一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，包括電阻檢測(cè)單元、主控單元、輸入單元和顯示單元；所述電阻檢測(cè)單元包括交流恒流源和電壓檢測(cè)電路，所述交流恒流源電連接在待測(cè)樣品兩端，所述電壓檢測(cè)電路與待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)電連接，并檢測(cè)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓；所述主控單元分別與所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路、輸入單元和顯示單元電連接。本實(shí)用新型是一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，有效避免了待測(cè)樣品本身以及閉合磁路漏磁、繞制線圈麻煩等問題，簡(jiǎn)單巧妙，檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確，實(shí)現(xiàn)了無損精確測(cè)量，具有高效率整體檢測(cè)、操作方便、高靈敏度等優(yōu)勢(shì)，具有較好的應(yīng)用前景。
【專利說明】
一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及電磁無損檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]材料的磁導(dǎo)率是重要的基本物理常數(shù)，磁性導(dǎo)體材料的磁導(dǎo)率關(guān)系到變壓器、電機(jī)、整流器、電感器、信號(hào)耦合器、磁致伸縮器件、電聲器件、信號(hào)和功率轉(zhuǎn)換器等的品質(zhì)。而且材料的磁導(dǎo)率與材料的成分、結(jié)構(gòu)、熱處理、力學(xué)沖擊、疲勞損傷、電磁屏蔽和干擾等密切相關(guān)，因此基于磁導(dǎo)率的檢測(cè)也廣泛應(yīng)用于材料分類、結(jié)構(gòu)檢測(cè)、探傷、電磁兼容工程等領(lǐng)域，具有廣泛應(yīng)用。磁導(dǎo)率的有效檢測(cè)關(guān)系到產(chǎn)品性能、成本、使用壽命、甚至產(chǎn)品安全。如何準(zhǔn)確可靠地測(cè)量磁導(dǎo)率有重要意義。
[0003]常規(guī)的磁導(dǎo)率檢測(cè)方法主要有:沖擊電流法，示波器法，LC諧振法，感應(yīng)小信號(hào)放大法，磁滯回線法，線圈阻抗法(伏安法、VNA法，電橋法)等。這些方法的共同特點(diǎn)是待測(cè)樣品本身或待測(cè)樣品與探頭構(gòu)成磁回路，并采用激勵(lì)和感應(yīng)兩個(gè)線圈上信號(hào)計(jì)算材料磁導(dǎo)率。共同問題是:閉合磁路漏磁難以控制、環(huán)形樣品難以加工、兩線圈松緊程度和位置都可能影響測(cè)試。還有一種方法是通過分析二維細(xì)長(zhǎng)圓柱導(dǎo)體和三維圓環(huán)導(dǎo)體內(nèi)部的電磁場(chǎng)分布，推導(dǎo)并給出由規(guī)則導(dǎo)體內(nèi)部阻抗求磁導(dǎo)率的近似計(jì)算公式(含幾何參數(shù))；用阻抗分析儀測(cè)量規(guī)則導(dǎo)體內(nèi)部阻抗代入公式計(jì)算磁導(dǎo)率的方法。該方法計(jì)算和處理復(fù)雜，對(duì)樣品的幾何參數(shù)敏感，內(nèi)阻的測(cè)量誤差可能影響磁導(dǎo)率計(jì)算準(zhǔn)確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置。
[0005]本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，包括電阻檢測(cè)單元、主控單元、輸入單元和顯示單元;所述電阻檢測(cè)單元包括交流恒流源和電壓檢測(cè)電路，所述交流恒流源電連接在待測(cè)樣品兩端，為待測(cè)樣品兩端提供低頻段和高頻段交流信號(hào)，所述電壓檢測(cè)電路與待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)電連接，并檢測(cè)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓;所述主控單元分別與所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路、輸入單元和顯示單元電連接。
[0006]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，有效避免了待測(cè)樣品本身以及閉合磁路漏磁、繞制線圈麻煩等問題，簡(jiǎn)單巧妙，檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確，實(shí)現(xiàn)了無損精確測(cè)量，具有高效率整體檢測(cè)、操作方便、高靈敏度等優(yōu)勢(shì)，具有較好的應(yīng)用前景。
[0007]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)用新型還可以做如下改進(jìn):
[0008]進(jìn)一步:所述交流恒流源的信號(hào)頻率由所述主控單元控制可調(diào)。
[0009]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過選擇信號(hào)頻率連續(xù)可調(diào)的交流恒流源，可以比較方便的切換加在待測(cè)樣品兩端的恒流交流信號(hào)的頻率，從而方便檢測(cè)出兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的高頻電阻和低頻電阻。
[0010]進(jìn)一步:所述交流恒流源提供的低頻段交流信號(hào)的頻率范圍為0-120HZ，高頻段交流信號(hào)的頻率范圍為10K-5MHZ。
