1.一種頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，包括從上往下依次設置的發(fā)光單元和用于控制所述發(fā)光單元電流的電容單元，
所述電容單元為硅基FET，包括依次層疊設置的第一電極、絕緣層和第二電極；
所述發(fā)光單元為頂發(fā)射量子點發(fā)光器件，包括所述第二電極、量子點發(fā)光層和透明頂電極，
其中，所述第一電極設置在硅基襯底上；或所述第一電極為硅基襯底。
2.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極設置在硅基襯底上，所述絕緣層為介電材料；或所述第一電極為硅基襯底，所述絕緣層為硅氧化物。
3.如權(quán)利要求2所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述介電材料為透明介電材料或非透明介電材料，其中，所述透明介電材料包括PMMA、聚酰亞胺中的至少一種，所述非透明介電材料包括BaTiO3/PVDF復合漿料。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述發(fā)光單元還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層中的至少一層。
5.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極設置在硅基襯底上，所述絕緣層為介電材料，且所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述透明頂電極為陽極，所述頂發(fā)射量子點發(fā)光器件包括依次層疊設置的第二電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和透明頂電極。
6.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極設置在硅基襯底上，所述絕緣層為介電材料，且所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述透明頂電極為陰極，所述頂發(fā)射量子點發(fā)光器件包括依次層疊設置的第二電極、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和透明頂電極。
7.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極為P型硅基襯底，所述絕緣層為硅氧化物，且所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極，所述透明頂電極為陽極，所述頂發(fā)射量子點發(fā)光器件包括依次層疊設置的第二電極、電子傳輸層、量子點發(fā)光層、空穴傳輸層和透明頂電極。
8.如權(quán)利要求1所述的頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管，其特征在于，所述第一電極為N型硅基襯底，所述絕緣層為硅氧化物，且所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極，所述透明頂電極為陰極，所述頂發(fā)射量子點發(fā)光器件包括依次層疊設置的第二電極、空穴傳輸層、量子點發(fā)光層、電子傳輸層和透明頂電極。
9.一種頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管的制備方法，包括以下步驟：
提供硅基襯底；
在所述硅基襯底上依次沉積第一電極、絕緣層和第二電極，所述第一電極、絕緣層和第二電極形成電容單元；
在所述第二電極上依次沉積量子點發(fā)光層、透明頂電極，所述第二電極、量子點發(fā)光層和所述透明頂電極形成頂發(fā)射量子點發(fā)光器件；
其中，所述絕緣層、所述量子點發(fā)光層均采用溶液加工法制備獲得。
10.一種頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管的制備方法，包括以下步驟：
提供硅基襯底；
將所述硅基襯底置于氧氣環(huán)境中退火處理，使其表面形成硅氧化物層；
在所述硅氧化物層上依次沉第二電極，所述硅基襯底、硅氧化物層和第二電極形成電容單元；
在所述第二電極上依次沉積量子點發(fā)光層、透明頂電極，所述第二電極、量子點發(fā)光層和所述透明頂電極形成頂發(fā)射量子點發(fā)光器件；
其中，所述量子點發(fā)光層采用溶液加工法制備獲得。