的終端處提供電阻20，以避免功率在那個點的反射。

圖3示出了相反的情況，其中沿線路布置的多個發(fā)送器將信號功率輸送到公共接收器。在這個布置中可以使用類似的耦合器結(jié)構(gòu)。如在上述情況下，類似地期望耦合器在傳輸線的特征阻抗中引入可忽略的局部變化。

這些布置的一般化在圖4中示出，其中使用雙模式發(fā)送器-接收器電路13。利用這種類型的布置，多個接收器或發(fā)送器可以分別共享公共發(fā)送器或接收器，這取決于所選擇的有源電路系統(tǒng)的操作模式。對于耦合結(jié)構(gòu)的相同設(shè)計考慮適用于任一模式。

低反射、緊湊、寬帶的差分耦合器

除了信號線本身之外，圖4中所示的串行分布網(wǎng)絡(luò)中的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)還有耦合器30。為了維持良好的信號完整性，耦合器的期望特性是它們在分布傳輸線中引入最小的信號反射。這要求主傳輸線的特征阻抗不受耦合器存在的干擾。滿足這個標(biāo)準(zhǔn)由于大多數(shù)平面技術(shù)中通常存在的制造變化而變得復(fù)雜。這些變化導(dǎo)致傳輸線的特征阻抗的變化。因此，期望設(shè)計這樣的耦合結(jié)構(gòu)，其中影響傳輸線的制造變化也以類似的方式影響耦合器，使得不管變化如何，信號反射都被最小化。

定向耦合器通常在微波系統(tǒng)中被用來將信號能量的一部分從主信號傳輸線轉(zhuǎn)移到另一輔助線路上，而不引起可感知的信號反射。在平面技術(shù)中，定向耦合器通常由一對傳輸線形成，傳輸線的長度等于在期望中心工作頻率處的傳輸線中的信號波長的四分之一。兩條線路放在鄰近處，導(dǎo)致它們之間的電磁耦合。通過結(jié)構(gòu)尺寸的適當(dāng)選擇，有可能實現(xiàn)具有期望的耦合強(qiáng)度特性和特征阻抗特性的耦合器。此外，這些結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出方向性的特性，其中從一條線路耦合到另一條線路的信號優(yōu)先在一個方向流動。意在在寬頻率范圍上表現(xiàn)出耦合強(qiáng)度和方向性的復(fù)雜耦合器是通過級聯(lián)耦合線路的多個四分之一波長區(qū)段來產(chǎn)生的。

當(dāng)在與它們連接的線路相同的平面結(jié)構(gòu)中實現(xiàn)時，這些常規(guī)的定向耦合器表現(xiàn)出對上述制造變化的不敏感性的期望特性。耦合器中耦合的傳輸線的結(jié)構(gòu)通常類似于耦合器連接到的主傳輸線的結(jié)構(gòu)。因此，影響傳輸線的特征阻抗的結(jié)構(gòu)和材料變化通常對耦合器的特征阻抗具有類似的影響。在一些應(yīng)用中，這些類型的耦合器的缺點是其大物理尺寸。

下面描述的實施例可以用在需要緊湊結(jié)構(gòu)的應(yīng)用中。在這種情況下，有可能在基本上短于信號波長四分之一的更緊湊的結(jié)構(gòu)中，在寬頻率范圍上獲得適當(dāng)?shù)鸟詈稀?/p>

圖5示出了用來在諸如PCB的多層平面技術(shù)中實現(xiàn)均勻屏蔽的差分傳輸線的典型結(jié)構(gòu)的橫截面。在該結(jié)構(gòu)中，信號線60和61的差分對在具有形成環(huán)繞屏蔽結(jié)構(gòu)的上覆層62和底層63的金屬層中形成。這些屏蔽層通常通過沿垂直于橫截面的線路的長度并按間隔放置的垂直導(dǎo)電通孔70電連接。環(huán)繞屏蔽結(jié)構(gòu)的電位通常被作為參考(“地”)，并且差分信號線上的電位相對于這個參考對稱地變化，具有相等的振幅和相反的符號。金屬平面之間的區(qū)域由電介質(zhì)90填充。

在差分傳輸線中，兩條信號線60和61的寬度81完全相同。差分特征阻抗由線路寬度81和間隔80以及結(jié)構(gòu)的垂直尺寸82、83和84確定。

線路寬度和間隔通常與電介質(zhì)厚度相當(dāng)。例如，在所述實施例中，每個介電層的厚度為250微米(0.25mm)，線路寬度為200微米，并且間距為250。

耦合器結(jié)構(gòu)在圖6中以橫截面示出。耦合器內(nèi)的信號線64和65分別直接連接到耦合器區(qū)域外的傳輸線中的信號線60和61，但它們的尺寸85和86可以不同。具有相同寬度的耦合器電極66和67在外屏蔽62中形成。這些電極沿線路延伸某個期望的長度。在操作中，沿差分傳輸線64和65傳遞的信號將分別在耦合器電極66和67中感應(yīng)出差分電壓和/或電流。耦合信號強(qiáng)度部分地由電極的長度確定。