[0011]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過調(diào)節(jié)所述交流恒流源的信號(hào)頻率，可比較方便的檢測(cè)出待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間部分在高頻交流恒流源和低頻交流恒流源激勵(lì)下的電阻值。更為重要的是，對(duì)于常見的大部分鐵磁性材料，在上述頻率范圍內(nèi)其電阻率基本保持不變，這樣也可以使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。
[0012]進(jìn)一步:所述電壓檢測(cè)電路包括放大器、濾波器和AD轉(zhuǎn)換電路。所述放大器與待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)電連接，對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)放大;所述濾波器電連接在所述放大器與所述AD轉(zhuǎn)換電路之間，并對(duì)放大后的所述電壓信號(hào)進(jìn)行濾波處理;所述AD轉(zhuǎn)換電路電連接在所述濾波器與所述主控單元之間，用于對(duì)放大濾波后的電壓信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理。
[0013]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過所述放大器和濾波器可以對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)依次進(jìn)行放大和濾波處理，可以去除信號(hào)中的無用信號(hào)，提高檢測(cè)結(jié)果的精度。
[0014]進(jìn)一步:所述電壓檢測(cè)電路包括鎖相放大器，且所述交流恒流源與所述鎖相放大器電連接，并為所述鎖相放大器提供同步信號(hào)。上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過所述鎖相放大器對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)進(jìn)行鎖相放大處理，并抑制噪聲，提高檢測(cè)結(jié)果的精度。
[0015]進(jìn)一步:所述主控單元采用單片機(jī)，如Atmegal6微控制器。
[0016]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:ATmegal6是基于增強(qiáng)的AVRRISC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmegaie的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)IMI PS/MHz，從而滿足測(cè)控和數(shù)據(jù)處理需要。
[0017]進(jìn)一步:所述輸入單元為鍵盤或觸摸顯示屏，接收外部輸入的待測(cè)樣品電阻率或兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的長(zhǎng)度、待測(cè)樣品的直徑以及高頻和低頻交流信號(hào)頻率。
[0018]進(jìn)一步:還包括呈封閉立體狀的外殼，所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路和主控單元均設(shè)置在所述外殼內(nèi)，所述輸入單元和顯示單元均設(shè)置在所述外殼的一側(cè)面板上。
[0019]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過上述方式可以使得整個(gè)檢測(cè)裝置方便攜帶和轉(zhuǎn)移，操作簡(jiǎn)單，顯示直觀，大大提高了檢測(cè)效率。
[0020]進(jìn)一步:所述外殼上設(shè)有所述顯示單元一側(cè)的面板上還設(shè)四個(gè)接線端子，其中兩個(gè)所述接線端子與所述交流恒流源電連接，另外兩個(gè)所述接線端子與所述電壓檢測(cè)電路電連接。
[0021]上述進(jìn)一步方案的有益效果是:通過所述接線端子可以方便將外部待測(cè)樣品與所述電壓檢測(cè)電路和交流恒流源電連接，使用的時(shí)候非常方便。
[0022]進(jìn)一步:所述接線端子為BNC接口。
【附圖說明】
[0023]圖1為本實(shí)用新型的一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置電氣結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本實(shí)用新型的一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置面板示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。
[0026]如圖1所示，一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置電氣結(jié)構(gòu)示意圖，包括電阻檢測(cè)單元、主控單元、輸入單元和顯示單元;所述電阻檢測(cè)單元包括交流恒流源和電壓檢測(cè)電路，所述交流恒流源電連接在待測(cè)樣品兩端，所述電壓檢測(cè)電路與待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)電連接，并檢測(cè)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓;所述主控單元分別與所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路、輸入單元和顯示單元電連接。
