技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體的，涉及一種銦鎵鋅氧薄膜晶體管及其制備方法。本發(fā)明通過(guò)控制濺射的氬氧比制備兩層含氧量不同銦鎵鋅氧薄膜作為晶體管的兩層溝道層，提高開(kāi)關(guān)比，保證溝道層的遷移率，采用三層金屬薄膜電極結(jié)構(gòu)以鉑作為電極最底層和最頂層分別與溝道層和空氣接觸，進(jìn)一步避免電極氧化，電極三層結(jié)構(gòu)的中間層采用銅或銀或鋁等電導(dǎo)率高的金屬，保證了電極的性能。本發(fā)明提出的晶體管具備高遷移率、高開(kāi)關(guān)比、金屬電極不被氧化、低閾值電壓等優(yōu)異性能。

技術(shù)研發(fā)人員：鄧宏;王艷;韋敏;程慧;汪逸俊
受保護(hù)的技術(shù)使用者：電子科技大學(xué)
文檔號(hào)碼：201611112415
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.07
技術(shù)公布日：2017.03.08