從圖5和圖6的檢查可以看出，兩個圖中的信號線的結(jié)構(gòu)相似?；陔姶欧抡婧头治?，可以選擇耦合器中的線路的尺寸85和86，使得耦合器中的線路的特征阻抗與耦合器外部的線路緊密匹配，由此最小化在兩者之間的連接處的信號反射。如果耦合器電極上的感應(yīng)電壓相對于信號線上的電壓較小，則圍繞傳輸線的場分布不會由于電極的存在而被大大擾動，因為它們的電位與屏蔽的電位沒有很大不同。在那種情況下，耦合器內(nèi)部和外部的信號線寬度86和81將類似，空間85和80也是如此。

在耦合器內(nèi)部和外部的線路的尺寸被調(diào)節(jié)為產(chǎn)生類似的特征阻抗并且線路的尺寸在兩種情況下相似的情況下，制造中影響其中一個的特征阻抗的結(jié)構(gòu)和材料變化對另一個具有類似的影響。在這種情況下，當(dāng)耦合器在如上所述的串行分布網(wǎng)絡(luò)中被使用時，它們將不會通過信號反射的引入而顯著地降級信號完整性。而且，引起傳輸線的特征阻抗改變的制造變化將引起耦合器結(jié)構(gòu)的類似變化，從而信號完整性得以維持。

這種類型的耦合器結(jié)構(gòu)可以以三種不同的方式配置。圖7示出了電容型耦合器的平面圖。在這個圖中，耦合器電極66和67與環(huán)繞屏蔽(地)62電隔離，如由環(huán)繞表示耦合器電極的金屬膜孤島的開放區(qū)域(無金屬區(qū)域)所指示的。信號線64和65在耦合器電極下方通過。接觸區(qū)域68和69偏離到側(cè)面提供，以允許耦合器連接到外部電路。這種類型的耦合器主要是電容性的，因為在耦合器電極中感應(yīng)出電壓，但很小電流可以流過。當(dāng)連接到高阻抗感應(yīng)電路系統(tǒng)時，這些耦合器在寬頻率范圍內(nèi)具有相對恒定的電壓增益特點。通過改變耦合器電極的長度來調(diào)節(jié)電壓增益。

類似的感應(yīng)耦合器的平面圖在圖8中示出。它具有與其電容性對應(yīng)物相同的結(jié)構(gòu)特征。唯一的結(jié)構(gòu)差異是在圖的右手側(cè)的電極(即，與具有接觸焊盤的端部相對的端部)連接到地平面62。這種耦合器類型主要是感應(yīng)性的，因為電流在耦合器電極中被感應(yīng)出來，但是產(chǎn)生很小的電壓。當(dāng)連接到低阻抗有源電路時，這種類型的耦合器在寬頻率范圍內(nèi)具有相對平坦的電流增益。

電阻連接的耦合器的平面圖在圖9中示出。在這種結(jié)構(gòu)中，附加的電阻器100將電極連接到地平面。由于該電阻連接，在耦合器電極上感應(yīng)出的信號是電流和電壓的組合，因此這種耦合器類型是圖7和8所示類型的混合。而且，通過適當(dāng)選擇在連接中使用的電阻100的結(jié)構(gòu)尺寸和電阻值，這些耦合器表現(xiàn)出期望的方向性，即使它們大大短于在常規(guī)定向耦合器中使用的四分之一波長。常規(guī)的四分之一波長耦合器在對應(yīng)的四分之一波長頻率附近具有恒定的振幅頻率響應(yīng)。這些短耦合器一般在其響應(yīng)的振幅中顯示出更大的頻率依賴性。

如上所述，這些類型的耦合器在需要將信號串行分布到許多接收器的應(yīng)用中是有用的，如圖2中所示。在這種情況下，常常期望在所有接收器12處維持幾乎恒定的信號強(qiáng)度。但是，由于分配傳輸線1中固有的信號損耗，并且由于鏈路中的每個耦合器從線路提取少量功率，因此線路中的信號強(qiáng)度將隨著距發(fā)送器11的距離的增加而衰減。這些損耗可以通過修改鏈路中每個耦合器的長度來補(bǔ)償，使得信號最強(qiáng)的發(fā)送器附近的耦合器更短，從而給予它們更少的增益，而信號最弱的鏈路端部的耦合器更長，從而給予它們更多的增益。通過對耦合器的長度的適當(dāng)調(diào)節(jié)，可以使每個接收器處的信號強(qiáng)度相同。

類似的情況在需要許多信號的串行聚合的應(yīng)用中發(fā)生，如圖3中所示。在這種情況下，源自離接收器20最遠(yuǎn)的信號在沿著分布線路1行進(jìn)時將遭受最大的衰減。這種衰減可以通過調(diào)節(jié)耦合器的長度來補(bǔ)償，使得從每個發(fā)送器11到公共接收器20的增益幾乎相等(例如，通過使離接收器最遠(yuǎn)的耦合器的長度更長)。以這種方式，接收到的聚合信號表示所有單獨發(fā)送信號的幾乎相等的總和。

