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頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管及其制備方法與流程技術資料下載

技術編號:12275095

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本發(fā)明屬于顯示技術領域,尤其涉及一種頂發(fā)射量子點發(fā)光場效應晶體管及其制備方法。背景技術近年來,量子點發(fā)光二極管(QLED)因具備高亮度、低功耗、廣色域、易加工等諸多優(yōu)點在照明和顯示領域獲得了廣泛的關注與研究。相對比有機發(fā)光二極管(OLED),在同等畫質下,QLED的節(jié)能性有望達到OLED的兩倍,發(fā)光率將提升30%至40%。同時,QLED具有啟亮電壓低、光致發(fā)光光譜半高寬窄、發(fā)光波長與顏色可通過量子點顆粒尺寸進行調節(jié)和低成本溶液法制備等優(yōu)點,在固態(tài)照明和顯示領域有巨大的應用潛力。另外在微電子技術的...
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