[0027]本實(shí)施例中，所述交流恒流源的信號(hào)頻率由所述主控單元控制可調(diào)。通過選擇信號(hào)頻率連續(xù)可調(diào)的交流恒流源，可以比較方便的切換加在待測(cè)樣品兩端的恒流交流信號(hào)的頻率，從而方便檢測(cè)出兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的高頻電阻和低頻電阻。
[0028]本實(shí)施例中，所述交流恒流源提供的低頻段交流信號(hào)的頻率范圍為通過調(diào)節(jié)所述交流恒流源的信號(hào)頻率，可比較方便的檢測(cè)出待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間部分在高頻交流恒流源和低頻交流恒流源激勵(lì)下的電阻值。更為重要的是，對(duì)于常見的大部分鋼鐵材質(zhì)，在上述頻率范圍內(nèi)的交流恒流源信號(hào)的激勵(lì)下，其電阻率基本保持不變，這樣也可以使得檢測(cè)結(jié)果更加準(zhǔn)確。
[0029]優(yōu)選地，所述交流恒流源提供的低頻段交流信號(hào)的頻率范圍為10-120HZ，高頻段交流信號(hào)的頻率范圍為20K-1MHZ。
[0030]優(yōu)選地，所述電壓檢測(cè)電路包括放大器、濾波器和AD轉(zhuǎn)換電路。所述放大器與待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)電連接，對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)放大;所述濾波器電連接在所述放大器與所述AD轉(zhuǎn)換電路之間，并對(duì)放大后的所述電壓信號(hào)進(jìn)行濾波處理;所述AD轉(zhuǎn)換電路電連接在所述濾波器與所述主控單元之間，用于對(duì)放大濾波后的電壓信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理。通過所述放大器、濾波器和AD轉(zhuǎn)換電路可以對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)依次進(jìn)行放大、濾波和模數(shù)轉(zhuǎn)換處理，可以去除信號(hào)中的無用信號(hào)，提高檢測(cè)結(jié)果的精度。
[0031]本實(shí)施例中，所述輸入單元為鍵盤或觸摸顯示屏，用于接收外部輸入的待測(cè)樣品電阻率或兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的長(zhǎng)度、待測(cè)樣品的直徑以及高頻和低頻交流信號(hào)頻率。
[0032]優(yōu)選地，所述電壓檢測(cè)電路包括鎖相放大器，且所述交流恒流源與所述鎖相放大器電連接，并為所述鎖相放大器提供同步信號(hào)。通過所述鎖相放大器對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)進(jìn)行鎖相放大處理，并抑制噪聲，提高檢測(cè)結(jié)果的精度。
[0033]本實(shí)施例中，所述主控單元采用單片機(jī)，如Atmegal6微控制器。ATmegal6是基于增強(qiáng)的AVR RI SC結(jié)構(gòu)的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先進(jìn)的指令集以及單時(shí)鐘周期指令執(zhí)行時(shí)間，ATmegal6的數(shù)據(jù)吞吐率高達(dá)lMIPS/MHz，從而可以緩解系統(tǒng)在功耗和處理速度之間的矛盾。當(dāng)然，所述主控單元也可以采用其他嵌入式系統(tǒng)，這里不做限定。
[0034]本實(shí)施例中，所述顯示單元為液晶顯示器或LED顯示器。
[0035]本實(shí)用新型的一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置還包括呈封閉立體狀的外殼，所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路和主控單元均設(shè)置在所述外殼內(nèi)，所述輸入單元和顯示單元均設(shè)置在所述外殼的一側(cè)面板上，如圖2所示。通過上述方式可以使得整個(gè)檢測(cè)裝置方便攜帶和轉(zhuǎn)移，操作簡(jiǎn)單，顯示直觀，大大提高了檢測(cè)效率。
[0036]本實(shí)施例中，所述外殼上設(shè)有所述顯示單元一側(cè)的面板上還設(shè)四個(gè)接線端子，其中兩個(gè)所述接線端子與所述交流恒流源電連接，另外兩個(gè)所述接線端子與所述電壓檢測(cè)電路電連接。圖2中，I和4接線端子在所述外殼內(nèi)與交流恒流源電連接，外部與待測(cè)樣品所測(cè)兩點(diǎn)的外側(cè)或樣品兩端電連接，2和3接線端子與在所述外殼內(nèi)的電壓檢測(cè)電路電連接，夕卜部與待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)電連接。通過所述接線端子可以方便將外部待測(cè)樣品與所述電壓檢測(cè)電路和交流恒流源電連接，使用的時(shí)候非常方便。
[0037]優(yōu)選地，所述接線端子為BNC接口。
[0038]在所述輸入單元上，“fl”為交流恒流源低頻頻率輸入按鈕，“ft”為交流恒流源高頻頻率輸入按鈕，“P”為待測(cè)樣品輸入按鈕(這里，如果已知待測(cè)材料的電阻率，則可以通過按下此按鈕然后直接通過數(shù)字鍵輸入)，“d”為待測(cè)樣品直徑輸入按鈕，“L”為待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)之間距離輸入按鈕，“C”為刪除按鈕，“0K”為確認(rèn)按鈕，“〈”為所述顯示單元上光標(biāo)左移按鈕，“〉”為所述顯示單元上光標(biāo)右移按鈕，“<”和“〉”按鍵可配合“C”、“0K”等其他按鍵方便輸入或修改信息，其余為數(shù)字輸入按鈕。