常規(guī)的定向耦合器是直接物理連接到配電線路的分立部件。為了將它們插入配電線路，必須斷開線路。因此，配電線在一個端子端口進(jìn)入耦合器并從另一個端子端口出來。耦合器中的內(nèi)部連接提供進(jìn)入和離開線路之間的電路徑的連續(xù)性。因為主配電線路和耦合器是在兩種不同的技術(shù)實現(xiàn)中制造的，所以制造變化將導(dǎo)致它們的傳輸線特點稍有不同，從而導(dǎo)致阻抗不連續(xù)和信號反射。這些反射會損害電路的功能，尤其是在其影響可能累積的串行分布網(wǎng)絡(luò)中。上述類型的集成耦合器不會受到這種影響。與常規(guī)的分立實現(xiàn)相比，布置在以公共技術(shù)實現(xiàn)的串行配置中的兩個或更多個此類耦合器的復(fù)合結(jié)構(gòu)構(gòu)成了具有優(yōu)良質(zhì)量的新穎結(jié)構(gòu)。

在圖7、8和9所示的實施例中，觸點或焊盤區(qū)域68和69被示為偏離到側(cè)面，使得它們不會在下層上的耦合器信號線64和65的上方。這樣做是因為假設(shè)本公開內(nèi)容中描述的三層金屬具有在這些層之上的其它層，即，它們是更大的多層堆疊的一部分。換句話說，假設(shè)兩個焊盤68和69將被埋在堆疊的中間。在那種情況下，為了與它們進(jìn)行垂直連接，需要使用鉆孔。如果焊盤位于線路的頂部，則鉆機(jī)將穿過信號線并且它們也將短路到在鉆孔中形成的通孔。因此，焊盤被偏移，以避免對線路的干擾。

對于一些類型的電路板構(gòu)造，這將是不必要的。如果上覆金屬層在堆疊的頂部，則關(guān)于短路到下部金屬層的擔(dān)心不是問題，在這種情況下，接觸區(qū)域可以直接在耦合器信號線路上方。

而且，應(yīng)當(dāng)指出，對于電容性耦合器，焊盤68和69可以位于沿耦合器長度的任何地方。但是，對于感應(yīng)型耦合器，它們需要在與它們并入地平面的點相對的端部。

通常期望耦合器與線路中的二分之一波長相比更短，但那不是嚴(yán)格的要求。為了保持阻抗幾乎恒定，耦合器的關(guān)鍵需求是其具有遠(yuǎn)小于一(unity)的電壓增益。這確保耦合器電極大致類似于環(huán)繞的地平面，并且不會擾動電勢分布太多。越長的耦合器積累越大的增益。在足夠長的長度，它們開始表現(xiàn)得奇怪，并且會表現(xiàn)出不期望的共振。

常規(guī)的定向耦合器由四分之一波長傳輸線區(qū)段組成。寬帶耦合器要求若干這樣的四分之一波區(qū)段的級聯(lián)，因此它們會相當(dāng)大。例如，在1GHz，簡單的四分之一波定向耦合器將為1.5英寸長。在110MHz中心頻率下工作的電路板中的中頻耦合器需要13.6英寸長。為了比較，使用本文所述結(jié)構(gòu)的這些相同的耦合器小于1英寸長(分別具有200和250微米的線路寬度和間隔)。

對于PCB，可以使用各種眾所周知的制造方法。它們主要由在兩側(cè)覆蓋有銅箔的電介質(zhì)(通常為玻璃增強(qiáng)樹脂)片構(gòu)成。電介質(zhì)通常是用有機(jī)電介質(zhì)(環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺、漆、特氟隆等)浸漬的玻璃纖維基體。有許多專有的樹脂和玻璃配方。導(dǎo)體圖案被蝕刻到箔中。這些片的多個層被對齊并與具有在未固化狀態(tài)下更介電的中間層堆疊。它們被壓在一起并加熱，以層壓出多層結(jié)構(gòu)。然后，鉆孔并鍍上金屬，以形成垂直的層到層通孔。

本文描述的技術(shù)特別適用于多點信號生成網(wǎng)絡(luò)和低成本天線陣列，諸如分別在US 8,259,884和US 8,611,959中描述的那些，這二者的內(nèi)容整體上被結(jié)合于此。例如，參考'884專利中的圖5，示出了兩個樹形網(wǎng)絡(luò)，其中一個攜帶第一載波信號，而第二個攜帶第二載波信號。在各個地方，一個樹形網(wǎng)絡(luò)的分支與另一個樹形網(wǎng)絡(luò)的對應(yīng)分支并排(例如“并行”)延伸。對于那個分支對，一個分支在一個方向攜帶第一載波信號，而另一個分支在另一個方向攜帶第二載波信號。沿著雙并行傳輸線的長度，存在多個到達(dá)時間平均電路(ATAC)，每個ATAC具有連接到傳輸線之一的一個輸入和連接到另一傳輸線的第二輸入。到ATAC電路的連接可以利用本文描述的耦合器來實現(xiàn)，以減少那些電路對通過雙傳輸線的信號的影響。

其它實施例在以下權(quán)利要求書以內(nèi)。