技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種SBD器件及其制備方法，該SBD器件，包括：金屬層；設(shè)置在所述金屬層上的緩沖層；設(shè)置在所述緩沖層上的重?fù)诫sn?GaN層；設(shè)置在所述重?fù)诫sn?GaN層上的微量摻雜n?GaN層；設(shè)置在微量摻雜n?GaN層上的肖特基阻擋金屬層。上述SBD器件設(shè)計垂直原子構(gòu)造，能防止橫向器件構(gòu)造中發(fā)生的熱逃逸現(xiàn)象。

技術(shù)研發(fā)人員：金榮善;李東鍵;駱薇薇;孫在亨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英諾賽科（珠海）科技有限公司
文檔號碼：201611184730
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.20
技術(shù)公布日：2017.05.31