[0039]在實(shí)際檢測(cè)過程中，先在直徑為d的圓柱形待測(cè)樣品上任意選取相距為L(zhǎng)的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)，手工輸入低頻頻率、電阻率P和直徑d(或間距L)后，裝置檢測(cè)并自動(dòng)計(jì)算兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的低頻電阻值Ro;然后調(diào)整所述交流恒流源的頻率至高頻，再檢測(cè)待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的高頻電阻值R;最后主控單元根據(jù)待測(cè)樣品上所述兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)之間的低頻電阻值Ra、高頻電阻值R、電阻率P和直徑d(或間距L)計(jì)算待測(cè)樣品的相對(duì)磁導(dǎo)率yr，并在顯示屏顯示出相對(duì)磁導(dǎo)率的測(cè)量值。
[0040]圖2所示輸入單元的20按鍵的替代方案可以是:由簡(jiǎn)單6個(gè)按鍵，上、下、左、右、刪除、確認(rèn)按鍵配合屏幕顯示和程序完成信息輸入。
[0041]圖2所示輸入單元的20按鍵及顯示屏替代方案還可以是:由觸摸屏完成信號(hào)輸入和顯不。
[0042]本實(shí)用新型的一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，有效避免了待測(cè)樣品本身以及閉合磁路漏磁、繞制線圈麻煩等問題，簡(jiǎn)單巧妙，檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確，實(shí)現(xiàn)了無損精確測(cè)量，具有高效率整體檢測(cè)、操作方便、高靈敏度等優(yōu)勢(shì)，具有較好的應(yīng)用前景。
[0043]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:包括電阻檢測(cè)單元、主控單元、輸入單元和顯示單元； 所述電阻檢測(cè)單元包括交流恒流源和電壓檢測(cè)電路，所述交流恒流源電連接在待測(cè)樣品兩端，為待測(cè)樣品兩端提供低頻段和高頻段交流信號(hào)，所述電壓檢測(cè)電路與待測(cè)樣品上任意選取的兩個(gè)檢測(cè)點(diǎn)電連接，并檢測(cè)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓； 所述主控單元分別與所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路、輸入單元和顯示單元電連接。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述交流恒流源的信號(hào)頻率由所述主控單元控制可調(diào)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述交流恒流源提供的低頻段交流信號(hào)的頻率范圍為0-120HZ，高頻段交流信號(hào)的頻率范圍為10K-5MHz。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述電壓檢測(cè)電路包括放大器、濾波器和AD轉(zhuǎn)換電路； 所述放大器與待測(cè)樣品上兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)電連接，對(duì)兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的電壓信號(hào)放大;所述濾波器電連接在所述放大器與所述AD轉(zhuǎn)換電路之間，并對(duì)放大后的所述電壓信號(hào)進(jìn)行濾波處理； 所述AD轉(zhuǎn)換電路電連接在所述濾波器與所述主控單元之間，用于對(duì)放大濾波后的電壓信號(hào)進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換處理。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述電壓檢測(cè)電路包括鎖相放大器，且所述交流恒流源與所述鎖相放大器電連接，并為所述鎖相放大器提供同步信號(hào)。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述主控單元采用單片機(jī)。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述輸入單元為鍵盤或觸摸顯示屏，接收外部輸入待測(cè)樣品電阻率或兩個(gè)所述檢測(cè)點(diǎn)之間的長(zhǎng)度、待測(cè)樣品的直徑以及高頻和低頻交流信號(hào)頻率。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:還包括呈封閉立體狀的外殼，所述交流恒流源、電壓檢測(cè)電路和主控單元均設(shè)置在所述外殼內(nèi)，所述輸入單元和顯示單元均設(shè)置在所述外殼的一側(cè)面板上。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述外殼上設(shè)有所述顯示單元一側(cè)的面板上還設(shè)四個(gè)接線端子，其中兩個(gè)所述接線端子與所述交流恒流源電連接，另外兩個(gè)所述接線端子與所述電壓檢測(cè)電路電連接。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述一種基于趨膚效應(yīng)的鐵磁導(dǎo)體相對(duì)磁導(dǎo)率檢測(cè)裝置，其特征在于:所述接線端子為BNC接口。
【文檔編號(hào)】G01R33/12GK205562775SQ201620304888
【公開日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年4月13日
【發(fā)明人】楊勇, 安虹宇, 楊文璐, 湯型正, 王華俊
【申請(qǐng)人】中國地質(zhì)大學(xué)（武漢）